一种聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物，其含有特定的聚碳酸酯嵌段单元(A)、和特定的聚有机硅氧烷嵌段单元(B)，其中，利用以聚苯乙烯为换算基准的凝胶渗透色谱法对所述聚有机硅氧烷嵌段单元(B)进行测定而得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度分数w用分子量的对数值log(M)进行微分而得的dw/dlog(M)的微分分子量分布曲线中，(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大，(2)所述微分分子量分布曲线中，在4.0≤log(M)≤4.5的范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值为6％以上且40％以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及透明性优异、且具有低溫耐冲击性的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物 及其制造方法。
技术介绍
阳〇〇引聚碳酸醋-聚有机硅氧烷聚合物（W下有时简称为叩C-P0S"。）具有高耐冲击性、 耐化学品性和阻燃性等优异性质而受到瞩目。因此，被期待在电气-电子设备领域、汽车领 域等各种领域中的广泛利用。特别是可W广泛用于手机、移动PC、数码相机、摄像机、电动工 具等的壳体、及其他日用品。 通常，作为代表性聚碳酸醋，一般使用均聚聚碳酸醋，所述均聚聚碳酸醋利用2， 2-双（4-径基苯基）丙烷〔通称：双酪A)作为原料二元酪。为了改善该均聚聚碳酸醋的阻 燃性、耐冲击性等物性，已知使用聚有机硅氧烷作为共聚单体的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷 共聚物（参照专利文献1~3)。 在要改善聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物的耐冲击性、特别是低溫下的耐冲击性 的情况下，已知如专利文献3所公开的，使用链长长的聚有机硅氧烷的方法。但是，该方法 存在透明性下降的问题。 相反，为了改善聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物的透明性，已知使用链长较短的 聚有机硅氧烷的方法（参照专利文献4、5)。但是，该方法存在耐冲击性下降的问题。 另外，专利文献6中尝试通过配合光线透射率不同的2种聚碳酸醋-聚有机娃氧 烧共聚物，来保持优良的耐冲击性，同时提高透明性，但是其透明性不能说是足够的。可见， 迄今为止的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物难W同时成立优良的透明性和优良的耐冲击 性、特别是低溫下的耐冲击性。 专利文献1:日本专利第2662310号公报 阳00引专利文献2:日本特开2011-21127号公报 专利文献3:日本特开2012-246430号公报 专利文献4 :日本特开平8-81620号公报 W11] 专利文献5 :日本特开2011-46911号公报 专利文献6 :日本特表2006-523243号公报
技术实现思路
[001引专利技术要解决的课题 本专利技术的目的在于提供具有透明性和优良的耐冲击性、特别是低溫下的耐冲击性 的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物。 解决课题的方法 本专利技术人发现，通过控制聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物中的聚有机硅氧烷的分 子量分布，由此能够达成所述课题。 阳017] 即本专利技术设及下述1~13。 1. 一种聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其含有包含下述通式（I)所示的重复单 元的聚碳酸醋嵌段（A)、和包含下述通式（II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段度)，其 中， 利用W聚苯乙締为换算基准的凝胶渗透色谱法对所述聚有机硅氧烷嵌段度）进 行测定而得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度分数W用分子量的对数值 log(M)进行微分而得的dw/dlog(M)的微分分子量分布曲线中， (l)dw/dlog(M)的值在3. 4《log(M)《4.0的范围内达到最大， 阳OW 似所述微分分子量分布曲线中，在4. 0《log(M)《4. 5的范围内对dw/dlog(M) 值进行积分而得的值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值为 6%W上且40%W下。 阳02引【化1】 2.如1所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其中，所述聚有机硅氧烷嵌段度） 的平均链长为20~85。 3.如1或2所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其中，所述聚有机硅氧烷嵌段 度）的含量为聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物的0. 5质量％~20. 0质量％。 4.如1~3中任一项所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其粘均分子量为 12000 ~40000。 5.如1~4中任一项所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其中，所述通式（I) 中的a和b为0,X为单键或碳原子数1~8的亚烷基。 6.如1~5中任一项所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其中，所述通式（I) 中的a和b为0,X为碳原子数3的亚烷基。 7.如1~6中任一项所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物，其中，所述通式（II) 中的R嘴R4为甲基。 8. -种成形体，其通过将1~7中任一项所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物 成形而成。 9.根据1~7中任一项所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物的制造方法，其中， 使用下述通式（ii)或（iii)所示的聚有机硅氧烷作为原料， 阳03引【化2】[00341[00对[式扣）和（iii)中，R3~R6分别独立地表示氨原子、面素原子、碳原子数1~ 6的烷基、碳原子数1~6的烷氧基或碳原子数6~12的芳基。Y和r分别独立地表示 单键、或-C( = 0)-、包括脂肪族或芳香族的与Si和0或与Si和Z键合的有机残基。n为 平均重复数。m表示0或1，Z分别独立地表示面素、-R70H、-R7C00H、-机旭2、-机旭护、-C00H 或-SH，R7表示直链、支链或环状亚烷基、芳基取代亚烷基、可W在环上具有烷氧基的芳基取 代亚烷基、可W被取代的亚芳基或亚芳基烷基取代芳基，R7表示烷基、締基、芳基或芳烷基， Z'分别独立地表示-R70-、-R7C00-、-机旭-、-C00-或-S-，R7表示直链、支链或者环状亚烧 基、芳基取代亚烷基、可W在环上具有烷氧基的芳基取代亚烷基、可W被取代的亚芳基或亚 芳基烷基取代芳基。P表示来自二异氯酸醋化合物的2价基团或来自二元簇酸的2价基 团， 在此，该原料聚有机硅氧烷满足下述（1)和（2): 利用W聚苯乙締为换算基准的凝胶渗透色谱法对所述聚有机硅氧烷进行测定而 得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度分数W用分子量的对数值log(M) 进行微分而得的dw/dlog(M)的微分分子量分布曲线中， (l)dw/dlog(M)的值在3. 4《log(M)《4.0的范围内达到最大， 似所述微分分子量分布曲线中，在4.0《log(M)《4. 5的范围内对dw/dlog(M) 值进行积分而得的值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值为 6%W上且40%W下。 10.如9所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物的制造方法，其中，所述通式（ii) 或（iii)中的平均链长n为20~85。 11.如9或10所述的聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物的制造方法，其中，所述通式 (U)或（iii)中的R呀PR4为甲基。[00创 12. -种聚有机硅氧烷，其由下述通式扣）或（iU)表示、且满足下述（1)和似， 柳创【化3】W45] 利用W聚苯乙締为换算基准的凝胶渗透色谱法对所述聚有机硅氧烷进行测定而 得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度分数W用分子量的对数值log(M) 进行微分而得的dw/dlog(M)的微分分子量分布曲线中， (l)dw/dlog(M)的值在3. 4《log(M)《4.0的范围内达到最大， 柳48] 似所述微分分子量分布曲线中，在4. 0《log(M)《4. 5的范围内对dw/dlog(M) 值进行积分而得的值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值为 6%W上且40%W下。 W例 13.如12所述的聚有机硅氧烷，其中，所述通式扣）或（iU)中的平均链长n为 20 ~85。 专利技术效果 本专利技术中，通过控制聚碳酸醋-聚有机硅氧烷共聚物中的聚有机硅氧烷的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物，其含有包含下述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A)、和包含下述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B)，其中，利用以聚苯乙烯为换算基准的凝胶渗透色谱法对所述聚有机硅氧烷嵌段(B)进行测定而得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度分数w用分子量的对数值log(M)进行微分而得的dw/dlog(M)的微分分子量分布曲线中，(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大，(2)所述微分分子量分布曲线中，在4.0≤log(M)≤4.5的范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值进行积分而得的值为6％以上且40％以下，式中，R1和R2分别独立地表示卤素原子、碳原子数1～6的烷基或碳原子数1～6的烷氧基；X表示单键、碳原子数1～8的烷撑基、碳原子数2～8的烷叉基、碳原子数5～15的环烷撑基、碳原子数5～15的环烷叉基、芴二基、碳原子数7～15的芳基烷撑基、碳原子数7～15的芳基烷叉基、‑S‑、‑SO‑、‑SO2‑、‑O‑或‑CO‑；R3和R4分别独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基或碳原子数6～12的芳基；a和b分别独立地表示0～4的整数。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田亚起，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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