本发明专利技术公开了一种用于LED驱动器老化测试的负载电路，该负载电路包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的若干通断开关，每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻，所述齐纳二极管接于所述MOS管的栅极和漏极之间，所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间，且任一所述负载分路之MOS管的源级与下一所述负载分路之MOS管的漏极相连，若干所述通断开关分别接于对应负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。与现有技术相比，由于负载电路提供的输出电压为打开的负载分路提供的齐纳二极管逆崩电压之和，故本发明专利技术可通过控制通断开关的开闭控制打开对应的负载分路来调节负载电路的输出电压，以使本发明专利技术所述负载电路为可供不同机种测试使用的共用型负载电路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED驱动器的老化测试，尤其涉及用于LED驱动器老化测试的负载装置。
技术介绍
LED驱动器在制备后为减少早期故障机率需进行老化测试(Burn-1n Test)，以剔除部份易于故障的LED驱动器。所谓“老化测试”为一种信赖度试验，是将复数个LED驱动器结合于一老化板(Burn-1n Board)上，使其处于预设的测试条件下，加速早期故障发生，进而除去先天具有制程缺失(短使用寿命)的LED驱动器，以确保产品可靠性。参考图1，目前老化测试采用的是纯电阻负载板A，使用水泥电阻B (30W/个)模拟LED负载，根据不同LED驱动器所能承受的负载来设计不同的负载板(水泥电阻的串并联等)。因此，同一块负载板只能供同一机种使用，若欲测试不同机种，需另外设计不同负载的负载板。再者，每批同机种的LED驱动器在量产测试时所需的负载板用量约240个到300个，在不同机种无法共用的情况下，每个机种都需使用近300个负载板，这样既浪费资源又浪费成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可供不同机种测试使用的共用型负载电路及负载装置。为了实现上有目的，本专利技术公开了一种用于LED驱动器老化测试的负载电路，该负载电路包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的若干通断开关，每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻，所述齐纳二极管接于所述MOS管的栅极和漏极之间，所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间，且任一所述负载分路之MOS管的源级与下一所述负载分路之MOS管的漏极相连，若干所述通断开关分别接于对应负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。与现有技术相比，本专利技术将多个MOS管串联,并分别与一通断开关相连，在每一MOS管的漏极⑶跟栅极(G)之间串联齐纳二极管，在通断开关打开时，电流穿过齐纳二极管，利用齐纳二极管的逆崩电压，让MOS管的栅极(G)跟源极⑶之间有压差，驱动MOS管打开，两个支路(流经MOS管和流经齐纳二极管再流经电阻)的电流汇流后进入下一负载分路；在通断开关闭合时，MOS管的漏极和源极短路，电流直接流过电阻，此时MOS管的栅极跟源极之间会有压差驱动MOS管打开，两个支路(流经MOS管和直接流经电阻)的电流汇流后进入下一负载分路；综上，在测试具有不同输出电压的机种时，只需调整若干通断开关的开闭，让整个回路的压差总合(打开的负载分路中齐纳二极体的逆崩电压总合)为LED驱动器所需提供的输出电压，即可连接待测LED驱动器进行测试，以使本专利技术所述负载电路为可供不同机种测试使用的共用型负载电路。较佳地，所述负载电路还包括发光二极管，所述发光二极管接于所述负载电路的输出端，便用使用者了解目前负载电路的使用情况。较佳地，每一所述负载分路包括一个或两个以上的齐纳二极管。其中，齐纳二极管的数目和逆崩电压大小可由技术人员预先设定。较佳地,所述MOS管为NMOS管,导通电阻小。本专利技术还提供了一种用于LED驱动器老化测试的负载装置，包括电路板和至少一组负载电路，所述负载电路安装于所述电路板上且包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的通断开关，每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻，所述齐纳二极管接于所述MOS管的栅极和漏极之间，所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间，且若干组所述负载分路的MOS管接在一起；所述通断开关接于对应负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。其中，若干所述通断开关并行设置于一开关盒内，所述开关盒位于若干所述负载分路的一端。与现有技术相比，本专利技术可用于测试具有不同输出电压的机种，测试时，只需调整通断开关打开的数量，让整个回路的压差总合(齐纳二极体的逆崩电压总合)为LED驱动器的输出电压，即可连接待测LED驱动器进行测试。另一方面，将若干所述通断开关并行设置于一开关盒内，便于使用者调整若干通断开关的状态，操作方便。较佳地，所述负载装置还包括散热件，所述MOS管与所述散热件相连。由于工作时，无论该负载分路是否工作，电流总要流经该负载分路的MOS管，造成MOS管发热，本方案使得便于所述MOS管散热。具体地，所述散热件包括垂直设置于所述电路板上的散热板和凸设于所述散热板两侧的若干散热片，且每侧的若干所述散热片沿若干所述负载分路设置方向以一定间距凸设于所述散热板的上部分，所述MOS管与所述散热板的下部分相连。具体地，所述负载装置还包括接线端子排，所述接线端子排上包括与所述负载电路对应电连接的至少一组接线端子。本专利技术公开了一种用于LED驱动器老化测试的负载电路，该负载电路包括若干通断开关，每一所述通断开关具有一输入端及一输出端；若干MOS管彼此相互串连且与若干所述通断开关对应设置，每一所述MOS管的漏极与其所对应的每一所述通断开关的所述输入端连接，每一所述MOS管的栅极与其所对应的每一所述通断开关的所述输出端连接；若干齐纳二极管与若干所述MOS管对应设置，至少一所述齐纳二极管反相接于与其所对应的所述MOS管的栅极和漏极之间；以及若干电阻与若干所述MOS管对应设置，每一所述电阻接于与其所对应的每一所述MOS管的栅极和源极之间。【附图说明】图1是传统的用于LED驱动器老化测试的负载装置结构示意图。图2是本专利技术用于LED驱动器老化测试的负载装置的结构示意图。图3是本专利技术用于LED驱动器老化测试的负载装置的电路图。图4是本专利技术用于LED驱动器老化测试的负载装置的部分工作原理图。【具体实施方式】为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。参考图2，本专利技术公开了一种用于LED驱动器老化测试的负载装置，该负载装置100包括电路板10和至少一组负载电路20，所述负载电路20为可供不同机种测试使用的共用型负载电路，其安装于所述电路板10上且包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的通断开关，若干所述通断开关并行设置于一开关盒30内，所述开关盒30位于若干所述负载分路的一端。参考图3，所述负载电路20包括负载分路21-27和与所述负载分路21_27相对应的通断开关31-37，所述负载分路21包括MOS管Ql、齐纳二极管ZDl、ZD2和电阻R1，所述齐纳二极管Q1、Q2串联后接于所述MOS管的栅极(G)和漏极(D)之间，所述电阻Rl接于所述MOS管Ql的栅极(G)和源极⑶之间，且该负载分路21之MOS管的源级⑶与下一所述负载分路22之MOS管Q2的漏极(D)相连，所述通断开关31接于负载分路21之MOS管Ql的漏极(D)和栅极(G)之间，同样的，负载分路21-27依次与负载分路22-27相连，即七个负载分路21-27的MOS管Q1-Q7相互串联在一起，工作时，电流从第一个负载分路21的MOS管Ql的漏极⑶进入负载电路20，从最后一个负载分路27的MOS管Q7的源级⑶输出。当然，所述负载分路的数目可以是7个也可以是2个、3个等等两个以上的数目。工作时，操作人员可依据实际需要选择需要打开的通断开关，参考图3和图4，描述本专利技术所述负载装置的工作过当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于LED驱动器老化测试的负载电路，其特征在于，该负载电路包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的若干通断开关，每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻，所述齐纳二极管反相接于所述MOS管的栅极和漏极之间，所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间，且任一所述负载分路之MOS管的源级与下一所述负载分路之MOS管的漏极相连，若干所述通断开关分别接于对应所述负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈士弘，
申请(专利权)人：全汉企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。