本发明专利技术公开了制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺,将金属纳米材料及半导体陶瓷纳米材料与高分子基体材料进行均匀共混，制成匀质的高分子纳米复合材料，各组分的重量份数分别为：金属纳米材料30~50份，半导体陶瓷纳米材料15~40份，高分子基体材料55~85份；采用该工艺方法而制备出一种具有亚敏特性的复合材料，采用此复合材料可以制作出具有高性能、高精度特性的压敏元件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及涉及新材料
，具体地说，是制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺。
技术介绍
随着科学技术发展，人们在传统材料的基础上，根据现代科技的研究成果，开发出新材料。新材料按组分为金属材料、无机非金属材料(如陶瓷、砷化镓半导体等)、有机高分子材料、先进复合材料四大类。按材料性能分为结构材料和功能材料。结构材料主要是利用材料的力学和理化性能，以满足高强度、高刚度、高硬度、耐高温、耐磨、耐蚀、抗辐照等性能要求；功能材料主要是利用材料具有的电、磁、声、光热等效应，以实现某种功能，如半导体材料、磁性材料、光敏材料、热敏材料、隐身材料和制造原子弹、氢弹的核材料等。新材料在国防建设上作用重大。例如，超纯硅、砷化镓研制成功，导致大规模和超大规模集成电路的诞生，使计算机运算速度从每秒几十万次提高到每秒百亿次以上；航空发动机材料的工作温度每提高100°C，推力可增大24% ;隐身材料能吸收电磁波或降低武器装备的红外辐射，使敌方探测系统难以发现等等。目前用于电子线路过电压保护的元器件主要有以下三类:陶瓷压敏电阻，硅基半导体瞬态过电压保护元件和高分子ESD保护元件:陶瓷压敏电阻通过对陶瓷掺杂，在高温下烧结半导化，两端焙烧电极制成，它的主要缺点是产品制成能耗高，寿命短，耐冲击次数少，压敏特性较差；硅基半导体瞬态过电压保护元件采用半导体工艺制成，它的主要特点是产品投资大，制作成本高，对环境污染大，产品附加电容高；高分子ESD保护元件采用高分子材料和导电颗粒形成一种带压敏特性的材料制成，该材料的压敏特性不好，重复性很差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，采用该工艺方法而制备出一种具有亚敏特性的复合材料，采用此复合材料可以制作出具有高性能、高精度特性的压敏元件。本专利技术通过下述技术方案实现:制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，将金属纳米材料及半导体陶瓷纳米材料与高分子基体材料进行均勾共混，制成勾质的高分子纳米复合材料，各组分的重量份数分别为:金属纳米材料30~50份，半导体陶瓷纳米材料15~40份，高分子基体材料55~85份。进一步的，为更好的实现本专利技术，所述金属纳米材料采用导电金属材料中的一种或两种的混合物。为更好的实现本专利技术，进一步的，所述导电金属材料包括金、银、铜、铁、锡、镍、招。为更好的实现本专利技术，进一步的，所述半导体陶瓷纳米材料为钛酸锶，氧化锡，氧化锌，碳化硅，二氧化钛中的任意一种或二种的混合物。进一步的，为更好的实现本专利技术，所述高分子基体材料可以是不饱合聚酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚丙烯，有机硅树脂，丙烯酸树脂中的任意一种。为更好的实现本专利技术，进一步的，所述金属纳米材料和所述半导体陶瓷纳米材料的粒径为50nm至400nm。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果: 本专利技术采用该工艺方法而制备出一种具有亚敏特性的复合材料，采用此复合材料可以制作出具有高性能、高精度特性的压敏元件。本专利技术在高分子ESD保护元件的基础上，将金属纳米材料和纳米半导化的陶瓷粉充分与高分子材料形成均一的勾质相，利用纳米材料的表面效应和量子尺寸效应，形成宏观的压敏效应。将上述高分子纳米复合材料结合线路板和半导体技术，可以非常高效的生产各种压敏器件，产品性能高度可靠，并且生产成本仅为传统方法的几分之一。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步说明，本专利技术的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例1: 制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，将金属纳米材料及半导体陶瓷纳米材料与高分子基体材料进行均匀共混，制成匀质的高分子纳米复合材料，各组分的重量份数分别为:金属纳米材料30~50份，半导体陶瓷纳米材料15~40份，高分子基体材料55~85份。实施例2: 本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，进一步的，为更好的实现本专利技术，所述金属纳米材料采用导电金属材料中的一种或两种的混合物。实施例3: 本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，为更好的实现本专利技术，进一步的，所述导电金属材料包括金、银、铜、铁、锡、镍、招。实施例4: 本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，为更好的实现本专利技术，进一步的，所述半导体陶瓷纳米材料为钛酸锶，氧化锡，氧化锌，碳化硅，二氧化钛中的任意一种或二种的混合物。实施例5: 本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的，为更好的实现本专利技术，所述高分子基体材料可以是不饱合聚酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚丙烯，有机硅树脂，丙烯酸树脂中的任意一种。实施例6: 本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，为更好的实现本专利技术，进一步的，所述金属纳米材料和所述半导体陶瓷纳米材料的粒径为50nm至400nm。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例，并非对本专利技术做任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:将金属纳米材料及半导体陶瓷纳米材料与高分子基体材料进行均匀共混，制成匀质的高分子纳米复合材料，各组分的重量份数分别为:金属纳米材料30~50份，半导体陶瓷纳米材料15~40份，高分子基体材料55-85 份。2.根据权利要求1所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述金属纳米材料采用导电金属材料中的一种或两种的混合物。3.根据权利要求2所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述导电金属材料包括金、银、铜、铁、锡、镍、招。4.根据权利要求1或2或3所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述半导体陶瓷纳米材料为钛酸锶，氧化锡，氧化锌，碳化硅，二氧化钛中的任意一种或二种的混合物。5.根据权利要求4所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述高分子基体材料可以是不饱合聚酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚丙烯，有机硅树脂，丙烯酸树脂中的任意一种。6.根据权利要求4所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述金属纳米材料和所述半导体陶瓷纳米材料的粒径为50nm至400nm。7.根据权利要求1或2或3或6所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述高分子基体材料可以是不饱合聚酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺、苯乙烯、聚丙烯，有机硅树脂，丙烯酸树脂中的任意一种。8.根据权利要求1或2或3或5所述的制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺，其特征在于:所述金属纳米材料和所述半导体陶瓷纳米材料的粒径为50nm至400nm。【专利摘要】本专利技术公开了制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺,将金属纳米材料及半导体陶瓷纳米材料与高分子基体材料进行均匀共混，制成匀质的高分子纳米复合材料，各组分的重量份数分别为：金属纳米材料30~50份，半导体陶瓷纳米材料15~40份，高分子基体材料55~85份；采用该工艺方法而制备出一种具有亚敏特性的复合材料，采用此复合材料可以制作出具有高性能、高精度特性的压敏元件。【IPC分类】C08L67/06, C08L83/04, C08L63/00, C08K3/08, C08L61/06, C08K3/00本文档来自技高网...
【技术保护点】
制作具有亚敏特性复合材料的合成工艺,其特征在于：将金属纳米材料及半导体陶瓷纳米材料与高分子基体材料进行均匀共混，制成匀质的高分子纳米复合材料，各组分的重量份数分别为：金属纳米材料30~50份，半导体陶瓷纳米材料15~40份，高分子基体材料55~85份。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张蛟，
申请(专利权)人：成都易胜科生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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