本发明专利技术公开了一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：1）采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温；2）在衬底上生长一层低温氮化物形核层；3）退火，实现形核层结晶；4）升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓；5）停止通入镓源，停止生长氮化镓，降温；6）继续通入镓源生长氮化镓，并升高温度；7）在氮化镓层上依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完成的外延结构。本发明专利技术利用低温过渡层有效降低氮化镓外延层位错密度，提高氮化镓晶体质量，进而提高氮化镓基器件的使用寿命及效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
作为第三代半导体的典型代表，氮化镓材料由于具有宽的禁带宽度，高电子速度等特点，氮化镓基器件在微波、毫米波频段广泛应用于无线通信、雷达等电子系统，在光电子和微电子领域发展前景十分广阔。目前，获得氮化镓外延材料的主要方法是通过在衬底上外延生长，衬底包括氮化镓、蓝宝石、碳化硅、氮化铝以及硅基衬底等。但是由于氮化镓材料与衬底之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，(如与蓝宝石失配为16%，与碳化硅失配为3.4%，与硅基失配为17%)，使得生长的氮化镓外延材料引入了大量的位错和缺陷，缺陷密度高达1()1101° cm2,进而影响了氮化镓基器件的使用寿命和使用效率。传统的生长氮化镓外延材料的方法是，首先在衬底上生长一层氮化物形核层，然后在退火结晶后的形核层上持续高温生长氮化镓外延材料。由于低温生长的氮化物形核层存在大量的位错和缺陷，晶核质量较差，在此基础上高温生长氮化镓外延材料时，由于晶格不匹配和热膨胀不匹配导致的位错和缺陷继续延伸，氮化镓外延材料的位错和缺陷仍然很多，外延材料晶体质量依然很差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，其通过在生长氮化镓的过程中，插入生长一层低温过渡层，进一步提升氮化镓的晶体质量，提高器件的效率和使用寿命。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是:，该方法包括以下步骤: 1)采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温； 2)在衬底上生长一层低温氮化物形核层； 3)退火，实现形核层结晶； 4)升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓； 5)停止通入镓源，停止生长氮化镓，降温； 6)继续通入镓源生长氮化镓，并升高温度；7)在氮化镓层上依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完成的外延结构。优选的，所述步骤I)中的衬底为氮化镓、蓝宝石、SiC、S1、A1N、S12、金刚石、石墨稀中的任意一种。优选的，所述步骤I)中采用的MOCVD技术，是利用氨气作为氮源，氮气或者氢气作为载气，三甲基镓或三乙基镓、三甲基铝、三甲基铟分别作为镓源、铝源和铟源，硅烷作为硅源。优选的，所述步骤2)中生长氮化物形核层的温度为室温20°C?1000°C，形核层厚度为O?lOOnm。优选的，所述步骤3)中退火温度为600°C?1200°C，退火时间为O?1000s。优选的，所述步骤4)在退火后的形核层上生长一层氮化镓的生长温度为800°C?1300°C，厚度为 O ?I μπι ； 优选的，所述步骤5)中降温速率为O?1000°C /s，温度为20°C?1000°C。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本专利技术在蓝宝石、或碳化硅、或硅基等异质衬底上，低温生长一层氮化物形核层，随后在对形核层退火结晶后，高温生长一层较薄的氮化镓，随后停止通入镓源并降温，形成低温过渡层，即“空层”，然后升高温度继续生长氮化镓外延材料；“空层”的存在，释放了应力，阻挡了一部分位错继续延伸，降低了氮化镓外延材料的位错密度，提高了氮化镓外延材料的晶体质量。本专利技术能利用低温“空层”有效降低氮化镓外延层位错密度，提高氮化镓晶体质量，进而提高氮化镓基器件的使用寿命及效率，同时本专利技术有较宽的生长工艺窗口。【附图说明】图1是本专利技术流程图； 图2是传统的蓝宝石衬底上生长氮化镓外延的温度曲线； 图3是本专利技术在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延的温度曲线； 图4是本例的氮化镓样品的(102)X射线双晶衍射曲线，横坐标为ω方向扫描角度(弧s )，纵坐标为相对强度。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术提供，以蓝宝石衬底为例，包括以下步骤: I)采用MOCVD技术，在MOCVD反应室内将蓝宝石衬底热处理:在氢气气氛下，温度维持在800 °C? 1300 °C，持续300 s到2000s ;然后降温，其中的MOCVD技术，是利用氨气作为氮源，氮气或者氢气作为载气，三甲基镓或三乙基镓、三甲基铝、三甲基铟分别作为镓源、铝源和铟源，硅烷作为硅源。2)在衬底上生长一层低温氮化物形核层:其中形核层的生长温度为20°C?1000C，反应室压力为50?500mbar，V / III约300?3000，形核层厚度为，O?lOOnm。3)退火，实现形核层结晶:反应室温度升高到退火温度:600°C?1200°C，退火时间为O?1000s，使氮化物形核层在退火后剩余少量晶核。4)升高温度在退火后的形核层上生长一层氮化镓:其中生长温度在800°C?l300°c，反应室压力为 100 mbar ?1000 mbar，V / III约 300 ?400。5)停止生长氮化镓，降温:在NH3气氛保护下，停止通入三甲基镓，降温速率为O?1000C /s，温度为20°C?1000°C，反应室压力不变，如图3所示。6)升温，继续生长氮化镓:通入三甲基镓源，升温，其中生长温度在800 °C?1300°C，反应室压力为 100 mbar ?1000 mbar, V / III约 300 ?400。 7 )在氮化镓层依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完整外延结构。如图4所示，本专利技术实施案例的氮化镓样品的(102) X射线衍射双晶曲线，其中横坐标为ω方向扫描角度(弧秒)，纵坐标为相对强度；Χ射线衍射双晶曲线半高宽度很小，约300弧秒，说明本专利技术得到的氮化镓晶体质量有提高，进而提高器件的使用寿命和效率，同时该方法生长氮化镓外延结构有很宽的生长工艺窗口。【主权项】1.，其特征在于:该方法包括以下步骤: 1)采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温； 2)在衬底上生长一层低温氮化物形核层； 3)退火，实现形核层结晶； 4)升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓； 5)停止通入镓源，停止生长氮化镓，降温； 6)继续通入镓源生长氮化镓，并升高温度； 7)在氮化镓层上依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完成的外延结构。2.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述步骤I)中的衬底为氮化镓、蓝宝石、SiC、S1、A1N、S12、金刚石、石墨烯中的任意一种。3.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述步骤I)中采用的MOCVD技术，是利用氨气作为氮源，氮气或者氢气作为载气，三甲基镓或三乙基镓、三甲基铝、三甲基铟分别作为镓源、铝源和铟源，硅烷作为硅源。4.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述步骤2)中生长氮化物形核层的温度为室温20°C?1000°C，形核层厚度为O ?10nm05.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述步骤3)中退火温度为600°C?1200°C，退火时间为O?1000s。6.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述步骤4)在退火后的形核层上生长一层氮化镓的生长温度为800°C?1300°C，厚度为O?I μ m07.根据权利要求1所述的，其特征在于:所述步骤5)中降温速率为O?1000°C /s，温度为20°C本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温；2）在衬底上生长一层低温氮化物形核层；3）退火，实现形核层结晶；4）升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓；5）停止通入镓源，停止生长氮化镓，降温；6）继续通入镓源生长氮化镓，并升高温度；7）在氮化镓层上依次生长插入层，沟道层，盖帽层以及钝化层，得到完成的外延结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张志荣，尹甲运，房玉龙，芦伟立，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13
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