本实用新型专利技术提供一种高压LED模组，包括陶瓷基板以及分别设置在所述陶瓷基板上的第一电极、第二电极、整流桥电路、恒流集成电路和LED芯片单元，所述第一电极和第二电极分别连接所述整流桥电路，所述整流桥电路与所述恒流集成电路连接，所述整流桥电路和所述恒流集成电路还分别与所述LED芯片单元连接，所述LED芯片单元上覆盖有荧光胶层。本实用新型专利技术提供的高压LED模组在LED基板上设置有整流桥电路和恒流集成电路，散热性能好、可靠性高。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED领域，特别涉及一种高压LED模组。
技术介绍
随着生产技术的高速发展，发光二极管性能的飞速提高，它的应用领域日益拓展。从初期的显示领域进入到今天的照明领域，先是装饰照明，接着是户外照明，现在已开始进入室内照明和家居照明领域。随着LED应用的越来越广泛，对LED的发光和散热性能也要求越来越高。现有的高功率LED都是以多颗发光二极管晶片通过金属导线实现串联或并联。这种连接方式费工时、成本高且可靠性不佳。高压发光二极管芯片很好的解决了以上的不足。高压LED指在芯片端通过金属薄膜将发光二极管芯片串联从而实现高电压。目前市场上已有的高压LED其大多采用独立的驱动电路，从而使得灯具制造过程复杂、散热差、可靠性低。
技术实现思路
针对以上问题，本技术专利目的在于设计了一种高压LED模组，在LED基板上设置有整流桥电路和恒流集成电路，散热性能好、可靠性高。本技术是通过以下技术方案实现的:一种高压LED模组，包括陶瓷基板(I)以及分别设置在所述陶瓷基板(I)上的第一电极(2)、第二电极(3)、整流桥电路(4)、恒流集成电路(5)和LED芯片单元(6)，所述第一电极(2)和第二电极(3)分别连接所述整流桥电路(4)，所述整流桥电路(4)与所述恒流集成电路(5 )连接，所述整流桥电路(4 )和所述恒流集成电路(5 )还分别与所述LED芯片单元(6 )连接，所述LED芯片单元(6 )上覆盖有荧光胶层(7 )。进一步，本技术所述整流桥电路(4)和所述恒流集成电路(5)上设置有硅胶层(8 )。进一步，本技术所述述LED芯片单元(6)周围设置有边界胶(9)。进一步，本技术所述陶瓷基板(I)上设置有固晶底胶层(10)，所述第一电极(2)、第二电极(3)、整流桥电路(4)、恒流集成电路(5)和LED芯片单元(6)设置在所述固晶底胶层(10)上。进一步，本技术所述LED芯片单元(6)采用多个LED芯片串联。【附图说明】以下参照附图对本技术实施例作进一步说明，其中:图1是本技术一种高压LED模组的结构图；图2是本技术一种高压LED模组的剖视图。图中各部件名称如下:1.陶瓷基板；2.第一电极；3.第二电极；4.整流桥电路；5.恒流集成电路；6.LED芯片单元；7.荧光胶层；8.硅胶层；9.边界胶；10.固晶底胶层。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。本技术提出了一种高压LED模组，请参阅图1是本技术一种高压LED模组的结构图，图2是本技术一种高压LED模组的剖视图，包括陶瓷基板I以及分别设置在所述陶瓷基板I上的第一电极2、第二电极3、整流桥电路4、恒流集成电路5和LED芯片单元6。所述第一电极2和第二电极3分别连接所述整流桥电路4，第一电极2和第二电极3可分别为正电极和负电极。所述整流桥电路4与所述恒流集成电路5连接，所述整流桥电路4和所述恒流集成电路5还分别与所述LED芯片单元6连接，市电经过整流桥电路4整流后,整流桥电路4的输出端连接恒流集成电路5，再经过恒流集成后输出给LED芯片单元6供电。所述LED芯片单元6上覆盖有荧光胶层7，荧光胶层7为透明硅胶和荧光粉混合，覆盖在LED芯片单元6表面，根据产品光色的需要，可产生不同的颜色光和光效。所述整流桥电路4和所述恒流集成电路5上设置有硅胶层8，保护电路。所述述LED芯片单元6周围设置有边界胶9，对LED芯片起到保护作用。所述陶瓷基板I上设置有固晶底胶层10，所述第一电极2、第二电极3、整流桥电路4、恒流集成电路5和LED芯片单元6设置在所述固晶底胶层10上。所述LED芯片单元6采用多个LED芯片串联，用户可以根据需要串联任意个数的LED以得到所需的伏安特性。以上所述本技术的【具体实施方式】，并不构成对本技术保护范围的限定。任何根据本技术的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本技术权利要求的保护范围内。【主权项】1.一种高压LED模组，其特征在于，包括陶瓷基板(I)以及分别设置在所述陶瓷基板(I)上的第一电极(2)、第二电极(3)、整流桥电路(4)、恒流集成电路(5)和LED芯片单元(6)，所述第一电极(2)和第二电极(3)分别连接所述整流桥电路(4)，所述整流桥电路(4)与所述恒流集成电路(5 )连接，所述整流桥电路(4 )和所述恒流集成电路(5 )还分别与所述LED芯片单元(6)连接，所述LED芯片单元(6)上覆盖有荧光胶层(7)。2.根据权利要求1所述的一种高压LED模组，其特征在于，所述整流桥电路(4)和所述恒流集成电路(5 )上设置有硅胶层(8 )。3.根据权利要求1所述的一种高压LED模组，其特征在于，所述述LED芯片单元(6)周围设置有边界胶(9)。4.根据权利要求1所述的一种高压LED模组，其特征在于，所述陶瓷基板(I)上设置有固晶底胶层(10)，所述第一电极(2)、第二电极(3)、整流桥电路(4)、恒流集成电路(5)和LED芯片单元(6)设置在所述固晶底胶层(10)上。5.根据权利要求1所述的一种高压LED模组，其特征在于，所述LED芯片单元(6)采用多个LED芯片串联。【专利摘要】本技术提供一种高压LED模组，包括陶瓷基板以及分别设置在所述陶瓷基板上的第一电极、第二电极、整流桥电路、恒流集成电路和LED芯片单元，所述第一电极和第二电极分别连接所述整流桥电路，所述整流桥电路与所述恒流集成电路连接，所述整流桥电路和所述恒流集成电路还分别与所述LED芯片单元连接，所述LED芯片单元上覆盖有荧光胶层。本技术提供的高压LED模组在LED基板上设置有整流桥电路和恒流集成电路，散热性能好、可靠性高。【IPC分类】H01L33/52【公开号】CN204720476【申请号】CN201520418134【专利技术人】薛青山, 赵小勇, 薛红粉, 孙小虎, 郑再军 【申请人】广东方大索正光电照明有限公司【公开日】2015年10月21日【申请日】2015年6月17日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高压LED模组，其特征在于，包括陶瓷基板（1）以及分别设置在所述陶瓷基板（1）上的第一电极（2）、第二电极（3）、整流桥电路（4）、恒流集成电路（5）和LED芯片单元（6），所述第一电极（2）和第二电极（3）分别连接所述整流桥电路（4），所述整流桥电路（4）与所述恒流集成电路（5）连接，所述整流桥电路（4）和所述恒流集成电路（5）还分别与所述LED芯片单元（6）连接，所述LED芯片单元（6）上覆盖有荧光胶层（7）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：薛青山，赵小勇，薛红粉，孙小虎，郑再军，
申请(专利权)人：广东方大索正光电照明有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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