车辆燃油温度控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种车辆燃油温度控制装置，它包括外侧带有散热片、内侧带有半导体制冷制热元件容置空间的散热模块，一侧将半导体制冷制热元件封闭在半导体制冷制热元件容置空间内、另一侧带有循环油道的热交换模块，一侧用于封闭循环油道侧面、另一侧带有电路板容置空间的电控模块以及用于将电路板封装在电路板容置空间内的盖板。能够将油温始终控制在燃油最佳做功温度范围之内，确保了燃油能够顺畅地流动和燃烧做功，进而确保了发动机正常启动和运转；同时，降低了车辆油耗，有效保护了发动机油路，延长了发动机使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
车辆燃油温度控制装置
本专利技术涉及一种车辆燃油温度控制装置。
技术介绍
各种车辆燃油，特别是柴油都有其适宜的做功温度，燃油温度过低或者过高都会影响其正常使用。具体地说，温度过低时，机动车发动机所用的燃油流动不畅，影响发动机正常启动和运转，导致机动车难于启动，或者行驶途中抛锚，在极端情况下甚至会损坏发动机部件。因此，在寒冷环境下使用时通常需要对燃油进行加热，以确保燃油能够顺畅地流动和燃烧做功，确保发动机正常启动和运转。温度过高则会增加车辆油耗，并且对发动机油路造成损害，降低发动机使用寿命。现有的车辆燃油温度控制装置多数采用将电加热体置于燃油中的接触换热方式，耗电量大，易漏电，存在安全隐患，使用寿命短。并且无法对燃油进行冷却。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种车辆燃油温度控制装置，其不仅能够对燃油进行安全可靠地加热和冷却，并且能够将燃油温度控制在设定范围之内。为了解决上述技术问题，本专利技术采用了以下技术方案。一种车辆燃油温度控制装置，其特征在于：它包括外侧带有散热片、内侧带有半导体制冷制热元件容置空间的散热模块，一侧将半导体制冷制热元件封闭在半导体制冷制热元件容置空间内、另一侧带有循环油道的热交换模块，一侧用于封闭循环油道侧面、另一侧带有电路板容置空间的电控模块以及用于将电路板封装在电路板容置空间内的盖板；所述的热交换模块带有两个进出油接头，两个进出油接头分别与所述循环油道的两个端部相连接；热交换模块上还开设有热交换模块走线孔；热交换模块走线孔的开设位置避开循环油道；电控模块上还开设有电控模块走线孔；设置在电路板容置空间中的电路板的引线依次穿过电控模块走线孔和热交换模块走线孔并与所述半导体制冷制热元件相连接；所述的电路板包括冷热驱动电路、程序控制电路和油温检测电路；所述的油温检测电路分别连接有油温传感器并与程序控制电路针对MCU相连接；所述的油温传感器设置于循环油道（2-1）中；冷热驱动电路包括MOSFET器件Q3、MOSFET器件Q4、MOSFET器件Q13和MOSFET器件Q14；（1）、MOSFET器件Q3和MOSFET器件Q14及外围元件构成制热驱动电路；其中MOSFET器件Q3及外围元件构成制热上驱动臂电路，MOSFET器件Q14及外围元件构成制热下驱动臂电路；A、制热上驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D5、三极管Q8、电阻R9、电阻R11和电阻R1构成，用于防止高电压；信号进入低电压电路、将输入的低压命令信号进行转换为高压的驱动信号；其中二极管D5接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q2、三极管Q6，电阻R5、电阻R8和二极管D3构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q3、稳压二极管DZ2、电阻R2和电阻R32构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ2起过压保护作用，用于防止MOSFET因电压过高而损坏；电阻R2为上拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；B、制热下驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D12、三极管Q17、三极管Q10、电阻R26、电阻R28、电阻R16、电阻R14和电阻R24构成，用于防止高电压信号进入低电压电路并将输入的低压命令信号进行转换为高压驱动信号；其中二极管D12接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q9、三极管Q15，电阻R20、电阻R19和二极管D8构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q14、稳压二极管DZ3、电阻R23和电阻R33构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ3起过压保护，防止MOSFET因电压过高而损坏；R23为下拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；电阻R33与所述的电阻R32一起用于输出平衡；（2）、MOSFET器件Q4和MOSFET器件Q13及外围元件构成制冷驱动电路；其中MOSFET器件Q4及外围元件构成制冷上驱动臂电路，MOSFET器件Q13及外围元件构成制冷下驱动臂电路；A、制冷上驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D6、三极管Q7、电阻R10、电阻R12和电阻R4构成，用于防止高电压信号进入低电压电路、将输入的低压命令信号进行转换为高压的驱动信号；其中二极管D6接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q1、三极管Q5，电阻R7、电阻R6和二极管D34构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q4、稳压二极管DZ1、电阻R3和电阻R33构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ1起过压保护，防止MOSFET因电压过高而损坏；R23为上拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；B、制冷下驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D11、三极管Q18、三极管Q11、电阻R25、电阻R27、电阻R15、电阻R13和电阻R21构成，用于防止高电压信号进入低电压电路并将输入的低压命令信号进行转换为高压驱动信号；其中二极管D11接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q12、三极管Q16，电阻R17、电阻R18和二极管D7构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q13、稳压二极管DZ4、电阻R22和电阻R32构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ4起过压保护，防止MOSFET因电压过高而损坏；R22为下拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；R32与所述的R33一起用于输出平衡。所述的电控模块的与热交换模块相接触的侧面开设有密封圈槽，密封圈槽中安装有密封圈。电控模块走线孔位于密封圈槽之外。本专利技术的积极效果在于：第一、通过半导体制冷制热元件的电极转换，在油温低于设定范围下限时实施加热，高于设定范围上限时实施制冷。能够将油温始终控制在燃油最佳做功温度范围之内，确保了燃油能够顺畅地流动和燃烧做功，进而确保了发动机正常启动和运转；同时，降低了车辆油耗，有效保护了发动机油路，延长了发动机使用寿命。第二、燃油通道、半导体制冷制热元件以及电路板安装空间互相独立，电与燃油隔离，只传递热量，不会漏电，没有安全隐患。第三、整个装置体积小，耗电量低，热效率高，提温降温速度快。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术散热模块的结构示意图。图3是本专利技术热交换模块的结构示意图。图4是本专利技术电控模块的正面结构示意图。图5是本专利技术电控模块的背面结构示意图。图6是本专利技术电路板冷热驱动电路的原理图。图7是本专利技术电路板程序控制电路的原理图。图8是本专利技术电路板油温检测电路的原理图。图9是本专利技术电路板电源电路的原理图。具体实施方式下面结合附图和实施例进一步说明本专利技术。如图1、图2所示，本专利技术的实施例包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种车辆燃油温度控制装置，其特征在于：它包括外侧带有散热片（1‑1）、内侧带有半导体制冷制热元件容置空间（1‑2）的散热模块（1），一侧将半导体制冷制热元件（7）封闭在半导体制冷制热元件容置空间（1‑2）内、另一侧带有循环油道（2‑1）的热交换模块（2），一侧用于封闭循环油道（2‑1）侧面、另一侧带有电路板容置空间（3‑1）的电控模块（3）以及用于将电路板封装在电路板容置空间（3‑1）内的盖板（4）；所述的热交换模块（2）带有两个进出油接头（2‑3），两个进出油接头（2‑3）分别与所述循环油道（2‑1）的两个端部相连接；热交换模块（2）上还开设有热交换模块走线孔（2‑2）；热交换模块走线孔（2‑2）的开设位置避开循环油道（2‑1）；电控模块（3）上还开设有电控模块走线孔（3‑2）；设置在电路板容置空间（3‑1）中的电路板的引线依次穿过电控模块走线孔（3‑2）和热交换模块走线孔（2‑2）并与所述半导体制冷制热元件（7）相连接。

【技术特征摘要】
1.一种车辆燃油温度控制装置，其特征在于：它包括外侧带有散热片（1-1）、内侧带有半导体制冷制热元件容置空间（1-2）的散热模块（1），一侧将半导体制冷制热元件（7）封闭在半导体制冷制热元件容置空间（1-2）内、另一侧带有循环油道（2-1）的热交换模块（2），一侧用于封闭循环油道（2-1）侧面、另一侧带有电路板容置空间（3-1）的电控模块（3）以及用于将电路板封装在电路板容置空间（3-1）内的盖板（4）；所述的热交换模块（2）带有两个进出油接头（2-3），两个进出油接头（2-3）分别与所述循环油道（2-1）的两个端部相连接；热交换模块（2）上还开设有热交换模块走线孔（2-2）；热交换模块走线孔（2-2）的开设位置避开循环油道（2-1）；电控模块（3）上还开设有电控模块走线孔（3-2）；设置在电路板容置空间（3-1）中的电路板的引线依次穿过电控模块走线孔（3-2）和热交换模块走线孔（2-2）并与所述半导体制冷制热元件（7）相连接；所述的电路板包括冷热驱动电路、程序控制电路和油温检测电路；所述的油温检测电路分别连接有油温传感器并与程序控制电路针对MCU相连接；所述的油温传感器设置于循环油道（2-1）中；冷热驱动电路包括MOSFET器件Q3、MOSFET器件Q4、MOSFET器件Q13和MOSFET器件Q14；（1）、MOSFET器件Q3和MOSFET器件Q14及外围元件构成制热驱动电路；其中MOSFET器件Q3及外围元件构成制热上驱动臂电路，MOSFET器件Q14及外围元件构成制热下驱动臂电路；A、制热上驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D5、三极管Q8、电阻R9、电阻R11和电阻R1构成，用于防止高电压；信号进入低电压电路、将输入的低压命令信号进行转换为高压的驱动信号；其中二极管D5接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q2、三极管Q6，电阻R5、电阻R8和二极管D3构成，用于将前级的高电压低电流信号转换为高电压高电流驱动信号，确保后级的MOSFET能正常工作；c）、输出及辅助电路：由MOSFET器件Q3、稳压二极管DZ2、电阻R2和电阻R32构成，用于向负载提供足够功率的电源信号确保其正常工作；稳压二极管DZ2起过压保护作用，用于防止MOSFET因电压过高而损坏；电阻R2为上拉电阻，为MOSFET提供初始工作电平，防止上电时误导通；B、制热下驱动臂电路由以下电路构成：a）、电平保护与转换电路：由二极管D12、三极管Q17、三极管Q10、电阻R26、电阻R28、电阻R16、电阻R14和电阻R24构成，用于防止高电压信号进入低电压电路并将输入的低压命令信号进行转换为高压驱动信号；其中二极管D12接MCU；b）、图腾柱驱动电路：由三极管Q9、三极管Q15，电阻R20、电阻R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟，孙靖茗，
申请(专利权)人：孙伟，
类型：发明
国别省市：山东;37