一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。该阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个子像素，其中，各所述子像素所在区域均包括多个透射区域和多个反射区域。其可使得包含本发明专利技术实施例提供的阵列基板的显示面板及显示装置具有更均匀的亮度，整体均匀性好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的快速发展，人们越来越注重对显示器的应用及创新。当然，人们对显示特性的要求也越来越高。而通常的透射式液晶显示器在日光直射下，图像会发生冲蚀现象。故而人们在不断寻求实现显示器无论在室内还是室外都有较好的对比度的方法。半透半反技术已被列入解决室外对比度下降的一个方案。然而通常实现半透半反主要有两种方式。一种是实现单盒厚的电控双折射(Electrically ControlledBirefringence，ECB)模式，然而这种模式通常需要额外的补偿膜，并且视角不好。另一种是双盒厚半透半反模式，然而这种模式的工艺制程比较复杂，生产成本较高，而且显示特性不是太好。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，其可使得包含本专利技术实施例提供的阵列基板的显示面板及显示装置具有更均匀的亮度，整体均匀性好。本专利技术至少一实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个子像素，其中，各所述子像素所在区域均包括多个透射区域和多个反射区域。例如，该阵列基板中，所述透射区域和所述反射区域在第一方向上交替排布。例如，该阵列基板中，所述透射区域和所述反射区域在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向。例如，各所述子像素所在区域内的所述多个透射区域和/或所述多个反射区域均勾分布在所述子像素中。例如，该阵列基板中，各所述子像素内均设置有线栅偏光膜，各所述子像素内，所述线栅偏光膜均包括设置在所述多个反射区域内的多组多条平行设置的金属线，每个所述反射区域设置一组所述多条平行设置的金属线，所述线栅偏光膜中的多条平行设置的金属线配置来透过偏振方向垂直于所述金属线延伸方向的线偏振光以及反射偏振方向平行于所述金属线延伸方向的线偏振光。例如，该阵列基板中，所述金属线材质包括铝、铬、铜、银、镍、铁、钴中的一种或几种的组合。例如，该阵列基板还包括多条数据线，其中，所述线栅偏光膜与所述多条数据线同层设置且相互绝缘。例如，该阵列基板还包括多条栅线，其中，所述线栅偏光膜与所述多条栅线同层设置且相互绝缘。例如，该阵列基板还包括与所述栅线同层设置且延伸方向相同的公共电极线，其中，在各所述子像素内所述线栅偏光膜与所述公共电极线电性相连。例如，该阵列基板中，各子像素内的线栅偏光膜与所述子像素内的像素电极电性相连。例如，该阵列基板还包括薄膜晶体管，其中，所述线栅偏光膜复用作为所述子像素内的像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电性相连。例如，该阵列基板中，所述子像素内的像素电极为狭缝状电极。例如，该阵列基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素电极和所述衬底基板之间。例如，该阵列基板中，各所述子像素内，所述线栅偏光膜复用作为所述子像素内的公共电极。例如，该阵列基板中，所述子像素内的公共电极为狭缝状电极或梳状电极。例如，该阵列基板还包括像素电极和薄膜晶体管，其中，所述像素电极位于所述公共电极和所述衬底基板之间，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电性相连。例如，该阵列基板中，所述线栅偏光膜复用作为同层设置的插指结构的像素电极和公共电极。例如，该阵列基板中，在各所述子像素内，在所述线栅偏光膜上设置有透明金属氧化物导电层。例如，该阵列基板中，在各所述子像素内，所述透明金属氧化物导电层与所述线栅偏光膜的图案一致。本专利技术至少一实施例还提供一种液晶显示面板，包括:相对而置的对置基板和阵列基板，以及填充在所述阵列基板和对置基板之间的液晶层；其中，所述阵列基板为本专利技术任一实施例中所述的阵列基板。例如，该液晶显示面板中，各所述子像素内均设置线栅偏光膜，各所述子像素内，所述线栅偏光膜均包括设置在所述多个所述反射区域内的多组多条平行设置的金属线，每个所述反射区域设置一组所述多条平行设置的金属线，所述线栅偏光膜中的多条平行设置的金属线配置来透过偏振方向垂直于所述金属线延伸方向的线偏振光以及反射偏振方向平行于所述金属线延伸方向的线偏振光，在所述阵列基板远离所述对置基板的一侧设置有下偏光板，所述多条平行设置的金属线的延伸方向与所述下偏光板的偏光轴的方向相互平行。本专利技术至少一实施例还提供一种显示装置，包括本专利技术任一实施例中所述的液晶显示面板。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1a为本专利技术一实施例提供的一种一个子像素所在区域包括多个透射区域和多个反射区域的阵列基板的水平剖切示意图；图1b为本专利技术另一实施例提供的一种一个子像素所在区域包括多个透射区域和多个反射区域的阵列基板的水平剖切示意图；图1c为本专利技术另一实施例提供的一种一个子像素所在区域包括多个透射区域和多个反射区域的阵列基板的水平剖切示意图(透射区域和反射区域在第一方向以及第二方向上均交替排布)；图1d为本专利技术一实施例提供的一种具有线栅偏光膜的阵列基板的水平剖切示意图；图1e为本专利技术另一实施例提供的一种具有线栅偏光膜的阵列基板的水平剖切示意图；图2a为本专利技术一实施例提供的阵列基板中的一个反射区域内的多条平行设置的金属线的示意图；图2b为本专利技术一实施例提供的阵列基板中的一个反射区域内的多条平行设置的金属线的光线透过及反射情况示意图；图3a为本专利技术一实施例提供的具有线栅偏光膜的阵列基板示意图；图3b为本专利技术一实施例提供的阵列基板中线栅偏光膜与栅线同层设置的剖视示意图(图3a中A-A’剖视图)；图4a为本专利技术一实施例提供的阵列基板中线栅偏光膜复用为像素电极示意图；图4b为本专利技术一实施例提供的线栅偏光膜复用为像素电极的ADS模式的阵列基板剖视示意图(图4a中A-A’剖视图)；图4c为本专利技术一实施例提供的一种线栅偏光膜复用为公共电极的ADS模式的阵列基板剖视示意图；图4d为本专利技术一实施例提供的一种线栅偏光膜复用为像素电极且在其上设置透明金属氧化物导电层的ADS模式的阵列基板剖视示意图；图5为本专利技术一实施例提供的一种线栅偏光膜与栅线同层设置的ADS模式的阵列基板剖视示意图；图6a为本专利技术一实施例提供的线栅偏光膜复用为像素电极和公共电极的IPS模式的阵列基板示意图；图6b为本专利技术一实施例提供的线栅偏光膜复用为像素电极和公共电极的IPS模式的阵列基板的另一示意图；图6c为同层设置的插指结构的像素电极和公共电极示意图；图7为本专利技术一实施例提供的一种显不面板不意图；图8为本专利技术一实施例提供的一种ADS模式的显示面板或显示装置中暗态的实现方法示意图；图9为本专利技术一实施例提供的一种ADS模式的显示面板或显示装置中亮态的实现方法示意图；附图标记:10-阵列基板；20_对置基板；30_液晶层；100_阵列基板的衬底基板；101_数据线;102-栅线;103-子像素;1081-漏极;1082-源极;1083_有源层；1084-栅极;1085-栅极绝缘层；104-反射区域；105-透射区域；106-线栅偏光膜；107-公共电极线；116-金属线；121-第一绝缘层；122_第二绝缘层；123-公共电极；1231_条状电极；1233_端电极；124_像素电极；1241_条状电极；1242本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个子像素，其中，各所述子像素所在区域均包括多个透射区域和多个反射区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王英涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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