【技术实现步骤摘要】
一种成形区域温度梯度可控的高能束选区熔化方法与设备
本专利技术属于高能束增材制造
,具体涉及一种成形区域温度梯度可控的高能束选区熔化方法与设备,尤其适用于大尺寸、高性能、高精度、复杂结构定向凝固金属构件与单晶金属构件的高效率成形。
技术介绍
高能束选区熔化技术是一种新兴的基于粉末床铺设的增材制造技术,其过程可概括如下:首先用三维软件设计出待成形零部件的3D模型并转换成STL格式;再由切片软件进行切片处理生成二维高能束扫描轨迹;然后在基板表面预置一层具有一定厚度的粉末,并根据预设轨迹控制高能束(激光束或电子束)对粉末床进行选区熔化,进而冷却、凝固形成沉积层;扫描完成后将基板下降一个与预置粉末层厚度相当的距离;不断重复上述铺粉、扫描与基板下降的过程,直至完成整个零部件的成形。由于高能束选区熔化技术采用聚焦束斑极小(通常为0.1~0.5mm)的高能束在厚度仅为0.02~0.2mm的粉层上快速扫描,高能束辐照所形成的熔池尺寸通常为微米级。此时,熔池下方的基板或零部件已凝固部分可作为有效的散热体,令熔池内部产生极高的温度梯度,使熔池的定向凝固成为可能。此外,高能束选区熔化技术可以成形常规方法难以加工的复杂、精细结构件。因此,有望利用高能束选区熔化技术制造在航空航天等领域具有重要意义的高性能、复杂结构定向凝固金属构件与单晶金属构件。目前,国内外已有部分研究者开展了利用高能束选区熔化技术成形定向凝固金属构件与单晶金属构件的研究。在国内文献【选区激光熔化成形SRR99镍基单晶的基础研究】(华中科技大学硕士学位论文,2013年)中,研究者利用激光选区熔化技术获得了高度 ...
【技术保护点】
一种高能束选区熔化方法,该方法为高能束选区熔化制造过程预设特征温度梯度区间[G1,G2],G1为使熔池实现定向凝固的最小温度梯度,G2为避免成形件残余应力超出其屈服强度而为熔池所设置的最大温度梯度;在定向凝固金属构件与单晶金属构件的高能束选区熔化制造过程中,以成形区域的稳定温度作为边界条件实时计算熔池内部温度梯度区间,并通过对成形区域施加合适的热流条件实现对成形区域及所述熔池内部温度梯度区间的实时调控,使所述熔池内部温度梯度区间尽量保持在所述特征温度梯度区间内,直至获得所需尺寸、性能、精度和显微结构的金属构件。
【技术特征摘要】
1.一种高能束选区熔化方法,该方法为高能束选区熔化制造过程预设特征温度梯度区间[G1,G2],G1为使熔池实现定向凝固的最小温度梯度,G2为避免成形件残余应力超出其屈服强度而为熔池所设置的最大温度梯度;在定向凝固金属构件与单晶金属构件的高能束选区熔化制造过程中,以成形区域的稳定温度作为边界条件实时计算熔池内部温度梯度区间,并通过对成形区域施加合适的热流条件实现对成形区域及所述熔池内部温度梯度区间的实时调控,使所述熔池内部温度梯度区间保持在所述特征温度梯度区间内,直至获得所需尺寸、性能、精度和显微结构的金属构件。2.根据权利要求1所述的高能束选区熔化方法,其特征在于,该方法具体包括下述步骤:第1步将基板安装在成形缸体内部并调平;其中,基板的材料与待加工零件相同,基板的晶体取向亦与待加工零件所需的晶体取向相同;第2步根据待加工零件CAD模型生成高能束扫描轨迹,并为成形区域提供惰性气体保护环境或真空环境;第3步在基板上预置一层粉末,并重复第4步至第8步,直至完成定向凝固金属构件或者单晶金属构件的成形;第4步为成形区域提供合适的热流条件,并实时测量成形区域的稳定温度,使得以其为边界条件,计算出的熔池内部温度梯度区间[G3,G4]被特征温度梯度区间[G1,G2]所包含,即满足G1<G3<G4<G2;第5步高能束按照已生成的扫描轨迹对粉末层进行选择性熔化,扫描结束后,将基板下降一个与粉层厚度相同的距离,重新铺粉并选择性熔化;第6步下一层粉末的选择性熔化完成后,再次将实时测定的成形区域温度作为边界条件,计算出熔池内部温度梯度区间[G3,G4];第7步将基板再次下降一个与粉层厚度相同的距离,并在基板上再次预置一层粉末;第8步若满足G1<G3<G4<G2,则重复步骤第5步至第7步;若G3≦G1或G4≧G2,至转入第4步。3.一种实施权利要求1所述方法的高能束选区熔化设备,包括成形组件,其特征在于,所述成形组件中设置有测温模块和温控模块;测温模块包括一个粉末床测温子模块以及N个成形缸测温子模块,N≥1;所述粉末床测温子模块位于成形缸体上方,用于测量零部件成形过程中粉末床表面的温度场分布;所述N个成形缸测温子模块位于成形缸体侧壁外侧并将后者紧密环绕,用于测量成形缸体侧壁与其相接触位置的温度,以获得整个成形缸体侧壁的温度场分布;粉末床测温子模块与成形缸测温子模块还用于将其测得的成形区域温度场分布传输至控制系统;温控模块包括一个基板温控子模块以及M个成形缸温控子模块,M≥1;所述基板温控子模块与基板相连且位于基板下方,它根据控制系统所发送的控制信号,为基板提供合适的热流条件;所述M个成形缸温控子模块位于成形缸体侧壁外侧并将后者紧密环绕,它们根据控制系统所发送的控制信...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾晓雁,魏恺文,王泽敏,朱海红,张虎,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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