一种半导体激光器驱动电路制造技术

本发明专利技术公开一种半导体激光器驱动电路，包括电源输入接口电路、主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路以及电路输出接口。所述电源输入接口电路与主电源电路的外部电源输入端电连接，所述辅助电源电路与电源输入接口电路连接，所述恒流源电路电连接主电源电路、辅助电源电路，所述电路输出接口与主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路电连接。本发明专利技术不仅结构简单，体积小，易于与其它系统集成，而且功率可调，性能稳定可靠，转换效率高，通过散热控制电路实现主动散热，有效降低了电源发热量，保证电源高效率输出；抗干扰强，实际应用中不受外界干扰，不影响系统的电磁辐射环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器电子电路
，尤其涉及一种半导体激光器驱动电路。
技术介绍
半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓、硫化镉、磷化铟、硫化锌等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，其应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。但是，传统半导体激光器的驱动电路目前普遍存在如下不足:一、结构复杂，体积大，导致半导体激光器的体积大，不易携带，与其它系统集成困难；二、功率不可调，不稳定，功率小，散热性能差，转换效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种半导体激光器驱动电路，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案:一种半导体激光器驱动电路，其包括电源输入接口电路、主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路以及电路输出接口 ；所述电源输入接口电路与主电源电路的外部电源输入端电连接，所述辅助电源电路与电源输入接口电路连接，所述恒流源电路电连接主电源电路、辅助电源电路，所述电路输出接口与主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路电连接；所述电源输入接口电路包括两个输入接口，连接外接电源；所述主电源电路包括开关电源芯片、散热控制电路、电源开关电路，开关电源芯片与散热控制电路、电源开关电路电连接；所述恒流源电路包括运算放大器、基准电压源、采样电路和调节电路，所述基准电压源、运算放大器、采样电路、调节电路依次电连接；所述电路输出接口包括四个输出接口。特别地，所述主电源电路包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电位器RPl和开关电源芯片U1，其中，所述电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6均一端连接电源输入接口电路，另一端接地，开关电源芯片Ul的第一 VIN管脚、第二 VIN管脚连接电源输入接口电路，开关电源芯片Ul的第一 AGND管脚、第二 AGND管脚、第三AGND管脚和PGND管脚接地，电阻Rl和电阻R2串联后一端连接开关电源芯片Ul的EN管脚，另一端接地，电阻Rl和电阻R2的公共端连接电阻R4的一端、接线端子XSl的一端，接线端子的另一端连接外部电电源输入接口电路，电阻R4的另一端连接电阻R6的一端与三极管Ql的基极，电阻R6的另一端接地，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的集电极连接端子J3，端子J3的一端连接电路输出接口 ；开关电源芯片Ul的FB管脚连接电阻R3和电阻R5的公共端，开关电源芯片Ul的SS管脚串联电容C7后接地，电容C8、电容C9、电容ClO、电容C11、电容C12均一端连接开关电源芯片Ul的第一 VOUT管脚、第二 VOUT管脚和输出驱动电压端，另一端接地；电阻R3和电阻R5串联后一端连接电位器RPl的一端，另一端接地，电位器RPl的另一端连接输出驱动电压端。特别地，所述恒流源电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电位器RP2、运算放大器U6、电容C28、电容C29、电容C30、电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C35、电容C36、二极管D3、二极管D4、二极管D5、M0S管Q2 ；所述电阻R8、电阻R9、电阻RlO、二极管D3、二极管D4的一端与端子J4的一端、端子J5的一端、输出驱动电压端连接，电阻R8的另一端接地，电阻R9的另一端连接电容C30的一端，电容C30的另一端接地，电阻10的另一端连接电容C31的一端，电容C31的另一端接地，二极管D3的另一端连接二极管D5的一端，二极管D5的另一端接地，二极管D4的另一端连接端子J4、端子J5、MOS管Q2的漏极，MOS管Q2的栅极连接端子XS2、电容C33、电容C34、电阻R15的一端，电容C33、电容C34、电阻R15的另一端接地，端子XS2的另一端与电阻R12串联后连接运算放大器U6的输出端，运算放大器U6的一电源端连接电路输出接口、电容C28、电容C29的一端，电容C28、电容C29的另一端接地，运算放大器U6的另一电源端连接电路输出接口、电容C35、电容C36的一端，电容C35、电容C36的另一端接地，运算放大器U6的同相输入端连接电阻R11、电阻13的一端，电阻R13的另一端与地、电阻R17、电阻R18、电阻R19的一端连接，电阻R17、电阻R18、电阻R19的另一端连接MOS管Q2的源极、电阻R14的一端连接，电阻R14的另一端与电阻R16的一端、运算放大器U6的反相输入端连接，电阻R16的另一端接地。本专利技术提出的半导体激光器驱动电路不仅结构简单，体积小，易于与其它系统集成，而且功率可调，性能稳定可靠，转换效率高，最大电流可达12A，可以形成高亮度激光光斑，通过散热控制电路实现主动散热，有效降低了电源发热量，保证电源高效率输出；抗干扰强，实际应用中不受外界干扰，不影响系统的电磁辐射环境。【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的电源输入接口电路结构图；图2为本专利技术实施例提供的电路输出接口结构图；图3为本专利技术实施例提供的主电源电路结构图；图4为本专利技术实施例提供的辅助电源电路结构图；图5为本专利技术实施例提供的恒流源电路结构图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容，除非另有定义，本文所使用的所有技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，不是旨在于限制本专利技术。本实施例中半导体激光器驱动电路具体包括电源输入接口电路、主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路以及电路输出接口。所述电源输入接口电路与主电源电路的外部电源输入端电连接，所述辅助电源电路与电源输入接口电路连接，所述恒流源电路电连接主电源电路、辅助电源电路，所述电路输出接□与主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路电连接。在本专利技术中电路输入和输出部分采用小尺寸大功率的接口，总共包含两个输入和四个电源输出接口，能够充分满足系统的各种电源需求。如图1所示，在本实施例中所述电源输入接口电路包括两个输入接口，连接外接电源。端子JI的一端接地，另一端通过熔断器Fl连接外接电源VCC36 ;端子J2的一端连接端子J2的一端，另一端接地。如图2所示，本实施例中所述电路输出接口包括四个输出接口。端子Pl的一端接地，另一端连接电源端VDD5 ;端子P2的一端接地，另一端接+12V接口 ；端子P3的一端接地，另一端连接电源端VDD5 ;端子P4的一端接地，另一端连接电源端VDD5。于本实施例中所述主电源电路包括开关电源芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器驱动电路，其特征在于，包括电源输入接口电路、主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路以及电路输出接口；电源输入接口电路与主电源电路的外部电源输入端电连接，辅助电源电路与电源输入接口电路连接，恒流源电路电连接主电源电路、辅助电源电路，电路输出接口与主电源电路、辅助电源电路、恒流源电路电连接；电源输入接口电路包括两个输入接口，连接外接电源；主电源电路包括开关电源芯片、散热控制电路、电源开关电路，开关电源芯片与散热控制电路、电源开关电路电连接；恒流源电路包括运算放大器、基准电压源、采样电路和调节电路，基准电压源、运算放大器、采样电路、调节电路依次电连接；所述电路输出接口包括四个输出接口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韦春雷，李大明，
申请(专利权)人：无锡亮源激光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32