透明导电膜与包含其的电容式触摸屏制造技术

本发明专利技术提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括：指纹亲和层、透明基材层、光学调整层与非结晶ITO层，其中，透明基材层设置在指纹亲和层的表面上；光学调整层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上；非结晶ITO层设置在光学调整层的远离透明基材层的表面上。该透明导电膜的立体纹不明显，抗污耐滑性较好，阻抗较低，成本较低，制备工艺较简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及触摸屏领域，具体而言，设及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸 屏。
技术介绍
现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满 足部分高端客户的需求。 立体纹产生原因主要是因为：（1)IT0层（氧化铜锡层）的蚀刻部分与非蚀刻部分 产生了光学特性差别（包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差），从而产生立体 纹路；（2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现 象，该是因为IT0层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力 较大，尤其是IT0层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致IT0层与透明基材层 及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻 部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。 现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜， 进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在IT0层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体 纹，使得电容式触摸屏不足W满足客户的需求。另外，在制作透明导电膜时，硬化层很容易被污染或划伤，为了解决此问题，现有 技术中在制作透明导电膜时，经常会贴覆耐保护膜来保护硬化层，该样增加了制作透明导 电膜的成本，并且复杂了工艺程序，降低了透明导电膜的生产效率。 因此，亟需一种低立体纹并且无需贴覆保护膜就可W使硬化层抗污耐划的透明导 电膜与电容式触摸屏。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，W解决现 有技术中透明导电膜的抗污耐滑性差、立体纹较明显的问题。[000引为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电 膜包括：指纹亲和层、透明基材层、光学调整层与非结晶IT0层，其中，透明基材层设置在 指纹亲和层的表面上；光学调整层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上；非结晶 IT0设置在光学调整层的远离透明基材层的表面上。进一步地，上述非结晶IT0层（70)中Sn的重量含量为7%~30%，优选为8%~ 20%，更优选为15%。 进一步地，上述非结晶IT0层的厚度在10~100皿之间，优选在15~40皿之间。 进一步地，上述指纹亲和层为丙締酸树脂层；上述指纹亲和层的铅笔硬度在3B~ 4H之间，优选在B~3H之间。 进一步地，上述透明导电膜还包括硬化层，上述硬化层设置在上述透明基材层与 上述光学调整层之间，上述硬化层的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间，进一步 优选上述硬化层的厚度在0. 3~10 y m之间，更进一步优选在0. 5~3. 0 y m之间。 进一步地，上述指纹亲和层的厚度比上述硬化层的厚度大0. 1~5ym，优选大 0. 3 ~1. 5 U m。 进一步地，上述光学调整层还包括；第一光学调整层与第二光学调整层，第一光学 调整层设置在上述透明基材层与上述非结晶IT0层之间，第二光学调整层设置在上述第一 光学调整层与上述非结晶IT0层之间。 进一步地，上述第一光学调整层的折光度1. 55~3. 00之间，优选在1. 60~2. 80 之间；上述第一光学调整层的厚度在5皿~10 ym之间，优选在10皿~5 ym之间。 进一步地，上述第二光学调整层的折光度在1. 10~1.55之间，优选在1.20~ 1. 50之间；上述第二光学调整层的厚度在5~500皿之间，优选在10~300皿之间。 进一步地，上述第一光学调整层选自二氧化铁层、氧化错层与五氧化二魄层中的 一种，优选上述第二光学调整层选自氣化儀层，氣化巧层，冰晶石层，有机氣化物层与二氧 化娃层中的一种。 进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85%，优选上述透明基材层的厚度 在10~500 y m之间，进一步优选在20~200 y m之间。 进一步地，上述透明基材层的厚度在10~500 ym之间，优选在20~200 ym之 间；上述透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 5,垂直于机械运行方向的 收缩率大于0小于等于0.1。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，该电容式触摸屏包括上述的 透明导电膜。 应用本专利技术的技术方案，上述的透明导电膜通过采用非结晶IT0层代替现有技术 中的结晶IT0层，在后期的热处理过程后，非结晶IT0层不会由非结晶态变为结晶态，而是 保持非结晶态，进而使得非结晶IT0层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层 之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电 容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏 设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜中的指 纹亲和层能够抗污染，避免生产过程中各项工艺对其的污染，进而不需要后续再贴覆耐保 护膜来保护指纹亲和层，进一步简化了透明导电膜的制备工艺，进一步降低了生产成本。【附图说明】 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示 意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中： 图1示出了根据本专利技术的本申请一种典型实施方式提供透明导电膜的剖面结构 不意图； 图2示出了本申请一种优选实施例提供的透明导电膜的剖面结构示意图拟及图3示出了本申请另一种优选实施例提供的透明导电膜的剖面结构示意图。【具体实施方式】 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。 本申请提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电膜包括：指纹亲和层10、 透明基材层30、光学调整层50与非结晶IT0层70,其中，透明基材层30设置在上述指纹亲 和层10的表面上；光学调整层50设置在上述透明基材层30的远离上述指纹亲和层10的 表面上；非结晶IT0层70设置在上述光学调整层50的远离上述透明基材层30的表面上。 [002引结晶IT0是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种IT0 ;本专利技术的非 结晶IT0是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种口0。指纹亲和层10是指 不被指纹沾污的结构层。 上述的透明导电膜通过采用非结晶IT0层70代替现有技术中的结晶IT0层，在后 期的热处理过程后，非结晶IT0层70不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，进而 使得非结晶IT0层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大 大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，同时，光学调整层50通过调整其自身 的折射率与厚度，缩小非结晶IT0层70中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的光学特性（透过 及反射）差异，进一步缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式 触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层70的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设 备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工 艺较简单，降低了透明导电膜的生产成品。 上述透明导电膜中的指纹亲和层10能够抗污染，避免生产过程中各项工艺对其 的污染，进而不需要后续再贴覆耐保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：指纹亲和层(10)；透明基材层(30)，设置在所述指纹亲和层(10)的表面上；光学调整层(50)，设置在所述透明基材层(30)的远离所述指纹亲和层(10)的表面上；以及非结晶ITO层(70)，设置在所述光学调整层(50)的远离所述透明基材层(30)的表面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐金龙，张国臻，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32