透明导电膜与包含其的电容式触摸屏制造技术

本发明专利技术提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括：第一硬化层、透明基材层、第二硬化层与非结晶ITO层。其中，透明基材层设置于第一硬化层的表面上，透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1％；第二硬化层设置于透明基材层的远离第一硬化层的表面上；非结晶ITO层设置于第二硬化层的远离透明基材层的表面上。该透明导电膜具有低立体纹、低阻抗、低成本、制备工艺简单等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及触摸屏领域，具体而言，设及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸 屏。
技术介绍
现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满 足部分高端客户的需求 立体纹产生原因主要是因为：（1)IT0层（氧化铜锡层）的蚀刻部分与非蚀刻部分 产生了光学特性差别（包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差），从而产生立体 纹路；（2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现 象，该是因为IT0层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力 较大，尤其是IT0层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致IT0层与透明基材层 及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻 部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。 现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜， 进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在IT0层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体 纹，使得电容式触摸屏不足W满足客户的需求。 因此，亟需一种低立体纹的透明导电膜。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，W解决现 有技术中透明导电膜与包含其的电容式触摸屏的立体纹较严重的问题。 为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电 膜包括：第一硬化层、透明基材层、第二硬化层与非结晶IT0层。其中，上述透明基材层设 置于上述第一硬化层的表面上，上述透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于 0. 5%，垂直于上述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 1% ;第二硬化层设置于上述 透明基材层的远离上述第一硬化层的表面上；非结晶IT0层，设置于上述第二硬化层的远 离上述透明基材层的表面上。 进一步地，上述非结晶IT0层中Sn的重量含量为7%~30%，优选为8%~20%， 更优选为15%。 进一步地，上述非结晶IT0层的厚度在10~100皿之间，优选在15~40皿之间。 进一步地，上述第二硬化层的折射率在1. 59~1. 80之间。 进一步地，上述第二硬化层的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间。 进一步地，上述第二硬化层的厚度在0. 3~10 ym之间，优选在0. 5~3. 0 ym之 间。[001引进一步地，上述第一硬化层（10)的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间。 进一步地，上述第一硬化层的厚度比上述第二硬化层的厚度大0. 1~0. 5 ym。 进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85%，优选上述透明基材层的厚度 在10~500 y m之间，进一步优选在20~200 y m之间。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，该电容式触摸屏包含上述的 透明导电膜。 应用本专利技术的技术方案，透明导电膜通过采用非结晶IT0层代替现有技术中的结 晶IT0层，在后期的热处理过程后，非结晶IT0层不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非 结晶态，使得非结晶IT0层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力 差异大大减小，同时，采用较低收缩率的透明基材层，进一步减小了蚀刻及加热前后各层之 间的应力差异，有效缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触 摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大 型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工艺较 简单，降低了透明导电膜的生产成品。【附图说明】 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示 意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中： 图1示出了根据本专利技术的本申请一种典型实施方式提供透明导电膜的剖面结构 不意图。【具体实施方式】 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。 本申请的一种典型的实施方式提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电 膜包括：第一硬化层10、透明基材层30、第二硬化层50与非结晶IT0层70。其中，上述透 明基材层30设置于上述第一硬化层10的表面上，上述透明基材层30的机械运行方向的收 缩率大于0小于等于0. 5%，垂直于机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 1% ;第二硬 化层50设置于上述透明基材层30的远离上述第一硬化层10的表面上；非结晶IT0层70 设置于上述第二硬化层50的远离上述透明基材层30的表面上。[002引结晶IT0是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种IT0 ;本专利技术的非 结晶IT0是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种口0。 上述的透明导电膜通过采用非结晶IT0层70代替现有技术中的结晶IT0层，在后 期的热处理过程后，非结晶IT0层70不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得 非结晶IT0层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减 小，同时，透明基材层30的机械运行方向（Machine Direction,MD，也称机械拉伸方向）的 收缩率大于0小于等于0.5%，垂直于机械运行方向（Transverse Direction, TD，也称垂直 于机械拉伸方向）的收缩率大于0小于等于0. 1 %，采用较低收缩率的透明基材层30,能够 进一步减小了蚀刻及加热前后各层之间的应力差异，有效缓解了透明导电薄膜的立体纹严 重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层70的阻抗较 低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的 应用；另外，该透明导电膜的制作工艺较简单，降低了透明导电膜的生产成品。 为了使透明导电膜具有更低的立体纹，本申请优选上述非结晶IT0层70中Sn的 重量含量为7%~30%。当非结晶IT0层70中的Sn的重量含量大于7%时，能够进一步 保证IT0不结晶，从而使透明导电膜达到更好的低立体纹效果；当非结晶IT0层70中的Sn 的重量含量小于30%时，非结晶IT0层70的阻抗较小，同时，其透光度较高，提高了透明导 电膜的光学特性。为了进一步保证透明导电薄膜的低立体纹效果与光学特性，本申请进一 步优选非结晶IT0层70中Sn的重量含量为8%~20%，更优选非结晶IT0层70中Sn的 重量含量为15%。[002引本申请的另一种优选的实施例中，上述非结晶IT0层70的厚度在10~100皿之 间，当非结晶IT0层70的厚度大于lOnm时，非结晶IT0层70的阻抗较小，能够更好地满足 透明导电膜对阻抗的要求；当非结晶IT0层70的厚度小于lOOnm时，同样会使透明导电膜 的阻抗较小，并且透明导电膜的外观较好。为了进一步获得阻抗较低且外观较好透明导电 膜，本申请进一步优选上述非结晶IT0层70的厚度在15~40皿。 为了减小刻蚀后刻蚀部分与非刻蚀部分之间产生的光学特性差别（包括可视光 范围内的透过和反射特性的差别），进一步改善透明导电膜的立体纹现象，进而得到更低立 体纹的透明导电膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：第一硬化层(10)；透明基材层(30)，设置在所述第一硬化层(10)的表面上，所述透明基材层(30)的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于所述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1％；第二硬化层(50)，设置在所述透明基材层(30)的远离所述第一硬化层(10)的表面上；以及非结晶ITO层(70)，设置在所述第二硬化层(50)的远离所述透明基材层(30)的表面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐金龙，张国臻，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32