含氧化锆及金属氧化剂的化学机械抛光组合物制造技术

本发明专利技术提供一种化学机械抛光组合物及一种利用该化学机械抛光组合物以化学-机械方式抛光基板的方法。该抛光组合物包括：(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包括氧化锆，(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包括Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及(c)水性载体，其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械抛光组合物不包含过氧型氧化剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利技术背景】用于平坦化或抛光基板表面的组合物及方法是本
中已知。化学机械平坦化或化学机械抛光(CMP)为一种用于平坦化基板的常用技术。CMP利用一种称作CMP组合物或更简单言之称作抛光组合物(亦称为抛光浆液)的化学组合物以自基板移除物质。一般通过使基板表面与饱含抛光组合物的抛光垫(例如，抛光布或抛光盘)接触而将抛光组合物应用至基板。一般可通过抛光组合物的化学活性及/或悬浮在抛光组合物中或并入抛光垫(例如，固定研磨剂抛光垫)中的研磨剂的机械活性进一步助于基板的抛光。常规CMP组合物及方法一般不能完全令人满意地平坦化基板。特定言之，当应用至基板时，CMP抛光组合物及方法可产生较不理想的抛光速率及高表面缺陷率。因为许多基板的性能直接与其表面的平面度有关，因此使用一种产生高抛光效率、选择性、均一性及移除速率并获得具有最少表面缺陷的高品质抛光的CMP组合物及方法非常重要。产生用于半导体晶圆的有效的抛光组合物的困难在于半导体晶圆的复杂性。半导体晶圆一般由其上已经形成数个电晶体的基板组成。通过使基板中的区域及基板上的层图案化而将集成电路以化学及物理方式连接至基板。为制造可操作的半导体晶圆及为使晶圆的产率、性能及可靠性最大化，希望抛光晶圆的所选表面而无不利地影响底部结构或形貌。事实上，若未在晶圆表面上进行充分平坦化处理步骤，则半导体制造中可出现各种问题。CMP组合物通常可包含氧化剂，其可与基板表面反应并使得该表面更容易被机械研磨剂移除。包含过氧化氢的氧化剂已用于此目的，但对某些基板(包括对过氧化物不具有高度反应性的那些)不能提供令人满意的移除速率。例如，有机聚合物材料具有必须在化学机械抛光期间解决的独特的化学及机械特性，包括其在机械上柔软及容易刮擦。然而，相比其机械敏感性，有机聚合物通常具有化学惰性。该化学及机械特性的组合使得有机聚合物介电材料难以利用传统的水基CMP组合物来抛光。有机聚合物材料一般具有1或更大的介电常数及包括具有相对高有机物含量的聚合物、具有低及高有机物含量及高水平孔隙率的聚合物、具有相对低有机物含量的聚合物的基于硅-氧型材料及无机材料的聚合物，或具有该性质的组合的聚合物。相变合金(PCA)为可相对柔软且具有必须在化学机械抛光期间解决的独特特性的基板材料的另一实例。PRAM(相变存取记忆体)装置(亦称作双向记忆体装置)利用相变材料(PCM)，其可在绝缘非晶型与传导性结晶态之间电切换以用于电子记忆应用。适合用于该应用的典型的材料利用元素周期表的各种硫族化物(第VIB族)及第VB族元素(例如，Te、Po及Sb)，并组合In、Ge、Ga、Sn及Ag中的一种或多种，其组合称为相变合金(PCA)。尤其有用的PCA为锗(Ge)-锑(Sb)-碲(Te)合金(GST合金)，诸如具有式Ge2Sb2Te5的合金。该材料可根据加热/冷却状态、温度及时间而可逆地改变物理状态。其他有用的合金包括锑酸铟(InSb)。许多PCA(包括GST及InSb)的物理性质使其相比其他PCM材料柔软。仍需要一种抛光组合物及抛光方法，其将在诸如有机聚合物材料及PCA的基板的抛光及平坦化期间展现所需的平坦化效率、均一性及移除速率，同时在抛光及平坦化期间使诸如表面瑕疵及对底部结构及形貌的损坏的缺陷率最小化。本专利技术提供该抛光组合物及方法。本专利技术的这些优势其他优势以及其他本专利技术的特征将从文中提供的本专利技术的描述中显现。
技术实现思路
本专利技术提供一种化学机械抛光组合物，其包括：(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包括氧化锆，(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包括Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及(c)水性载体，其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械抛光组合物不包含过氧型氧化剂。本专利技术进一步提供一种抛光基板的方法，其包括：(i)提供基板；(ii)提供抛光垫；(iii)提供一种化学机械抛光组合物，其包括：(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包括氧化锆，(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包括Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及(c)水性载体，其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械抛光组合物不包含过氧型氧化剂；(iv)使该基板与该抛光垫及该化学机械抛光组合物接触；及(v)相对该基板移动该抛光垫及该化学机械抛光组合物以磨除至少一部分该基板，从而抛光该基板。【具体实施方式】本专利技术提供一种化学机械抛光组合物，其包括：(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包括氧化锆，(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包括Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及(c)水性载体，其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械抛光组合物不包含过氧型氧化剂。该研磨剂颗粒可以任何适宜浓度存在于该抛光组合物中。例如，该研磨剂颗粒可以0.01重量％或更大，例如，0.025重量％或更大，0.05重量％或更大，0.075重量％或更大，0.1重量％或更大，0.25重量％或更大，0.5重量％或更大，或0.75重量％或更大的浓度存在于该抛光组合物中。或者，或另外，该研磨剂颗粒可以20重量％或更小，例如，15重量％或更小，10重量％或更小，5重量％或更小，3重量％或更小，2重量％或更小，或1重量％或更小的浓度存在于该抛光组合物中。优选地，该研磨剂颗粒以0.5重量％至3重量％的浓度存在于该抛光组合物中。该研磨剂颗粒可为任何适宜的研磨剂颗粒。优选地，该研磨剂颗粒为矾土(例如，氧化铝)、硅石(例如，二氧化硅)、氧化钛(例如，二氧化钛)、铈土(例如，氧化铈)、氧化锆(例如，氧化锆)、锗石(例如，二氧化锗、氧化锗)、镁土(例如，氧化镁)、其共同形成的产物或其组合的金属氧化物研磨剂颗粒。更优选地，该研磨剂颗粒包括氧化锆颗粒。尤其更优选地，该研磨剂颗粒由氧化锆颗粒组成。该金属氧化物颗粒可为任何适宜类型的金属氧化物颗粒，例如热解(fumed)金属氧化物颗粒、沉淀金属氧化物颗粒及缩合-聚合金属氧化物颗粒(例如，胶状金属氧化物颗粒)。该金属氧化物颗粒(尤其氧化锆颗粒)可具有任何适宜的粒度。颗粒的粒度为包含颗粒的最小球体的直径。该金属氧化物颗粒可具有10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包含氧化锆，(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包含Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及(c)水性载体，其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械抛光组合物不包含过氧型氧化剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.30 US 13/754,4131.一种化学机械抛光组合物，其包含：
(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包含氧化锆，
(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包含
Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及
(c)水性载体，
其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械
抛光组合物不包含过氧型氧化剂。
2.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该至少一种金属离子氧化剂
包含Fe3+。
3.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该至少一种金属离子氧化剂
包含Ce4+。
4.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该至少一种金属离子氧化剂
为硝酸铈铵。
5.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该研磨剂颗粒由氧化锆组成。
6.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该研磨剂颗粒以0.5重量％至3
重量％的浓度存在于该化学机械抛光组合物中。
7.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该至少一种金属离子氧化剂
以0.025重量％至0.5重量％的浓度存在于该化学机械抛光组合物中。
8.权利要求1的化学机械抛光组合物，其进一步包含至少一种络合剂。
9.权利要求8的化学机械抛光组合物，其中该至少一种络合剂为单羧酸、
二羧酸、三羧酸或多元羧酸、含胺化合物或单膦酸、二膦酸、三膦酸或多元
膦酸。
10.权利要求9的化学机械抛光组合物，其中该至少一种络合剂为吡啶
甲酸。
11.权利要求1的化学机械抛光组合物，其进一步包含腐蚀抑制剂。
12.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物的
pH在2至3.5的范围内。
13.一种抛光基板的方法，其包括：
(i)提供基板；
(ii)提供抛光垫；
(iii)提供如权利要求1的化学机械抛光组合物；
(iv)使该基板与该抛光垫及该化学机械抛光组合物接触；及
(v)相对该基板移动该抛光垫及该化学机械抛光组合物以磨除该基板的
至少一部分，从而抛光该基板。
14.一种抛光基板的方法，其包括：
(i)提供基板，其中该基板包含有机聚合物膜；
(ii)提供抛光垫；
(iii)提供一种化学机械抛光组合物，其包含：
(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包含氧化锆，
(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包
含Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及
(c)水性载体，
其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械
抛光组合物不包含过氧型氧化剂；
(iv)使该基板与该抛光垫及该化学机械抛光组合物接触；及
(v)相对该基板移动该抛光垫及该化学机械抛光组合物以磨除该基板表
面上的至少一部分有机聚合物膜，从而抛光该基板。
15.权利要求14的方法，其中该有机聚合物膜具有2.5或更大的介电常
数。
16.权利要求14的方法，其中该有机聚合物膜包含杂环有机聚合物膜。
17.权利要求16的方法，其中该杂环有机聚合物膜包含聚苯并噁唑。
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【专利技术属性】
技术研发人员：L付，S格伦宾，M斯滕德，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国;US