一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用技术
本发明专利技术属于电子材料技术领域，特别涉及一种金属纳米线复合透明导电薄膜，该复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。本发明专利技术还涉及上述金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包含制备多糖溶液、取金属纳米线溶液在基底层上刮涂成膜以及将多糖溶液涂覆于金属纳米线薄膜层表面等步骤。本发明专利技术以多糖类物质与金属纳米线薄膜进行复合，在提高了金属纳米线薄膜层与基底层之间的粘附性的同时，保持了金属纳米线薄膜层的导电性，还有利于提高整个金属纳米线复合透明导电薄膜的稳定性。本发明专利技术所提供的金属纳米线复合透明导电薄膜能很好地与光刻工艺兼容，易于制备得到图案化的金属纳米线复合透明导电薄膜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子材料
，特别涉及。
技术介绍
金属纳米线薄膜因其优异的导电性和柔性成为最有可能取代商品化ITO的透明导电薄膜之一。然而，金属纳米线薄膜与基底间较差的粘附性以及自身稳定性等问题限制了其进一步的商业化应用。以银纳米线薄膜为例，常见的提高银纳米线与基底粘附性的方法为:在银纳米线中加入聚合物或在银纳米线薄膜顶层覆盖一层聚合物。此方法简单高效，可有效提高金属纳米线薄膜在基底上的粘附性，但同时由于聚合物本身绝缘，而必然带来银纳米线薄膜导电性的急剧下降。因此寻找一种能行之有效地增强银纳米线薄膜在基底上的粘附性、同时不降低或甚至有利其导电性的技术解决方案，一直是该
悬而未决但同时极具前景的一项研宄工作。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种复合的金属纳米线透明导电薄膜，在该种复合型的透明导电薄膜中，金属纳米线在基底上的粘附性得到显著提高，同时仍具有较好的导电性和稳定性。本专利技术的另一个目的在于提供该种金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法。本专利技术的还一个目的在于提供该种金属纳米线复合透明导电薄膜的一种应用，该种复合透明导电薄膜...
【技术保护点】
一种金属纳米线复合透明导电薄膜，其特征在于，所述复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。
【技术特征摘要】
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