抽气环及沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提出了一种抽气环及沉积设备，所述抽气环包括圆形的环体及设置在环体上的多个抽气孔，抽气环包括快速抽气区域和慢速抽气区域，慢速抽气区域的抽气孔的密度大于快速抽气区域的抽气孔的密度。由于慢速抽气区域的抽气孔的密度大于快速抽气区域的抽气孔的密度，能够改变抽气时气体的分布情况，使气体能够均匀的分布在晶圆的表面。在提出的沉积设备中，将快速抽气区域设置于抽气口正对处，因此在进行抽气时，能够起到平衡气体抽走速率的作用，改善气体在晶圆表面的分布情况，使晶圆沉积的薄膜均匀性保持良好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出了一种抽气环及沉积设备，所述抽气环包括圆形的环体及设置在环体上的多个抽气孔，抽气环包括快速抽气区域和慢速抽气区域，慢速抽气区域的抽气孔的密度大于快速抽气区域的抽气孔的密度。由于慢速抽气区域的抽气孔的密度大于快速抽气区域的抽气孔的密度，能够改变抽气时气体的分布情况，使气体能够均匀的分布在晶圆的表面。在提出的沉积设备中，将快速抽气区域设置于抽气口正对处，因此在进行抽气时，能够起到平衡气体抽走速率的作用，改善气体在晶圆表面的分布情况，使晶圆沉积的薄膜均匀性保持良好。【专利说明】抽气环及沉积设备
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种抽气环及沉积设备。
技术介绍
半导体器件在制造过程中，需要在晶圆上形成不同的薄膜，例如绝缘薄膜(Dielectric film)和金属薄膜(Metal film),以形成最终的半导体器件。 在半导体领域，通常形成薄膜的方式有多种，主要包括原子层沉积(Atomic LayerDeposit1n, ALD)和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)。无论上述哪种方式，在形成薄膜时，均是先将晶圆放置在沉积设备的反应腔室内的加热器上，再对晶圆的表面进行薄膜沉积。通常，沉积设备还包括一抽气泵，用于抽空反应腔室内的残留气体以及反应产生的副产物。反应腔室一侧设有抽气口(Pumping port)，抽气泵是通过管路与反应腔室的抽气口相连通，抽气泵能够通过设在反应腔室一侧的抽气口将反应腔室内的气体抽空。 在晶圆薄膜沉积时或薄膜沉积完毕后，抽气泵会开始进行抽气工作。此时打开抽气口，反应腔室内的气体从抽气口被抽气泵抽走。由于在进行薄膜沉积时，反应腔室内的气体在晶圆表面均匀分布，因而形成的薄膜厚度的均匀性一致，然而，打开抽气口时会使反应腔室内靠近抽气口处的气体迅速被抽走，因此，靠近抽气口处的区域也成为快速抽气区域，反应腔室的其他区域称之为慢速抽气区域。由于快速抽气区域的气体被迅速抽走，慢速抽气区域还未被抽空，因此导致慢速抽气区域还会继续沉积形成薄膜，而快速抽气区域却无法形成薄膜，这就使形成在晶圆表面的薄膜均匀性变差。 在进入28nm节点之后，薄膜均匀性已成为影响半导体器件良率的重要因素之一。上述原因造成的薄膜均匀性差将直接影响半导体器件的良率，因此，本领域人员急需解决抽气造成沉积的薄膜均匀性差的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种抽气环及沉积设备，用于改善抽气时反应腔室内气体在晶圆表面的分别均匀性，进而形成均匀性良好的薄膜。 为了实现上述目的，本技术提出了一种抽气环，包括圆形的环体及设置在所述环体上的多个抽气孔，所述环体包括快速抽气区域和慢速抽气区域，所述快速抽气区域与一反应腔室的抽气口的位置相对应，所述慢速抽气区域的抽气孔的密度大于所述快速抽气区域的抽气孔的密度。 可选的，在所述的抽气环中，所述慢速抽气区域的抽气孔的间距范围是3mm?8mm ο 可选的，在所述的抽气环中，所述快速抽气区域的抽气孔的间距范围是7mm?12mm。 可选的，在所述的抽气环中，所述快速抽气区域和慢速抽气区域的抽气孔的直径范围是2mm?4mmη 本技术还提出了一种沉积设备，包括一侧设有抽气口的反应腔室及设于所述反应腔室内的抽气环，所述抽气环包括快速抽气区域和慢速抽气区域，所述快速抽气区域与一反应腔室的抽气口的位置相对应，所述慢速抽气区域的抽气孔的密度大于所述快速抽气区域的抽气孔的密度。 可选的，在所述的沉积设备中，所述慢速抽气区域的抽气孔的间距范围是3mm?8mm η 可选的，在所述的沉积设备中，所述快速抽气区域的抽气孔的间距范围是7mm?12mm。 可选的，在所述的沉积设备中，所述快速抽气区域和慢速抽气区域的抽气孔的直径范围是2mm?4mm η 可选的，在所述的沉积设备中，还包括设于所述反应腔室内的加热器，所述抽气环围绕所述加热器。 可选的，在所述的沉积设备中，所述快速抽气区域与所述抽气口的大小一致。 与现有技术相比，本技术的有益效果主要体现在:抽气环包括慢速抽气区域和快速抽气区域，由于慢速抽气区域的抽气孔的密度大于快速抽气区域的抽气孔的密度，能够改变抽气时气体的分布情况，使气体能够均匀的分布在晶圆的表面。在提出的沉积设备中，将快速抽气区域设置于抽气口正对处，因此在进行抽气时，能够起到平衡气体抽走速率的作用，改善气体在晶圆表面的分布情况，使晶圆沉积的薄膜均匀性保持良好。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术一实施例中抽气环的立体结构示意图； 图2为本技术一实施例中抽气环的主视图。 【具体实施方式】 下面将结合示意图对本技术的抽气环及沉积设备进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。 请参考图1和图2，在本实施例中提出了一种抽气环，包括圆形的环体10及设置在所述环体10上的多个抽气孔11，所述抽气环包括慢速抽气区域和快速抽气区域20，所述快速抽气区域20与一反应腔室的抽气口的位置相对应，所述慢速抽气区域的抽气孔11的密度大于所述快速抽气区域20的抽气孔11的密度，即所述慢速抽气区域的抽气孔11之间的第一间距LI小于所述快速抽气区域20的抽气孔之间的第二间距L2。 在本实施例中，慢速抽气区域内的抽气孔11的直径相同且均匀排列，即，慢速抽气区域内的抽气孔11的直径和第一间距LI是相同的，这样比较有利于保证同一区域内的抽气均匀；同样，快速抽气区域20内的抽气孔11直径相同且均匀排列，即，快速抽气区域20内的抽气孔11的直径和第二间距L2是相同的。并且，快速抽气区域20内的抽气孔11的直径与慢速抽气区域内的抽气孔11的直径相同。具体的，所述第一间距LI范围是3_?8mm,例如是5mm。所述第二间距L2范围是7mm?12mm,例如是10mm。所述抽气孔11的直径范围是2mm?4mm,例如是3mm。 将所述抽气环除快速抽气区域20之外的部分定义为慢速抽气区域，所述慢速抽气区域由于设置的抽气孔11第一间距LI小，即设置较为密集的抽气孔11，有利于快速排出位于反应腔室与慢速抽气区域接近的气体。由于快速抽气区域20的抽气孔11的第二间距L2较大，即设置较为疏松的抽气孔11，因此快速抽气区域11的抽气速本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抽气环，其特征在于，包括圆形的环体及设置在所述环体上的多个抽气孔，所述环体包括快速抽气区域和慢速抽气区域，所述快速抽气区域与一反应腔室的抽气口的位置相对应，所述慢速抽气区域的抽气孔的密度大于所述快速抽气区域的抽气孔的密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11