本实用新型专利技术公开了一种零温度系数的电流源。零温度系数的电流源包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管，通过调节所述第一电阻R1正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数。利用本实用新型专利技术提供的电流源能够得到零温度系数的电流。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电流源，尤其涉及到零温度系数的电流源。
技术介绍
在集成电路设计中，电流源是很重要的模块，会随着温度变化而变化。
技术实现思路
本技术旨在提供一种零温度系数的电流源。零温度系数的电流源，包括第一运算放大器、第一 NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一 PMOS管和第二 PMOS管:所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻Rl的一端和所述第一 NMOS管的源极，输出端接所述第一 NMOS管的栅极；所述第一 NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻Rl的一端；所述第一电阻Rl的一端接所述第一 NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；所述第一 PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二 PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源VCC ；所述第二 PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的漏极，漏极输出电流12，源极接电源VCC ；所述第一运算放大器和所述第一 NMOS管构成跟随器，所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2之间的电压等于带隙基准电压VREF，所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2上的电流等于基准电压VREF除以所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2两个电阻之和，该电流就是II，然后再通过所述第一 PMOS管镜像电流给所述第二 PMOS管电流产生出12，可以通过调节所述第一 PMOS管的宽长比与所述第二 PMOS管的宽长比的比值进行调节电流12 ;同时也可以通过调节所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2的电阻之和来调节电流12 ;由于带隙基准电压VREF的电压值是通过带隙电路产生出来，与温度无关；同时所述第一电阻Rl采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节所述第一电阻Rl正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数，从而就得到零温度系数的电流12，也即是不随温度变化的电流12。所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2电阻在实际版图上可以互换。【附图说明】图1为本技术的零温度系数的电流源的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。零温度系数的电流源，如图1所示，包括第一运算放大器100、第一 NMOS管200、第一电阻R1、第二电阻R2、第一 PMOS管300和第二 PMOS管400:所述第一运算放大器100的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻Rl的一端和所述第一 NMOS管200的源极，输出端接所述第一 NMOS管200的栅极；所述第一 NMOS管200的栅极接所述第一运算放大器100的输出端，漏极接所述第一 PMOS管300的栅极和漏极和所述第二 PMOS管400的栅极，源极接所述第一运算放大器100的负输入端和所述第一电阻Rl的一端；所述第一电阻Rl的一端接所述第一 NMOS管200的源极和所述第一运算放大器100的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；所述第一 PMOS管300的栅极和漏极接在一起并接所述第二 PMOS管400的栅极和所述第一 NMOS管200的漏极，源极接电源VCC ；所述第二 PMOS管400的栅极接所述第一 PMOS管300的栅极和漏极和所述第一NMOS管200的漏极，漏极输出电流12，源极接电源VCC ；所述第一运算放大器100和所述第一 NMOS管200构成跟随器，所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2之间的电压等于带隙基准电压VREF，所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2上的电流等于基准电压VREF除以所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2两个电阻之和，该电流就是II，然后再通过所述第一 PMOS管300镜像电流给所述第二 PMOS管400电流产生出12，可以通过调节所述第一 PMOS管300的宽长比与所述第二 PMOS管400的宽长比的比值进行调节电流12 ;同时也可以通过调节所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2的电阻之和来调节电流12 ；由于带隙基准电压VREF的电压值是通过带隙电路产生出来，与温度无关；同时所述第一电阻Rl采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节所述第一电阻Rl正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数，从而就得到零温度系数的电流12，也即是不随温度变化的电流12。所述第一电阻Rl和所述第二电阻R2电阻在实际版图上可以互换。【主权项】1.零温度系数的电流源，其特征在于，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一 PMOS管和第二 PMOS管: 所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻Rl的一端和所述第一 NMOS管的源极，输出端接所述第一 NMOS管的栅极； 所述第一 NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻Rl的一端； 所述第一电阻Rl的一端接所述第一 NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地； 所述第一 PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二 PMOS管的栅极和所述第一 NMOS管的漏极，源极接电源VCC; 所述第二 PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的漏极，漏极输出电流12，源极接电源VCC。2.根据权利要求1所述的零温度系数的电流源，其特征在于，所述第一电阻Rl是采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻。【专利摘要】本技术公开了一种零温度系数的电流源。零温度系数的电流源包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管，通过调节所述第一电阻R1正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数。利用本技术提供的电流源能够得到零温度系数的电流。【IPC分类】G05F1/56【公开号】CN204631666【申请号】CN201520140775【专利技术人】齐盛 【申请人】杭州宽福科技有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年3月12日本文档来自技高网...
【技术保护点】
零温度系数的电流源，其特征在于，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管：所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻R1的一端和所述第一NMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻R1的一端；所述第一电阻R1的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极输出电流I2，源极接电源VCC。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：齐盛，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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