【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器制备
,特别涉及一种气相沉积设备。
技术介绍
现有的气相沉积设备因需要避免在背板涂胶区发生成膜现象,需配合使用金属掩膜遮罩在背板与等离子体产生源之间,主要方法为将金属掩膜焊接在不锈钢框架上,再放置到气相沉积设备内使用,但使用铁镍合金的金属掩膜会与真空腔室内的氟离子反应,因此会影响到金属掩膜的使用寿命,现有的做法为将金属掩膜焊接在不锈钢框架上后,一起镀上一层抗等离子体的图布层,再放置到气相沉积设备内使用,但不锈钢框架容易产生形变,容易在背板上产生阴影效应,且不同尺寸的金属掩膜需要配合使用不同尺寸的金属框架,增加了气相沉积设备使用的繁琐性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种气相沉积设备,提高了设备的使用方便性,减少背板上阴影效应的现象的发生。为达到上述目的,本专利技术提供以下技术方案:本专利技术提供了一种气相沉积设备,包括:真空腔室,位于所述真空腔室内的背板、位于背板上方的金属掩膜以及用于支撑所述背板的基座,所述金属掩膜上设有抗等离子体涂布层,还包括:位于所述基座两个相对侧的夹持机构,每个夹持机构用于夹持所述金属掩膜的一端以将所述 ...
【技术保护点】
一种气相沉积设备,包括:真空腔室,位于所述真空腔室内的背板、位于背板上方的金属掩膜以及用于支撑所述背板的基座,所述金属掩膜上设有抗等离子体涂布层,其特征在于,还包括:位于所述基座两个相对侧的夹持机构,每个夹持机构用于夹持所述金属掩膜的一端以将所述金属掩膜拉开,且用于夹持同一金属掩膜的两个夹持机构之间的距离可调;对位系统,用于控制每个夹持机构以设定拉力拉开所述金属掩膜,还用于分别控制每个夹持机构移动以将所述金属掩膜贴合在所述背板的设定位置上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:苏志玮,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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