本发明专利技术公开了一种空心电抗器内部导体绝缘异常和质量缺陷的检验方法，该方法通过对干式空心电抗器进行局部放电测量，记录产生初始局放时的电压值和局放值，通过比对无异常电磁线绕制出电抗器产生局放时的电压值和局放值，根据差异得出干式空心电抗器内部导体是否存在绝缘异常和质量缺陷。本方法可对空心电抗器生产完毕后，对内部导体的绝缘异常和质量缺陷进行有效检测，保证空心电抗器的产品质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检验空心电抗器内部导体绝缘和质量的检验方法。
技术介绍
干式空心电抗器内部导体为电磁线，电磁线异常主要为绝缘异常和质量缺陷，电磁线生产过程中通过涡流探伤和在线耐压对这两种异常进行质量检测，但在实际裸线生产过程中涡流探伤只能检测出细小的尖角或毛刺，在线耐压持续时间为l_3s，部分绝缘异常缺陷也可能检测不出来，当有绝缘异常、导体质量缺陷的电磁线用在电抗器上后，造成电抗器局部放电量增大，加速绝缘损坏过程，影响电抗器的绝缘寿命。故对空心电抗器进行局部放电测量，可有效检测出电磁线绝缘异常、导体质量缺陷，保证电抗器的使用寿命，提升电抗器的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的就是提供提供一种空心电抗器所用绝缘异常和质量缺陷的检验方法，其所米取的方法为: 该空心电抗器所用导体绝缘异常和质量缺陷检验方法的具体步骤如下: (1)对两膜电磁线和四膜电磁线进行局部放电测量，取两根平行放置的电磁线，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异，根据试验数据可得出两膜在4KV时产生局放，四膜在8KV时产生局放，即四膜电磁线产生局放的电压值是两膜电磁线产生局放的电压值的两倍； (2)对四膜完好电磁线和四膜有导体质量缺陷电磁线进行局部放电测量，取两根平行放置的电磁线，一根带有绝缘异常或质量缺陷，一根正常，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根电磁线，记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异，根据试验数据可得出完好电磁线在8KV时产生局放，且局放值要比有缺陷电磁线局放值小10pc ； (3)制作电抗器样机，内部导体为绝缘正常、质量完好的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值U和局放值P ; (4)制作电抗器样机，内部导体为待检测的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值Ul和局方值P1，若Ul < U，则可判断待检测的电磁线有绝缘异常，若Ul=UdSPl > P，则可判断待检测的电磁线有质量缺陷。该方法采用的局部放电测量技术，对电抗器的局部放电进行测量，可对电抗器内包导体绝缘异常、导体质量缺陷进行有效鉴别，具有检测步骤简单、检测结果准确的特点，很好的保证电抗器的使用寿命，提升电抗器的质量。【具体实施方式】该检测方法的具体步骤如下: (I)对两膜电磁线和四膜电磁线进行局部放电测量。取两根平行放置的电磁线，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，通过局部放电综合分析仪记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异。根据试验数据可得出两膜在4KV时产生局放，四膜在8KV时产生局放，即四膜电磁线产生局放的电压值是两膜电磁线产生局放的电压值的两倍。(2)对四膜完好电磁线和四膜有导体质量缺陷电磁线进行局部放电测量。取两根平行放置的电磁线，一根带有某种缺陷，一根正常，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根电磁线，通过局部放电综合分析仪记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异。根据试验数据可得出完好电磁线在8KV时产生局放，且局放值要比有缺陷电磁线局放值小10pc。(3)制作电抗器样机，内部导体为绝缘、质量完好的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值U和局放值P。(4)制作电抗器样机，内部导体为待检测的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值Ul和局方值P1，若Ul < U，则可判断为电磁线有绝缘异常，若Ul=UdSPl > P，则判断为导体出现毛刺等质量缺陷，从而识别出待检测的电磁线是否有绝缘缺陷或导体质量缺陷。【主权项】1.一种，其特征在于具体方法步骤如下: (1)对两膜电磁线和四膜电磁线进行局部放电测量，取两根平行放置的电磁线，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异，根据试验数据可得出两膜在4KV时产生局放，四膜在8KV时产生局放，即四膜电磁线产生局放的电压值是两膜电磁线产生局放的电压值的两倍； (2)对四膜完好电磁线和四膜有导体质量缺陷电磁线进行局部放电测量，取两根平行放置的电磁线，一根带有绝缘异常或质量缺陷，一根正常，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根电磁线，记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异，根据试验数据可得出完好电磁线在8KV时产生局放，且局放值要比有缺陷电磁线局放值小10pc ； (3)制作电抗器样机，内部导体为绝缘正常、质量完好的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值U和局放值P ; (4)制作电抗器样机，内部导体为待检测的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值Ul和局方值P1，若Ul < U，则可判断待检测的电磁线有绝缘异常，若Ul=UdSPl > P，则可判断待检测的电磁线有质量缺陷。【专利摘要】本专利技术公开了一种，该方法通过对干式空心电抗器进行局部放电测量，记录产生初始局放时的电压值和局放值，通过比对无异常电磁线绕制出电抗器产生局放时的电压值和局放值，根据差异得出干式空心电抗器内部导体是否存在绝缘异常和质量缺陷。本方法可对空心电抗器生产完毕后，对内部导体的绝缘异常和质量缺陷进行有效检测，保证空心电抗器的产品质量。【IPC分类】G01R31-12【公开号】CN104865510【申请号】CN201510326824【专利技术人】冯丽, 王同刚, 周广东, 尚基业 【申请人】山东泰开电力电子有限公司【公开日】2015年8月26日【申请日】2015年6月15日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种空心电抗器内部导体绝缘异常和质量缺陷的检验方法，其特征在于具体方法步骤如下：（1）对两膜电磁线和四膜电磁线进行局部放电测量，取两根平行放置的电磁线，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异，根据试验数据可得出两膜在4KV时产生局放，四膜在8KV时产生局放，即四膜电磁线产生局放的电压值是两膜电磁线产生局放的电压值的两倍；（2）对四膜完好电磁线和四膜有导体质量缺陷电磁线进行局部放电测量，取两根平行放置的电磁线，一根带有绝缘异常或质量缺陷，一根正常，两根电磁线用绝缘材料紧紧缠绕在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根电磁线，记录样品起始局放电压和某一电压下局放值之间的差异，根据试验数据可得出完好电磁线在8KV时产生局放，且局放值要比有缺陷电磁线局放值小100pc；（3）制作电抗器样机，内部导体为绝缘正常、质量完好的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值U和局放值P；（4）制作电抗器样机，内部导体为待检测的电磁线，对电抗器样机进行局部放电试验，记录产生初始局部放电时的电压值U1和局方值P1，若U1＜U，则可判断待检测的电磁线有绝缘异常，若U1=U，但P1＞P，则可判断待检测的电磁线有质量缺陷。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯丽，王同刚，周广东，尚基业，
申请(专利权)人：山东泰开电力电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。