半导体器件及有与背面电极直接邻接区的RC‑IGBT制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件及有与背面电极直接邻接区的RC‑IGBT。一种半导体器件，包括在半导体主体中的第一导电类型的漂移区，配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元。第一导电类型的第一区以及互补第二导电类型的第二区和第三区分别在漂移区和背面电极之间。第一、第二和第三区直接邻接背面电极。其中第三区相比于第二区更大且具有较低的平均发射极效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
技术介绍
RC-1GBT (反向导电绝缘栅双极晶体管)单片地集成IGBT和自振荡二极管，当RC-1GBT是正向偏压时，RC-1GBT作为能够在接通和切断在集电极和发射极端子之间的第一方向上流动的电流的电子开关是有效的，其中电流遭受施加给栅极端子和电容性地控制晶体管沟道的栅电势。只要通过晶体管沟道的单极电子电流低于阈值，则RC-1GBT处于晶体管模式，超过所述阈值，沿着P型阳极区跨越Pn结的电压降是足够高的，使得阳极区开始注入空穴到漂移层中，且双极电流以IGBT模式流动。当RC-1GBT是反向偏压时，RC-1GBT以二极管或反向导电模式操作并传导电流与第一方向相反地流动，而不管栅电势。典型地，改善多模半导体器件(例如RC-1GBT)的一个模式的特性不利地影响了另一个模式。期望改善多模半导体器件的器件特性而对其它的器件特性具有较小的不利影响。
技术实现思路
根据一个实施例，半导体器件包括在半导体主体中的第一导电类型的漂移区。可控单元被配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道。第一导电类型的第一区以及互补第二导电类型的第二区和第三区分别形成在漂移区和背面电极之间。第一、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：在半导体主体中的第一导电类型的漂移区；配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元；和第一导电类型的第一区以及互补第二导电类型的第二区和第三区，分别在漂移区和背面电极之间，其中第三区相比于第二区更宽且具有较低的平均发射极效率，并且其中第一、第二和第三区直接邻接背面电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·D·普菲尔施，D·韦伯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE