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本发明涉及半导体器件及有与背面电极直接邻接区的RC‑IGBT。一种半导体器件，包括在半导体主体中的第一导电类型的漂移区，配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元。第一导电类型的第一区以及互补第二导电类型的第二区和第三区分别在漂...
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