过流快速检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了过流快速检测电路，包括门极驱动器、用于防倒灌的第一二极管、浪涌吸收电路、预充电电路和RC充放电电路，第一二极管的负极与IGBT的漏极相连，预充电电路包括电源正端和第一电阻，浪涌吸收电路包括第二电阻和稳压二极管，电源正端依次经第一电阻、第二电阻接入稳压二极管的负极，稳压二极管的正极接地，第一二极管的正极连接于第一电阻和第二电阻之间的连接点，门极驱动器具有用于IGBT过流检测的检测端，稳压二极管的负极经RC充放电电路与该检测端相连。本实用新型专利技术能实现在排除出现过流检测误动作的同时，提高过流响应的速度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及IGBT的检测电路，具体涉及基于门极驱动器的用于IGBT的过流快速检测电路。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘棚双极晶体管)作为一种可快速关断的功率器件，在AC-DC，DC-DC和DC-AC中得到广泛应用。目前IGBT已经发展到第四代技术，使得IGBT的开关速度更快，通态压降更小，体积也相应越来越小。随着IGBT的广泛应用，IGBT的使用寿命越来越受到重视，对IGBT过电流的检测电路也不断在更新。由于IGBT的应用开关速度趋向更高速化，并且受到自身允许的短路时间制约，对IGBT的过电流检测时间也要求越来越快。Vce压降是IGBT不可避免地存在一个弱点，是IGBT损坏的最关键因素。由于Vce不等于零，所以，当电流流过IGBT时，IGBT就会产生热量，在正常的使用情况下，IGBT产生的热量会通过它的散热面散发出去，当IGBT达到一定温度时，它产生热量的速度和散发热量的速度趋于平衡，IGBT的温度就不会再往上升高。如果这时IGBT的温度在它允许的温度范围内，它就可以安全使用。当不可预期的大电流流过IGBT时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
过流快速检测电路，其特征在于：包括门极驱动器、用于防倒灌的第一二极管、浪涌吸收电路、预充电电路和RC充放电电路，第一二极管的负极与IGBT的漏极相连，预充电电路包括电源正端和第一电阻，浪涌吸收电路包括第二电阻和稳压二极管，电源正端依次经第一电阻、第二电阻接入稳压二极管的负极，稳压二极管的正极接地，第一二极管的正极连接于第一电阻和第二电阻之间的连接点，门极驱动器具有用于IGBT过流检测的检测端，稳压二极管的负极经RC充放电电路与该检测端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄步海，罗蜂，潘世高，
申请(专利权)人：佛山市柏克新能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44