化学机械抛光组合物以及用于抑制多晶硅移除速率的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请是中国专利技术申请（专利技术名称：化学机械抛光组合物以及用于抑制多晶硅移 除速率的方法，申请日：2010年6月18日；【申请号】201080037234. 3)的分案申请。
本专利技术涉及化学机械抛光（CMP)组合物及方法。更具体地说，本专利技术涉及用于抛 光半导体基材同时抑制多晶硅从该基材移除的方法。
技术介绍
用于对基材表面进行化学机械抛光的组合物及方法是本领域公知的。用于半导体 基材（例如集成电路）的表面的CMP的抛光组合物（也称为抛光浆料、CMP浆料及CMP组 合物）典型地包含研磨剂、各种添加剂化合物等。 通常，CMP涉及表面的同时发生的化学研磨和机械研磨，例如，上覆第一层的研 磨以暴露该第一层形成于其上的不在同一平面上（non-planar)的第二层的表面。一种 这样的方法描述于Beyer等人的美国专利No. 4, 789, 648中。简言之，Beyer等人公开了 使用抛光垫和浆料以比第二层快的速率移除第一层直到材料的上覆第一层的表面变成与 被覆盖的第二层的上表面共面的CMP方法。化学机械抛光的更详细的说明参见美国专利 No....
【技术保护点】
用于抛光含氮化硅的基材同时抑制多晶硅从该基材移除的化学机械抛光组合物，该组合物包含0.01至15重量％的悬浮于含有10至10000ppm表面活性剂的含水载体中的研磨剂颗粒、以及有机或无机盐添加剂，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合，其中该含水载体具有1‑4的pH。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K摩根伯格，W沃德，MS蔡，F德里格塞萨索罗，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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