电路装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电路装置以及电子设备。为了抑制由基板电位的变动造成的对电路动作的恶劣影响，电路装置包括：电桥电路，其具有高压侧的晶体管和低压侧的晶体管；检测电路，其对流至所述电桥电路的电流进行检测；控制电路，其实施电桥电路的导通或断开控制；保护区域，其被设置于高压侧的晶体管以及低压侧的晶体管与检测电路之间，并用于将电路装置的基板PSB设定为基板电位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路装置以及电子设备等。
技术介绍
作为对直流电机进行驱动的电机驱动，已知有通过控制截断电流而对电机的驱动进行控制的方法。在该方法中，通过由检测电阻对流至H电桥电路的电流进行电流/电压转换并对所得到的电压与基准电压进行比较，从而对截断电流进行检测。而且，通过将该检测结果反馈至控制电路并对电桥电路的驱动信号进行PWM控制，从而使电机以固定的速度旋转。作为这种电机驱动的现有技术，已知有专利文献1、2所公开的技术。该电机驱动的电桥电路具有驱动用的第一晶体管?第四晶体管(开关元件)，第一晶体管、第四晶体管与第二晶体管、第三晶体管相对于电机而被对角电连接。而且，在充电期间内，第一晶体管、第四晶体管导通。由此，电机的正极侧端子(+端子)被设定为高电位的电压，负极侧端子(_端子)被设定为低电位的电压。另一方面，在衰减期间内，第二晶体管、第三晶体管导通。由此，电机的正极侧端子被设定为低电位的电压，负极侧端子被设定为高电位的电压。在这种电机驱动等的电路装置中，由于通过电桥电路中的开关动作而使电流的导通或断开被反复进行，因此存在基板电位发生变动的课题。该基板电位的变动可能给被构成于该基板上的其他电路的动作带来恶劣影响。例如，在电机驱动中，由于在为了驱动电机而需要大电流的基础上，通过截断动作而使电流的导通或断开被反复进行，因此基板电位将发生变动。由此，由于被形成于基板上的检测电路受到了基板电位发生的变动的恶劣影响，因此将发生截断电流的检测结果产生不均匀，以固定方式进行控制的电机的转速的精度等下降的问题。专利文献1:日本特开2003-189683号公报专利文献2:日本特开2008-042975号公报
技术实现思路
根据本专利技术的几个方式，本专利技术能够提供一种能够对由基板电位的变动造成的对电路动作的恶劣影响进行抑制的电路装置以及电子设备等。本专利技术的一个方式涉及一种电路装置，其包括:电桥电路，其具有高压侧的晶体管和低压侧的晶体管；检测电路，其对流至所述电桥电路的电流进行检测；控制电路，其根据所述检测电路中的检测结果，来实施所述高压侧的晶体管以及所述低压侧的晶体管的导通或断开控制；保护区域，其被设置于所述高压侧的晶体管以及所述低压侧的晶体管与所述检测电路之间，并用于将电路装置的基板设定为基板电位。在本专利技术的一个方式中，通过检测电路来检测流至电桥电路的电流，并根据该检测结果，而通过控制电路来对电桥电路的高压侧的晶体管以及低压侧的晶体管实施导通或断开控制。而且，在高压侧的晶体管以及低压侧的晶体管与检测电路之间，设置有用于将基板设定为基板电位的保护区域。因此，在高压侧的晶体管或低压侧的晶体管的区域中，通过对这些晶体管实施导通或断开控制，从而在产生了使基板电位变动的噪声的情况下，能够抑制该噪声传递至检测电路的区域而使恶劣影响波及到检测电路的电路动作的情况。因此，能够提供一种可抑制由基板电位的变动造成的对电路动作的恶劣影响的电路装置等。另外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述保护区域具有:第一导电型的埋入层，其被形成于第一导电型的所述基板上；第一导电型的阱，其被形成于第一导电型的所述埋入层之上；第一导电型的杂质层，其被形成于第一导电型的所述阱之上。如果采用这种方式，则通过在离开基板表面的深度方向上形成的第一导电型的阱和第一导电型的埋入层，而能够将基板设定为基板电位。因此，能够实现离基板表面较深的位置处的基板电位的稳定化，并能够提高保护区域的噪声吸收或阻断功能。此外，在本专利技术的一个方式中，可以为，第一导电型的所述阱为对外延层导入有第一导电型的杂质而形成的层。如果采用这种方式，则例如通过在第一导电型的埋入层上使外延层生长并将第一导电型的杂质导入该外延层中，从而能够形成第一导电型的阱。而且，经由第一导电型的杂质层和第一导电型的阱，能够向第一导电型的埋入层供给基板电位。另外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述高压侧的晶体管和所述低压侧的晶体管为DMOS结构的晶体管。如此，作为高压侧的晶体管和低压侧的晶体管，通过使用DMOS结构的晶体管，从而能够提尚晶体管的耐压，并能够进彳丁由电桥电路实施的尚电压下的驱动对象的驱动。而且，虽然如此在驱动电压升高了的情况下，有可能使因高压侧、低压侧的晶体管的高电压下的导通或断开动作而产生的噪声的电位变动变大，但通过设置保护区域也能够有效地抑制这种较大的电位变动的噪声。另外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述DMOS结构的晶体管被形成于第二导电型的埋入层之上，所述第二导电型的埋入层被形成于第一导电型的所述基板上。如此，通过在第一导电型的基板上形成第二导电型的埋入层，并在其上形成DMOS结构的晶体管，从而能够实现高耐压的DMOS结构的晶体管。另外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述保护区域具有第一导电型的埋入层。如果采用这种方式，则能够使DMOS结构的晶体管的与第二导电型的埋入层相对应的第一导电型的埋入层形成为保护区域。由此，例如能够使离基板表面的保护区域的深度距离与DMOS结构的深度距离相等，从而能够提高保护区域的噪声吸收或阻断功能。此外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述DMOS结构的晶体管被形成于第二导电型的深阱上，所述第二导电型的深阱在第二导电型的埋入层之上通过外延层而形成。如果采用这种方式，则通过在第二导电型的埋入层上形成外延层并向该外延层导入第二导电型的杂质，从而能够实现用于形成DMOS结构的晶体管的第二导电型的深阱。此外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述保护区域具有:第一导电型的埋入层；第一导电型的阱，其在第一导电型的所述埋入层之上通过外延层而形成；第一导电型的杂质层，其被形成于第一导电型的所述阱上。如果采用这种方式，则能够与DMOS结构的晶体管的第二导电型的埋入层、第二导电型的深阱相对应，在保护区域中形成第一导电型的埋入层、第一导电型的阱。因此，通过有效的制造工艺而能够形成离基板表面的深度距离较深的保护区域。此外，在本专利技术的一个方式中，可以为，具有第二保护区域，所述第二保护区域被设置于所述高压侧的晶体管与所述低压侧的晶体管之间，并用于将所述基板设定为所述基板电位。如果采用这种方式，则例如在低压侧的晶体管中产生了噪声的情况下，能够通过在与保护区域相比离低压侧的晶体管较近的位置上形成的第二保护区域，来有效地吸收或阻断该噪声。此外，在本专利技术的一个方式中，可以为，所述电桥电路的所述低压侧的晶体管和所述高压侧的晶体管为，在P型的所述基板上的第一 N型埋入层之上形成的DMOS结构的晶体管，所述检测电路通过在与所述第一 N型埋入层分离的第二 N型埋入层之上形成的CMOS结构的晶体管而被构成。如果采用这种方式，在与第一 N型埋入层分离的第二 N型埋入层之上形成有由CMOS结构的晶体管构成的检测电路，并且检测电路通过第二 N型埋入层而与P型的基板隔离。由此，能够进一步切实地抑制通过低压侧晶体管或高压侧晶体管而产生的噪声被传递至检测电路从而使恶劣影响波及到电路动作的情况。此外，本专利技术其他方式涉及一种包含上述的任一方式所述的电路装置的电子设备。【附图说明】图1为本实施方式的电路装置的电路结构例。图2(A)、图2(B)为电桥电路的动作说明图。图3为使用了检测电阻的截断动作的控制方法的说明图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路装置，其特征在于，包括：电桥电路，其具有高压侧的晶体管和低压侧的晶体管；检测电路，其对流至所述电桥电路的电流进行检测；控制电路，其根据所述检测电路中的检测结果，来实施所述高压侧的晶体管以及所述低压侧的晶体管的导通或断开控制；保护区域，其被设置于所述高压侧的晶体管以及所述低压侧的晶体管与所述检测电路之间，并用于将电路装置的基板设定为基板电位。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：守屋勇，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP