【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种源极抬高电压使用的高压LDMOS器件，其特征是，所述LDMOS被一个碗状的隔离环所包围；所述隔离环包括在p型衬底与n型外延层的交界面的n型埋层和p型埋层、p型埋层上方的p阱；n型埋层与p型埋层的侧面不接触，两者具有一定距离，从而提高了n型埋层与p型埋层之间的耐压；所述p型埋层与漏极在垂直方向上至少部分重叠，从而令p型埋层对漏极生成降低表面电场作用以提升漏极对源极的耐压；所述n型埋层在源极和体区引出端的正下方，从而对源极和体区引出端对p型衬底进行高压隔离。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：乐薇，邢军军，杨文清，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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