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本申请公开了一种源极抬高电压使用的高压LDMOS器件，在p型衬底与n型外延层的交界面具有n型埋层和p型埋层；n型埋层与p型埋层的侧面不接触，两者具有一定距离，从而提高了n型埋层与p型埋层之间的耐压；所述p型埋层与漏极在垂直方向上至少部分重叠...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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