本实用新型专利技术提供了一种永磁机构控制装置分合闸驱动隔离模块，包括：隔离电路、推挽输出电路、驱动电路、储能电容C69；所述隔离电路的输出端与推挽电路的输入端相连，所述推挽输出电路的输出端与驱动电路的输入端相连，所述驱动电路的输出端接储能电容的一端，所述储能电容的另一端连接电阻R83的一端，电阻R83的另一端构成分合闸线圈连接端。本实用新型专利技术能够有效地隔离外界的信号干扰，大大提升永磁开关的抗干扰能力，且能够显著地延长永磁开关的使用寿命，并增加整个开关的可靠性，应用本实用新型专利技术的永磁开关控制机构提升了开关的速率、抗干扰性以及可靠性，并且延长了其使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及永磁机构控制装置，具体地，涉及一种永磁机构控制装置分合闸驱动隔离模块。
技术介绍
永磁开关的核心是永磁机构，永磁机构的最大特点是机械结构简单，零件少，比弹簧机构大大调高了可靠性。但传统对分、合闸线圈进行切换一般通过直流接触器实现，而这种直流接触器控制速度慢、精度低、可靠性差，这些都大大阻碍了永磁的发展。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种永磁机构控制装置分合闸驱动隔离模块。根据本技术提供的一种永磁机构控制装置分合闸驱动隔离模块，包括:隔离电路、推挽输出电路、驱动电路、储能电容C69、电阻R83、二极管D6 ;所述隔离电路、推挽输出电路、驱动电路依次连接，所述驱动电路的输出端接储能电容C69的负极、二极管D6的正极，所述储能电容C69的正极、二极管D6的负极连接电阻R83的一端，电阻R83的另一端构成分合闸线圈连接端。优选地，所述推挽输出电路包括NPN三极管Y1-6、PNP三极管Y2-3、电阻R84、电阻R93，且所述NPN三极管Υ1-6和PNP三极管Υ2-3串联，其中:ΝΡΝ三极管Υ1-6的集电极构成所述推挽输出电路的第一输入端，NPN三极管Υ1-6的基极构成所述推挽输出电路的第二输入端，NPN三极管Υ1-6的发射极连接电阻R84的一端，电阻R84的另一端构成所述推挽输出电路的第一输出端；且所述NPN三极管Υ1-6的发射极连接PNP三极管Υ2-3的发射极并构成所述推挽输出电路的第二输出端，所述PNP三极管Υ2-3的基极构成所述推挽输出电路的第三输入端，所述PNP三极管Υ2-3的基极连接电阻R97的一端，电阻R97的另一端构成所述推挽输出电路的第四输入端，且所述PNP三极管Υ2-3的集电极也连接至所述推挽输出电路的第四输入端。优选地，所述隔离电路包括第一光耦TF12、第二光耦TF9、第三光耦TF11、电阻R92、电阻R85、电阻93，其中:所述第一光耦TF12的正极输入端通过电阻R92连接至高电平输入接口，第一光耦TF12的负极输入端构成隔离电路的第一输入端；所述第一光耦TF12的正极输出端连接至所述推挽输出电路的第一输入端，第一光親TF12的负极输出端连接至所述推挽输出电路的第二输入端；所述第二光親TF9的正极输入端连接所述推挽输出电路的第一输出端，第二光親TF9的负极输入端接地；所述第二光耦TF9的正极输出端通过电阻R85连接至高电平输入接口，且第二光耦TF9的正极输出端通过电容C70接地，所述第二光耦TF9的负极输出端接地；所述第三光耦TFll的正极输入端通过电阻R93连接至高电平输入接口，第三光耦TFll的负极输入端构成隔离电路的第二输入端；所述第三光耦TFll的正极输出端连接至所述推挽输出电路的第三输入端，第三光耦TFll的负极输出端连接至所述推挽输出电路的第四输入端。优选地，所述驱动电路包括双向瞬态抑制二极管TVS10、绝缘栅双极型晶体管12、电容C66、电阻R89，其中，绝缘栅双极型晶体管12的门极连接所述推挽输出电路的第二输出端，且所述绝缘栅双极型晶体管12的门极分别通过双向瞬态抑制二极管TVSlO和电阻R89连接至所述推挽输出电路的第四输入端；所述绝缘栅双极型晶体管12的发射极也连接至所述推挽输出电路的第四输入端，且所述绝缘栅双极型晶体管12的集电极通过电容C66连接至所述推挽输出电路的第四输入端。优选地，所述储能电容C69与二极管D6并联，且储能电容C69的正极和二极管D6的负极均连接至所述推挽输出电路的第一输入端；所述储能电容C69的负极和二极管D6的正极均连接至所述推挽输出电路的第四输入端。优选地，所述述第一光耦TF12、第二光耦TF9、第三光耦TFll的型号为TLP781。优选地，所述驱动电路的绝缘栅双极型晶体管12的型号为GL160N60。与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果:1、通过隔离电路能够有效地隔离外界的信号干扰，大大提升永磁开关的抗干扰能力。2、本技术可以显著地延长永磁开关的使用寿命，并增加整个开关的可靠性。3、应用本技术的永磁机构，开关速度快，精度高，损耗低。【附图说明】通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1为本技术的电路原理图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本技术，但不以任何形式限制本技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本技术的保护范围。如图1所示为本技术的电路原理图。根据本技术提供的一种永磁机构控制装置分合闸驱动隔离模块，包括:隔离电路、推挽输出电路、驱动电路、储能电容C69、电阻R83、二极管D6 ;所述隔离电路、推挽输出电路、驱动电路依次连接，所述驱动电路的输出端接储能电容C69的负极、二极管D6的正极，所述储能电容C69的正极、二极管D6的负极连接电阻R83的一端，电阻R83的另一端构成分合闸线圈连接端。所述推挽输出电路包括NPN三极管Y1-6、PNP三极管Y2-3、电阻R84、电阻R93，且所述NPN三极管Y1-6和PNP三极管Y2-3串联，其中:NPN三极管Y1-6的集电极构成所述推挽输出电路的第一输入端，NPN三极管Y1-6的基极构成所述推挽输出电路的第二输入端，NPN三极管Y1-6的发射极连接电阻R84的一端，电阻R84的另一端构成所述推挽输出电路的第一输出端；且所述NPN三极管Y1-6的发射极连接PNP三极管Y2-3的发射极并构成所述推挽输出电路的第二输出端，所述PNP三极管Y2-3的基极构成所述推挽输出电路的第三输入端，所述PNP三极管Y2-3的基极连接电阻R97的一端，电阻R97的另一端构成所述推挽输出电路的第四输入端，且所述PNP三极管Y2-3的集电极也连接至所述推挽输出电路的第四输入端。所述隔离电路包括第一光耦TF12、第二光耦TF9、第三光耦TFl1、电阻R92、电阻R85、电阻93，其中:所述第一光耦TF12的正极输入端通过电阻R92连接至高电平输入接口，第一光耦TF12的负极输入端构成隔离电路的第一输入端；所述第一光耦TF12的正极输出端连接至所述推挽输出电路的第一输入端，第一光親TF12的负极输出端连接至所述推挽输出电路的第二输入端；所述第二光親TF9的正极输入端连接所述推挽输出电路的第一输出端，第二光親TF9的负极输入端接地；所述第二光耦TF9的正极输出端通过电阻R85连接至高电平输入接口，且第二光耦TF9的正极输出端通过电容C70接地，所述第二光耦TF9的负极输出端接地；所述第三光耦TFll的正极输入端通过电当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种永磁机构控制装置分合闸驱动隔离模块，其特征在于，包括：隔离电路、推挽输出电路、驱动电路、储能电容C69、电阻R83、二极管D6；所述隔离电路、推挽输出电路、驱动电路依次连接，所述驱动电路的输出端接储能电容C69的负极、二极管D6的正极，所述储能电容C69的正极、二极管D6的负极连接电阻R83的一端，电阻R83的另一端构成分合闸线圈连接端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡敏，
申请(专利权)人：上海博易莱电气有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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