提高光耦输出速度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高光耦输出速度的方法，所述方法包括以下步骤：在光耦光接收部分的光敏二极管与地之间增加分流支路；在光耦信号放大部分的第一晶体管发射极与地之间增加限压支路；在分流支路和限压支路之间增加放电支路。本发明专利技术通过在光耦的输出端光敏芯片中增加分流支路、限压支路以及放电支路，能够使第一晶体管迅速脱离深度饱和状态，加速第一晶体管的结电容放电，在输出负载电阻恒定时，大大提高了光耦的输出速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件
，特别是一种用于。
技术介绍
光親为光親合器、光电隔离器的简称，是以光为媒介传输电信号，对输入电信号和输出电信号具有良好的隔离作用，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高，因此在电路中得到广泛应用。光耦一般由三部分组成:光的发射、光的接收以及信号的放大，输入电信号驱动发光二极管，使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。普通晶体管光親的电气原理如图1所不，EM为输入端芯片，S卩光发射部分，光敏二极管ro与晶体管Tl构成输出端光敏芯片，其中光敏二极管ro为光接收部分，晶体管Tl为信号放大部分，&为输出负载电阻，阻值范围为100~5.1kQ。普通晶体管光耦工作过程中，由于晶体管Tl的be两端的结电容通过晶体管Tl放大使得Tl的ce端产生大于be端数百倍的电容，从而使得晶体管Tl导通后即处于深度饱和状态，而晶体管Tl的截止时间不仅取决于负载电阻&，还取决于ce端电容的放电速度，因此当负载电阻&一定、晶体管Tl处于深度饱和状态时，ce端电容的放电速度则很慢，也就造成了晶体管Tl的开关速度越低。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种在负载电阻恒定时、提高光耦输出速率的方法。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案如下。，所述方法包括以下步骤: A.在光耦光接收部分的光敏二极管ro与地之间增加分流支路； B.在光耦信号放大部分的第一晶体管Tl发射极与地之间增加限压支路； C.在分流支路和限压支路之间增加放电支路。一种，所述光耦的光接收部分和信号放大部分增加第二晶体管T2和二极管D ;所述第二晶体管T2的集电极分别与光敏二极管ro的正极和第一晶体管Tl的基极连接，第二晶体管T2的发射极接地，第二晶体管T2的基极连接第一晶体管Tl的发射极；所述二极管D的正极连接第一晶体管Tl发射极，二极管D的负极接地。由于采用了以上技术方案，本专利技术所取得技术进步如下。本专利技术通过在光耦的输出端光敏芯片中增加分流支路、限压支路以及放电支路，能够使第一晶体管迅速脱离深度饱和状态，加速第一晶体管的结电容放电，降低了第一晶体管的be端结电容作用，在输出负载电阻恒定时，大大提高了光耦的输出速率。【附图说明】图1为本普通光耦的电气原理图； 图2为实施例1的电路图。【具体实施方式】为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行详细的说明。应当说明的是，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。普通晶体管光耦包括光发射部分、光接收部分以及信号放大部分，光发射部分为输入端芯片，光接收部分和信号放大部分为输出端光敏芯片。输出端光敏芯片包括光敏二极管ro、第一晶体管Ti以及输出负载电阻&，其中光敏二极管ro的正极与第一晶体管Ti的基极连接，光敏二极管ro的负极连接第一晶体管Ti的集电极，第一晶体管Ti的发射极接地；第一晶体管Tl的集电极还经输出负载电阻&连接电源。为提高普通晶体管光耦的输出速度，本专利技术在光耦光接收部分的光敏二极管ro与地之间增加分流支路、在光耦信号放大部分的第一晶体管Tl发射极与地之间增加限压支路、在分流支路和限压支路之间增加放电支路。实施例1 具体通过以下步骤实现:在光耦的光接收部分和信号放大部分增加第二晶体管T2和二极管D，如图2所示。其中第二晶体管T2的集电极分别与光敏二极管H)的正极和第一晶体管Tl的基极连接，第二晶体管T2的发射极接地，形成分流支路；第二晶体管T2的基极连接第一晶体管Tl的发射极，形成放电支路；二极管D的正极连接第一晶体管Tl发射极，二极管D的负极接地，形成限压支路。本实施例在工作过程中，当普光耦的光发射部分发光时，光敏二极管ro感光产生10~30 μ A的光敏电流，光敏二极管ro的光敏电流在触发第一晶体管Tl基极使第一晶体管Tl导通的同时，第二晶体管T2也会有5~20 μΑ的电流Ic2流过。由于第一晶体管Tl和二极管D的同时作用，可使第一晶体管Tl脱离深度饱和状态，并使第一晶体管Tl的be端结电容电流通过第二晶体管T2的ce端放电，降低了第一晶体管Tl的be端结电容作用，加快了输出速率。在本实施例中，当输出负载电阻&取值1.9 Ι?Ω时，光耦的工作频率可达100kHz，大大高于使用本专利技术方法以前普通光耦的输出速度。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用于限制本专利技术，分流支路、限压支路以及放电支路还可以是其他元器件构成的电路结构。因此凡在本专利技术的原则和精神之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均就包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.，其特征在于，所述方法包括以下步骤: A.在光耦光接收部分的光敏二极管ro与地之间增加分流支路； B.在光耦信号放大部分的第一晶体管Tl发射极与地之间增加限压支路； C.在分流支路和限压支路之间增加放电支路。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述光耦的光接收部分和信号放大部分增加第二晶体管T2和二极管D ;所述第二晶体管T2的集电极分别与光敏二极管H)的正极和第一晶体管Tl的基极连接，第二晶体管T2的发射极接地，第二晶体管T2的基极连接第一晶体管Tl的发射极；所述二极管D的正极连接第一晶体管Tl发射极，二极管D的负极接地。【专利摘要】本专利技术公开了一种，所述方法包括以下步骤：在光耦光接收部分的光敏二极管与地之间增加分流支路；在光耦信号放大部分的第一晶体管发射极与地之间增加限压支路；在分流支路和限压支路之间增加放电支路。本专利技术通过在光耦的输出端光敏芯片中增加分流支路、限压支路以及放电支路，能够使第一晶体管迅速脱离深度饱和状态，加速第一晶体管的结电容放电，在输出负载电阻恒定时，大大提高了光耦的输出速率。【IPC分类】H03K19-14【公开号】CN104821818【申请号】CN201510276704【专利技术人】沈震强 【申请人】沈震强【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年5月27日本文档来自技高网...

【技术保护点】
提高光耦输出速度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A.在光耦光接收部分的光敏二极管PD与地之间增加分流支路；B.在光耦信号放大部分的第一晶体管T1发射极与地之间增加限压支路；C.在分流支路和限压支路之间增加放电支路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈震强，
申请(专利权)人：沈震强，
类型：发明
国别省市：江苏;32