本实用新型公开了一种提高光耦可靠性的封装结构，包括并列对位安放在壳体内输入端框架和输出端框架，所述输入端框架和输出端框架上分别粘接有输入端芯片和输出端芯片，输入端芯片和输出端芯片上均焊接有焊接金线；所述输入端芯片和输入端芯片焊接金线外包...

本发明公开了一种提高光耦可靠性的封装结构及封装工艺，所述封装工艺具体包括：耦合对准并装架、焊接、包封输入端和输出端、设置高压阻断层以及模压的步骤，其中高压阻断层设置在输入端透明硅胶层和输出端透明硅胶层之间，模压料填充在输入端透明硅胶层、...

本发明公开了一种提高光耦输出速度的方法，所述方法包括以下步骤：在光耦光接收部分的光敏二极管与地之间增加分流支路；在光耦信号放大部分的第一晶体管发射极与地之间增加限压支路；在分流支路和限压支路之间增加放电支路。本发明通过在光耦的输出端光敏...

本实用新型公开了一种高速率光耦集成芯片，光耦包括光发射部分、光接收部分以及信号放大部分，所述光耦的光接收部分和信号放大部分增加第二晶体管T2和二极管D；所述第二晶体管T2的集电极分别与光敏二极管PD的正极和第一晶体管T1的基极连接，第二...

本实用新型公开了一种光耦封装结构，包括外塑封体，外塑封体内设置有四个导电支架，第一导电支架安装有红外发射芯片；第三导电支架安装有输出光敏芯片；所述四个导电支架的周围设置有框型绝缘透明内支架，框型绝缘透明内支架内设置有中间绝缘隔离层，所述...

本实用新型公开了一种多芯片焊接结构，包括安装在导电支架上的多个芯片，所述芯片安装较少的导电支架上设置有用于通过导线转接各芯片的焊接岛。本实用新型通过在芯片较少的导电支架上设置焊接岛，通过焊接岛对多芯片之间重复焊接进行转接，在保证接线牢固...

本发明公开了一种光耦封装结构，包括外塑封体，外塑封体内设置有四个导电支架，第一导电支架安装有红外发射芯片；第三导电支架安装有输出光敏芯片；所述四个导电支架的周围设置有框型绝缘透明内支架，框型绝缘透明内支架内设置有中间绝缘隔离层，所述中间...

一种集成有两个双向可控硅芯片的光电耦合器，通过在一个原有的双向可控硅光电耦合器的框架上封装两个双向可控硅光电耦合器的输出芯片并在这个框架上将它们串联起来，制造出一种高性能的提高单个光电耦合器输出端芯片耐高压指标的产品。

一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法，通过在一个原有的双向可控硅光电耦合器的框架上封装两个双向可控硅光电耦合器的输出芯片并在这个框架上将它们串联起来，制造出一种高性能的提高单个光电耦合器输出端芯片耐高压指标的产品。

本发明涉及光电耦合器产品封装结构，该结构在输入端支架上安装反射镜，提高了光电耦合器内部传输效率，尤其适用于要求高放大倍数和低能耗的光电耦合器产品。

本发明涉及光电耦合器产品封装结构，该垂直结构利用产品长度提供的空间增加内部绝缘距离，提供了一种增加光耦产品内部绝缘距离的解决方案，尤其适用于高耐压的小型贴片封装光电耦合器。