开关装置、通信装置以及用于处理载体的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及开关装置、通信装置以及用于处理载体的方法。根据各种实施例，开关装置可包括：天线端子；开关，其包括第一开关端子和第二开关端子，该第一开关端子被耦合到天线端子，该开关包括至少一个晶体管，其位于硅区上或硅区中的至少之一，该硅区包括小于约3×1017原子每立方厘米的氧杂质浓度；以及收发器端子，其被耦合到第二开关端子，其中该收发器端子进行以下中的至少一个：被配置为提供经由天线端子接收的信号，或者被配置为接收将经由天线端子发送的信号。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例一般地涉及。
技术介绍
一般情况下，电子装置(例如晶体管、二极管，集成电路等)可以在处理直流电流(DC)方面是非常有效的。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以被用于切换电子信号。无源RF部件(例如布线结构或线圈)可能需要具有高电阻率的载体。此外，一直做出巨大努力来设计处理RF (射频或微波)信号、RF电压和/或RF电流的有效开关。一般的方法可能聚焦在将衬底的电阻率降低到无源RF部件以下，并使用例如“绝缘体上的硅”(S0I)技术在载体中的电隔离区域上形成有源RF部件(例如M0SFET)。在这种情境中，有源RF部件(例如SOI MOSFET)可以被形成在掩埋氧化区(BOX)上，以减少衬底对有源RF部件的RF特性的寄生影响。然而，在制造过程中该技术可能难以处理和/或可能是昂贵的。
技术实现思路
根据各种实施例，开关装置可以包括:天线端子；开关，其包括第一开关端子和第二开关端子，该第一开关端子被耦合到天线端子，该开关包括至少一个晶体管，该至少一个晶体管位于硅区上或硅区中的至少之一，该硅区包括小于约3 X 117原子每立方厘米的氧杂质浓度；以及收发器端子，其被耦合到第二开关端子，其中该收发器端子进行以下中的至少一个:被配置为提供经由天线端子接收的信号，或被配置为接收将经由天线端子发送的信号。【附图说明】在附图中，遍及不同视图，相同的附图标记通常指代相同部分。附图不一定按比例绘制，而是一般将重点放在说明本专利技术的原理上。在下面的描述中，将参照以下附图描述本专利技术的各种实施例，其中: 图1以示意性横截面视图示出了根据各种实施例的电子装置； 图2图示了根据各种实施例的开关部件或开关装置的RF属性；并且图3以示意图示出了根据各种实施例的电子装置； 图4A和4B分别以示意图示出了根据各种实施例的电子装置； 图5以示意图示出了根据各种实施例的通信装置；并且图6示出了根据各种实施例的用于处理载体的方法的示意流程图。【具体实施方式】以下详细描述参照附图，附图以图示方式示出了其中可实践本专利技术的具体细节和实施例。本文中使用词语“示例性”来意指“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为比其他实施例或设计优选或有利。关于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料所使用的词语“之上”可在本文中被用于意指该沉积材料可在暗指的侧面或表面“之上直接”被形成，例如与其直接接触。关于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料所使用的词语“之上”可在本文中被用于意指沉积材料可在暗指的侧面或表面“之上间接”被形成，其中暗指的侧面或表面与沉积材料之间布置了一个或多个附加层。一般情况下，具有有源和无源部件的电子电路的设计可取决于所期望的应用。部件的电子属性可以在很大程度上取决于部件是否可以用直流电压和直流电流(DC或DC功率)或者用交流电压和交流电流(AC或AC功率)来操作。其中电容在具有低频(例如小于约IkHz的频率)的AC功率或DC功率下引发可忽略的电阻和电容损失，在高频下，例如在RF范围内(例如从约3kHz到约300GHz的范围内)的频率下，电容损失变得极为重要。由于电容性电阻的非线性，更高次谐波的产生可能降低操作RF功率(RF电流和RF电压)的电子部件的效率。因此，为了用半导体部件(例如无源部件，像线圈和金属线，以及有源部件，像开关、晶体管或者二极管(PIN 二极管))来操作RF功率，可提供适配的设计。由此，无源部件可以被形成在电绝缘衬底中，使得衬底基本上不含电荷载体，否则该电荷载体可能会引起较大的非线性电容性电阻。与此相比，形成有源部件可能是更加困难的，因为载体可能需要例如掺杂来提供有源部件的部分，例如晶体管或二极管的Pn结。此外，制造晶体管和/或二极管可能是困难的，因为在加工期间，温度可被用来激活热致掺杂，这可能改变晶体管和/或二极管的期望属性。由于热致掺杂，载体中初始P型掺杂区可能例如被改变成η型掺杂，使得电子部件的功能性可能至少被降低。用于有源部件的常规方法可以包括使用SO1-衬底或GaAs衬底以用于制造RF开关。除了与此方法相关联的高成本，使用这些衬底，逻辑电路的集成可能更加困难，或者另外RF开关可能不满足用于谐波振荡最大产生的预定规范。换句话说，通过使用常规的技术，可能有必要在高成本和性能损失之间进行选择。根据各种实施例，可提供具有高线性度的开关(例如RF开关)。在大约25dBm的输入功率Pin下，更高次谐波(例如二次和/或三次谐波振荡)的产生可以被抑制为例如下至小于约-85dBm的4和小于约-105dBm的H 3。根据各种实施例，对于输入功率Pin和所产生谐波H 2和H 3的功率所使用的功率单位dBm (或dBmW)与在参考一毫瓦(mW)的所测量功率的分贝(dB)中的功率比有关。根据各种实施例，可以在硅体材料中(例如硅晶片中)提供RF开关，其中RF开关可具有低功率衰减，并且可以具有更高次谐波的较低产生，并且还具有所操作RF信号的较低失真。可以在以下半导体技术至少之一中制造RF开关:M0S技术(金属氧化物半导体技术)、nMOS技术(η沟道MOS技术)、pM0S技术(p沟道MOS技术)、CMOS技术(互补金属氧化物半导体技术)。替代地，RF开关可以包括PIN 二极管(正本征负二极管)。根据各种实施例，本文所提供的RF开关可以允许在从100 MHz到60 GHz的频率范围内有效操作RF电流和RF电压。根据各种实施例，如本文所述，通信装置中可包括一个或多个RF开关。另外，根据各种实施例，如本文所述的一个或多个RF开关，可以(例如以单片形式)与操作一个或多个RF开关的逻辑电路一起集成在载体中。根据各种实施例中，RF开关或开关装置可以是或者可以包括单极单掷(SPlT)开关，用于将信号(例如RF信号)从一个天线端子(单极)路由到一个收发器端子(单掷)，或从一个收发器端子路由到一个天线端子。说明性地，RF开关可以作为通-断开关进行工作。根据各种实施例，RF开关或开关装置可以是或者可以包括单极双掷(STOT)开关，用于将信号(例如RF信号)从一个天线端子(单极)路由到两个收发器端子(双掷)，或从两个收发器端子路由到一个天线端子。根据各种实施例，RF开关或开关装置可以是或者可以包括单极多掷(SPnT，其中η大于2)开关，用于将信号(例如RF信号)从一个天线端子(单极)路由到η个收发器端子(多掷)，或从η个收发器端子路由到一个天线端子(η —般为任意整数)。参照这点，RF开关或开关装置可以类似地包括双极，例如用于连接两个天线的两个天线端子，或甚至用于连接多个天线的多极。根据各种实施例，本文中提供了用于处理载体或晶片的方法，例如用于制造开关装置或通信装置的方法。根据各种实施例，通信装置可以包括基于例如像WIF1、蓝牙、GSM(全球移动通信系统)、GPRS (通用分组无线电业务)、EDGE (增强型数据速率GSM演进)、UMTS(通用移动电信系统)中、W-CDMA (宽带码分多址)、HSDPA (高速下行链路分组接入)、HSPA +(高速分组接入+)、LTE (长期演进)、高级LTE (长期演进-高级)、或任何其他基于RF信号的通信(例如卫星通信)之类的标准的无线通信装置。另外，根据各种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关装置，包括：天线端子；开关，其包括第一开关端子和第二开关端子，所述第一开关端子被耦合到所述天线端子，所述开关包括至少一个晶体管，其位于硅区上或硅区中的至少之一，所述硅区包括小于约3×1017原子每立方厘米的氧杂质浓度；以及收发器端子，其被耦合到所述第二开关端子，其中所述收发器端子进行以下中的至少一个：被配置为提供经由所述天线端子接收的信号，或者被配置为接收将经由所述天线端子发送的信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M巴特尔斯，H法伊克，C屈恩，D奥芬贝格，A施特尔滕波尔，H塔迪肯，I尤利希，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE