溅射设备制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射设备相关申请案的交叉引用本申请要求2012年9月4日提交的美国临时专利申请第61/696,610号的权益，其在此以引用的方式并入本文中。本申请有关2011年1月6日提交的美国临时专利申请第61/430,361号和2012年1月6日提交的美国专利申请第13/344,871号，两个申请案在此均以引用的方式并入本文中。
本描述大致上涉及旋转阴极磁控管溅射。尤其是，其解决在靶材增大超过标准磁控管总成可供应适于磁控管溅射的足够磁通量的点时遇到的特定问题。此外，本专利技术的一些实施方案改进用于诸如透明导电氧化物(TCO)的材料的沉积的工艺条件。专利技术背景旋转靶的磁控管溅射在本领域中众所周知且广泛用于在多种基板上产生多种薄膜。使用旋转阴极溅射的合理概述可见于例如美国专利第5,096,562号(其在此以引用的方式并入本文)中。在最基本形式的旋转靶磁控管溅射中，待溅射材料形成为管状或附着至由刚性材料制成的支撑管的外表面。磁控管总成安置在管内且供应磁通量，其渗透靶使得在靶的外表面上存在足够的磁通量。磁场被设计使得其保持从靶发射的电子以增大其将与工作气体电离碰撞的概率，从而提...
【技术保护点】
一种磁控管总成，其包括：多个磁铁；和磁轭，其被构造来将所述多个磁铁保持在至少四个笔直、平行、独立线性阵列中；其中所述多个磁铁被配置在所述磁轭中以形成包括外部分和内部分的图案，其中所述外部分大体上围绕所述内部分的周边；其中所述线性阵列的所述末端部分包括一对转向区段，其中每个转向区段大体上横跨所述外部分的一对长形区段的各自末端；其中每个转向区段中的所述磁铁被配置来在磁场中形成沿着靶旋转轴彼此偏移的至少两个或更多个不同曲线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.04 US 61/6966101.一种磁控管总成，其包括：多个磁铁；和磁轭，其被构造来将所述多个磁铁保持在至少四个笔直、平行、独立线性阵列中；其中所述多个磁铁被配置在所述磁轭上以形成包括外部分和内部分的图案，其中所述外部分大体上围绕所述内部分的周边；其中所述线性阵列的末端部分包括一对转向区段，其中每个转向区段大体上横跨所述外部分的一对长形区段的各自末端；其中每个转向区段中的所述磁铁被配置来在磁场中形成沿着靶旋转轴彼此偏移的至少两个或更多个不同曲线。2.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中每个转向区段中的所述磁铁被配置来在所述磁场中形成沿着所述靶旋转轴彼此偏移的至少两个或更多个不同曲线，因此每个曲线的所得靶腐蚀分量在靶材旋转时不彼此重叠。3.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中所述磁铁被配置在每个转向区段中，使得由所述转向区段中的所述磁铁形成的所述磁场中的所述至少两个或更多个不同曲线的每一个形成在具有相对于彼此转动的磁极的两个磁铁之间。4.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中所述磁铁被配置在每个转向区段中，使得由所述转向区段中的所述磁铁形成的所述磁场中的所述至少两个或更多个不同曲线的每一个形成在具有相对于彼此转动至少90度的磁极的两个或更多个磁铁之间。5.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中磁铁的个别线性阵列被配置来在所述磁轭上形成径向图案、阶状图案或扁平图案。6.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中所述多个磁铁的至少一个具有与至少一个所述其它磁铁不同的几何形状、大小、定向或磁强度。7.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中所述图案的所述外部分包括一对转向区段，其中每个转向区段大体上横跨所述一对长形区段的各自末端，且其中所述转向区段包括两个或更多个阶部。8.根据权利要求1所述的磁控管总成，其中所述磁轭被构造使得由所述多个磁铁形成的所述图案可在不修改所述磁轭的设计的情况下重新构造。9.一种溅射系统，其包括：室，基板移动穿过所述室；阴极总成，其包括：长形可旋转圆柱管，其安装在所述室中且具有靶表面；和磁控管总成，其定位在所述长形可旋转圆柱管内，所述磁控管总成包括：多个磁铁；和磁轭，其被构造来将所述多个磁铁保持在至少四个笔直、平行、独立线性阵列中；其中所述多个磁铁被配置在所述磁轭上以形成包括外部分和内部分的图案，其中所述外部分大体上围绕所述内部分的周边；其中所述线性阵列的末端部分包括一对转向区段，其中每个转向区段大体上横跨所述外部分的一对长形区段的各自末端；其中每个转向区段中的所述磁铁被配置来在所述磁场中形成沿着靶旋转轴彼此偏移的至少两个或更多个不同曲线。10.根据权利...
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