避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法技术

本发明专利技术提出了一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，在建立参考电压时，先将参考电压传输至维持电容上，在电荷泵工作时，为了避免工作电压抖动影响参考电压，通过断开控制开关隔离维持电容和参考电压产生电路以隔离工作电压和参考电压产生电路产生的输入参考电压，由输入参考电压为电荷泵提供电压进而形成稳定的写高压，输出参考电压则由维持电容提供，达到抑制写高压出现抖动的现象。

【技术实现步骤摘要】
避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法
本专利技术涉及半导体制造和测试领域，尤其涉及一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法。
技术介绍
在对闪存(Flash)进行编程(Program)等操作时，会有来自低压差线性稳压器(LowDropoutRegulator)的大电流输出至电压泵(Chargepump)。由电压泵产生提升电压，用于对闪存进行编程。通常电压泵需要通过参考电压Vref产生写高压(ProgHV)。如果采用无电容(Capless)的低压差线性稳压器，闪存的工作电压Vdd会出现较大的电压下降，工作电压Vdd出现较大波动时，则会造成参考电压Vref存在抖动，进而导致对闪存进行编程时所需的写高压不稳，导致编程出错。具体的，请参考图1，图1为现有技术中对闪存进行编程时的电路结构示意图，其中，在对闪存进行编程时，若工作电压Vdd出现抖动时，会造成参考电压Vref出现相应的抖动，进而会影响写高压，使写高压通常出现抖动。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，用于避免工作电压出现抖动，影响写高压。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，包括步骤：提供抑制参考电压抖动电路，所述抑制参考电压抖动电路包括参考电压产生电路、控制开关、维持电容及控制电路，所述控制开关连接在所述参考电压产生电路的输出端与维持电容正端之间，所述控制电路连接所述控制开关，所述维持电容负端接地；在电荷泵工作之前，由所述控制电路控制所述控制开关闭合，所述参考电压产生电路产生输入参考电压，并将所述输入参考电压输出至所述维持电容；在所述电荷泵工作时，由所述控制电路控制所述控制开关断开，将所述输入参考电压与所述维持电容提供的输出参考电压隔离开，避免工作电压发生抖动时影响所述输入参考电压，所述电荷泵通过所述输入参考电压产生写高压。进一步的，在所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法中，所述控制电路包括反相器和与非门，所述与非门的输出接所述反相器的输入，所述反相器的输出连接所述控制开关，所述与非门的两个输入分别接编程使能信号和电荷泵使能信号。进一步的，在所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法中，当所述编程使能信号为高电平时，对闪存开始进行编程；当所述电荷泵使能信号为低电平时，所述电荷泵开始工作。进一步的，在所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法中，所述控制开关为传输门，所述传输门输入端接所述参考电压产生电路的输出端，所述传输门的输出端接所述维持电容，所述传输门的第一控制端接所述反相器的输出端，所述传输门的第二控制端接所述与非门的输出端。进一步的，在所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法中，所述维持电容为多个NMOS管并联组成，多个NMOS管的源极、漏极及衬底端均接地，栅极相连。进一步的，在所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法中，所述NMOS管的个数为4个。进一步的，在所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法中，所述控制开关为数字开关。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在：在建立参考电压时，先将参考电压传输至维持电容上，在电荷泵工作时，为了避免工作电压抖动影响参考电压，通过断开控制开关隔离维持电容和参考电压产生电路以隔离工作电压和参考电压产生电路产生的输入参考电压，由输入参考电压为电荷泵提供电压进而形成稳定的写高压，输出参考电压则由维持电容提供，达到抑制写高压出现抖动的现象。附图说明图1为现有技术中对闪存进行编程时的电路结构示意图；图2为本专利技术实施例中避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法的流程图；图3为本专利技术实施例中抑制参考电压抖动电路的结构框图；图4为本专利技术实施例中抑制参考电压抖动电路的电路结构示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图2，在本实施例中，提出了一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，包括步骤：S100：提供抑制参考电压抖动电路，所述抑制参考电压抖动电路包括参考电压产生电路、控制开关、维持电容及控制电路，所述控制开关连接在所述参考电压产生电路的输出端与维持电容正端之间，所述控制电路连接所述控制开关，所述维持电容负端接地；S200：在电荷泵工作之前，由所述控制电路控制所述控制开关闭合，所述参考电压产生电路产生输入参考电压，并将所述输入参考电压输出至所述维持电容；S300：在所述电荷泵工作时，由所述控制电路控制所述控制开关断开，将所述输入参考电压与所述维持电容提供的输出参考电压隔离开，避免工作电压发生抖动时影响所述输入参考电压，所述电荷泵通过所述输入参考电压产生写高压。具体的，请参考图2，所述抑制参考电压抖动电路包括参考电压产生电路10、控制开关20、维持电容30(Chold)及控制电路40，所述控制开关20连接在所述参考电压产生电路10的输出端与维持电容30正端之间，所述控制电路40连接所述控制开关20，所述维持电容30负端接地。所述参考电压产生电路10用于产生输入参考电压Vref_in，一方面提供参考电压至所述维持电容30，另一方面用于提供参考电压至电荷泵，用于形成写高压。所述维持电容30用于维持输出参考电压Vref，在闪存进行编程时的工作电压Vdd会影响所述输出参考电压Vref的抖动。所述控制电路20包括与非门41和反相器42，所述与非门41的输出接所述反相器42的输入，所述反相器42的输出连接所述控制开关20，所述与非门41的两个输入分别接编程使能信号Prog和电荷泵使能信号Web。当所述编程使能信号Prog为高电平时，对闪存开始进行编程；当所述电荷泵使能信号Web为低电平时，所述电荷泵开始工作。请参考图3，在本实施例中，所述控制开关20为传输门，所述传输门输入端接所述参考电压产生电路10的输出端，所述传输门的输出端接所述维持电容30，所述传输门的第一控制端接所述反相器42的输出端，所述传输门的第二控制端接所述与非门41的输出端，所述传输门的导通和关断由来自所述与非门41和反相器42的输出控制，即由所述编程使能信号Prog和电荷泵使能信号Web进行控制。所述维持电容20为多个NMOS管并联组成，多个NMOS管的源极、漏极及衬底端均接地，栅极相连。在本实施例中，所述NMOS管的个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，其特征在于，包括步骤：提供抑制参考电压抖动电路，所述抑制参考电压抖动电路包括参考电压产生电路、控制开关、维持电容及控制电路，所述控制开关连接在所述参考电压产生电路的输出端与维持电容正端之间，所述控制电路连接所述控制开关，所述维持电容负端接地；在电荷泵工作之前，由所述控制电路控制所述控制开关闭合，所述参考电压产生电路产生输入参考电压，并将所述输入参考电压输出至所述维持电容；在所述电荷泵工作时，由所述控制电路控制所述控制开关断开，将所述输入参考电压与所述维持电容提供的输出参考电压隔离开，避免工作电压发生抖动时影响所述输入参考电压，所述电荷泵通过所述输入参考电压产生写高压。

【技术特征摘要】
1.一种避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，其特征在于，包括步骤：提供抑制参考电压抖动电路，所述抑制参考电压抖动电路包括参考电压产生电路、控制开关、维持电容及控制电路，所述控制开关连接在所述参考电压产生电路的输出端与维持电容正端之间，所述控制电路连接所述控制开关，所述维持电容负端接地；在电荷泵工作之前，由所述控制电路控制所述控制开关闭合，所述参考电压产生电路产生输入参考电压，并将所述输入参考电压输出至所述维持电容；在所述电荷泵工作时，由所述控制电路控制所述控制开关断开，将所述输入参考电压与所述维持电容提供的输出参考电压隔离开，避免工作电压发生抖动时影响所述输入参考电压，所述电荷泵通过所述输入参考电压产生写高压。2.如权利要求1所述的避免编程时工作电压抖动影响写高压的方法，其特征在于，所述控制电路包括反相器和与非门，所述与非门的输出接所述反相器的输入，所述反相器的输出连接所述控制开关，所述与非门的两个输入分别接编程使...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，肖军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31