【技术实现步骤摘要】
一种大规模制备双层结构黑磷的方法
本专利技术涉及双层结构黑磷制备工艺领域,具体涉及一种大规模制备双层结构黑磷的方法。技术背景二维晶体材料因具备优越的电气性能,受到半导体材料研究领域的高度重视。二维石墨烯的发现宣告了真正意义上的二维材料的出现,近年来一直作为研究热点。然而,由于石墨烯的加工成本高昂,且不具有半导体带隙,无法实现数字电路的逻辑开与关,阻碍了石墨烯的应用。因此,寻求一种替代石墨烯的材料的需求显得极为迫切。黑磷作为新发现的可制备成二维晶体材料的物质,近两年来成为新的科研热点。2014年的《自然•纳米技术》杂志刊载了利用黑磷制备场效应晶体管器件的研究,使得黑磷的研究再次达到高潮。然而,在现有技术中,制备双层结构黑磷的方法主要还停留在机械剥离方法上,效率十分低下。因此,在已知黑磷具有广阔应用前景的基础下,亟待开发一种大规模制备双层结构黑磷的方法。
技术实现思路
针对现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种大规模制备双层结构黑磷的方法,该方法包括如下步骤:1)将白磷或红磷在6-8Kbar压力下,于温度600-800℃,反应至少1min;2)将步骤1)所得物置于乙醇水溶液中浸泡4-6h;3)利用超声波处理至少10min,超声波功率为70-80W。优选的,所述步骤1)中的温度为750℃。进行高温高压处理时,片层间会产生气泡使得黑磷各片层相互剥离。专利技术人发现,在压力为6-8Kbar下,温度为750℃时,利于黑磷各片层间的剥离。但需指出的时,在该情况下,各片层间的剥离,并没有达到最大化,只是经过750℃处理后,再结合本专利技术后续步骤,可得到最高的双层结 ...
【技术保护点】
一种大规模制备双层结构黑磷的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)将白磷或红磷在6‑8 Kbar压力下,于温度600‑800℃,反应至少1 min;2)将步骤1)所得物置于乙醇水溶液中浸泡4‑6 h;3)利用超声波处理至少10 min,超声波功率为70‑80 W。
【技术特征摘要】
1.一种大规模制备双层结构黑磷的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)将白磷或红磷在6-8Kbar压力下,于温度600-800℃,反应至少1min;2)将步骤1)所得物置于乙醇水溶液中浸泡4-6h;3)利用超声波处理至少10min,超声波功率为70-80W。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1)中的温度为750℃。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:向红先,
申请(专利权)人:成都育芽科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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