【技术实现步骤摘要】
本技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种用于测量TFT像素区域尺寸的测量 设备。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器（TFT-LCD，ThinFilmTransistorLiquidCrystal Display)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。 而TFT-IXD包括阵列基板和彩膜基板。其中，在阵列基板的生产过程中，TFT像素 区域中各膜层的尺寸是非常重要的参数，如果制造出的尺寸与所设计的尺寸有偏差，很可 能导致TFT像素显示异常。因此，需要对TFT像素区域尺寸进行测量，如栅（Gate)线宽、数 据（Data)线宽、以及透明导电膜（ITO，IndiumTinOxides)层间距等，以确认各膜层的实 际尺寸是否满足设计要求。 但随着TFT像素结构的复杂化，如线宽越来越小，Gate线或Data线不再是横平竖 直方式，现有的用于测量TFT像素区域尺寸的测量设备，在测量时无法根据实际的TFT像素 设计结构进行调整，以横平竖直方式进行测量计算，如此，会增大测量的误差。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种测量设备...
【技术保护点】
一种测量设备，其特征在于，所述测量设备包括：测量薄膜晶体管像素区域尺寸的电耦合器件测量系统、驱动所述电耦合器件测量系统进行旋转的驱动器、以及控制所述驱动器进行驱动的控制模块；其中，所述电耦合器件测量系统与所述驱动器相连接，所述驱动器与所述控制模块相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林子锦，赵海生，邓朝阳，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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