本发明专利技术提供一种电荷泵电路及能在读操作时进行放电的EEPROM。其中，该电荷泵电路至少包括：用于产生EEPROM中的存储单元所需的读电压的电压产生电路；开关电路及读放电电路；所述开关电路连接所述电压产生电路，且还连接在所述EEPROM中的各存储单元所连接的总线上，用于将所述电压产生电路输出的读电压通过所述总线提供给待读的存储单元；所述读放电电路连接在所述总线上，用于在读取存储单元的数据时使所述总线进行放电以避免电荷累积；基于该电荷泵电路可构建出能在读操作时进行放电的EEPROM。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及EEPROM电路领域，特别是涉及一种电荷泵电路及能在读操作时进行放电的EEPROM。
技术介绍
在微机的发展初期，B1S都存放在只读存储器(Read Only Memory, ROM)中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，就只能被舍弃。由于ROM制造和升级的不便,后来人们专利技术了可编程ROM (Programmable ROM,PR0M)。在生产商提供的原始PROM内部未存储任何信息，而是由使用者通过专用的编程器将各自需存储的信息写入，但写入操作只能进行一次，而且一旦写入后就无法再修改，若是写入出错，则该PROM只能被舍弃。在此基础上，研究人员又进一步开发了可擦除可编程ROM (ErasableProgrammable ROM, EPR0M)，其可以重复擦除所存储的信息和写入信息，由此解决了 PR0M、ROM只能写入一次的弊端。EPROM通常是采用紫外线来擦除信息，其结构表面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部电路就可以擦除其内的数据，完成擦除操作。由于EPROM需要采用EPROM擦除器(EPROM Eraser)，而且，写入数据要用专用的编程器，操作极为不便，随后又开发出电可擦除可编程ROM (Electrically ErasableProgrammable R0M，EEPR0M)。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，而是以电子信号来修改其存储的数据，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部擦除再写入，彻底摆脱了 EPROM Eraser和编程器的束缚。由于EEPROM的数据存储和刷新都极为方便，甚至可通过无线信号或通信线等实现远距离编程，而且，掉电后其所存储的数据也不易丢失，因此其应用越来越广泛。然而，现有EEPROM中的电荷泵与存储单元的连接线上，在进行数据读操作时，因前一数据的读操作在该连接线上会有电荷积累，从而会影响对后续数据的读取，因此需要对现有EEPROM进行改进。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路，以便在读数据时能使EEPROM中的各存储单元所连接的总线进行放电。本专利技术的另一目的在于提供一种能在读操作时进行放电的EEPR0M，以避免EEPROM中的各存储单元所连接的总线上的电荷积累而影响数据读取的正确性。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路，其至少包括:用于产生EEPROM中的各存储单元所需的读电压的电压产生电路；开关电路，连接所述电压产生电路，且还连接在所述EEPROM中的各存储单元所连接的总线上，用于将所述电压产生电路输出的读电压通过所述总线提供给待读的存储单元;读放电电路，连接在所述总线上，用于在读取存储单元的数据时使所述总线进行放电以避免电荷累积。优选地，所述读放电电路包括:基于读信号来输出开闭控制信号的第一控制电路、基于时序信号来开闭的第一受控开关、连接所述第一受控开关及控制电路的第二受控开关；更为优选地，所述第一控制电路进一步基于EEPROM中的其他放电信号与读信号来提供开闭控制信号；更为优选地，所述第一控制电路包括或非门及反相器等；所述第一受控开关包括N型MOS管；所述第二受控开关包括N型MOS管。优选地，所述开关电路包括基于所述电压产生电路输出的电压来开闭的一组第三受控开关及分别连接一个第三受控开关、且均连接所述总线的一组第四受控开关；更为优选地，第三受控开关包括P型MOS管；第四受控开关包括P型MOS管。本专利技术还提供一种能在读操作时进行放电的EEPR0M，该EEPROM本体中包含前述用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路。如上所述，本专利技术的电荷泵电路及能在读操作时进行放电的EEPR0M，具有以下有益效果:能使EEPROM中的各存储单元所连接的总线在数据读取时进行放电，避免总线上电荷的积累，提高数据读取的准确性。【附图说明】图1显示为本专利技术的用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路示意图。图2显示为本专利技术的用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路的优选电路示意图。图3显示为本专利技术的用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路的总线的电位示意图。元件标号说明I 电荷泵电路11 电压产生电路12 开关电路13 读放电电路2 EEPROM中的各存储单元【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。请参阅图1至图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。如图所示，本专利技术提供一种用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路。所述电荷泵电路I至少包括:电压产生电路11、开关电路12、读放电电路13。所述电压产生电路11用于产生EEPROM中的各存储单元2所需的读电压。具体地，所述电压产生电路11将外部接入的电源电压VCC转换为EEPROM中的各存储单元2所需的读电压。例如，若电源电压VCC为2V，EEPROM中的各存储单元所需的读电压为2.5V，则所述电压产生电路11将2V电压转换为2.5V电压。其中，所述电压产生电路11可采用任何能将电源电压转换为EEPROM中的各存储单元所需的读电压的电路。本领域技术人员应该已经知悉所述电压产生电路的内部结构，故在此不再举例详述。所述开关电路12连接所述电压产生电路11，还连接在所述EEPROM中的各存储单元2所连接的总线上，用于将所述电压产生电路11输出的读电压通过所述总线提供给待读的存储单元。优选地，所述开关电路11基于受控开关来构建，具体地，可包括基于所述电压产生电路11输出的电压来开闭的一组第三受控开关及分别连接一个第三受控开关、且均连接所述总线的一组第四受控开关。当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路，其特征在于，所述用于向EEPROM中的存储单元供电的电荷泵电路至少包括：用于产生EEPROM中的各存储单元所需的读电压的电压产生电路；开关电路，连接所述电压产生电路，且还连接在所述EEPROM中的各存储单元所连接的总线上，用于将所述电压产生电路输出的读电压通过所述总线提供给待读的存储单元；读放电电路，连接在所述总线上，用于在读取存储单元的数据时使所述总线进行放电以避免电荷累积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨翼，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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