一种即使在高精细化的情况下显示品质也较高的发光元件显示装置。发光元件显示装置具有：由绝缘材料构成的基板(120)；形成在基板上的显示领域上的各像素的一个或者多个薄膜晶体管(220，230)；通过在各像素中电流流过而发光的发光元件(130)；配置在基板以及薄膜晶体管之间，在俯视下至少与两个薄膜晶体管重叠的第1电极(171)；隔着绝缘膜配置在第1电极的与基板侧相反的一侧且与第1电极形成电容器的由导电材料构成第2电极(172)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光元件显示装置。
技术介绍
近年来，使用了有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting D1de)等自发光体的发光元件显示装置被实用化。使用了这样的OLED的有机EL(Electro-luminescent:电致发光)显示装置为代表的发光元件显示装置与现有液晶显示装置比较，由于使用了自发光体，所以不仅在视觉辨认性、响应速度方面优异，而且由于不需要背光源(back light)那样的辅助照明装置，所以能够进一步薄型化。专利文献I公开了具有补偿配置于各像素的驱动晶体管的阈值(threshold)电压的薄膜晶体管及电容器的有机EL显示装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4989415号公报
技术实现思路
在上述那样的有机EL显示装置等发光元件显示装置中，近年来，通过高精细化的进步，各像素的大小变小。有机EL显示装置是在各像素中保持与灰度值相应的电位差，从而流过电流，但由于如果像素变小，则伴随于此电极也变小，所以作为结果，用于保持电位差的电容器变小。可以认为在保持电位差的电容器较小的情况下，由于在由噪声的影响和/或微量的泄露(leak)所导致的影响下电位差发生变化，成为各像素中的亮度的偏差，所以显示品质降低。本专利技术是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，提供即使在高精细化的情况下显示品质也较高的发光元件显示装置。用于解决课题的装置本专利技术的发光元件显示装置具有:由绝缘材料构成的基板；配置在上述基板上的显示区域的多个像素；形成在上述多个像素的各像素上的一个或者多个薄膜晶体管；通过在上述各像素中流过电流而发光的发光元件；配置在上述基板以及上述薄膜晶体管之间且在俯视下至少与两个上述薄膜晶体管重叠的第I电极；隔着绝缘膜配置在上述第I电极的与上述基板侧相反的一侧且与上述第I电极形成电容器的由导电材料构成的第2电极。在此所说的像素的意思是具有发光元件的单位，在像素由多个发光元件构成从而具有多个副像素的情况下意味着副像素。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，上述第I电极可以以跨设于多个像素上的方式形成，另外，上述第I电极也可以以覆盖上述显示区域的方式形成。在该情况下，在上述第I电极上也可以形成有作为在俯视下开设于多个位置的孔的狭缝。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，也可以是，上述第I电极与在上述各像素中使上述发光元件发光的基准电位连接。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，也可以是，上述第I电极与上述发光元件的阴极电极电连接，上述第2电极与上述阳极电极电连接。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，也可以是，上述各像素具有控制与灰度值相应的电压的施加的像素晶体管、和基于经由上述像素晶体管施加的电位来控制发光的驱动晶体管，上述第2电极与上述驱动晶体管的栅极连接。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，也可以是，上述第I电极与上述驱动晶体管的源极或者漏极的一个连接。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，也可以是，上述的发光元件显示装置还具有隔着绝缘膜配置在上述第2电极的与上述基板侧相反的一侧并与上述第2电极形成电容器的由导电材料构成的第3电极，上述第3电极与上述第I电极电连接，并于第2电极形成电容器。另外，在本专利技术的发光元件显示装置中，也可以是，还具有隔着绝缘膜配置在上述第2电极的与上述基板侧相反的一侧并与上述第2电极形成电容器的由导电材料构成的第3电极，上述第I电极与上述发光元件的阴极连接，上述第2电极与上述驱动晶体管的源极或者漏极的一个连接，上述第3电极与上述驱动晶体管的栅极连接。另外，本专利技术的发光元件显示装置具有:由绝缘材料构成的基板；配置在上述基板上的显示区域的多个像素；形成在上述多个像素的各像素上的I个或者多个薄膜晶体管；具有包含发光层的有机层、阳极电极、阴极电极的发光元件；配置在上述基板以及上述薄膜晶体管之间，在俯视下至少与两个所述薄膜晶体管重叠的第I电极；隔着绝缘膜配置在上述第I电极的与上述基板侧相反的一侧并与上述第I电极相对的第2电极。另外，本专利技术的发光元件显示装置具有:由绝缘材料构成的基板；配置在上述基板上的显示区域的多个像素；形成在上述多个像素的各像素上，具有第I半导体层的一个或者多个薄膜晶体管；具有包含发光层的有机层、阳极电极和阴极电极的发光元件；形成在与上述第I半导体层同层上的第2半导体层；配置在上述基板以及上述薄膜晶体管之间的第I电极；隔着绝缘膜配置在上述第I电极的与上述基板侧相反的一侧并与上述第I电极相对的第2电极，上述第I电极与至少上述薄膜晶体管的一个上述第I半导体层、与上述第2半导体层在俯视下重叠。【附图说明】图1是概略地表示本专利技术的实施方式的有机EL显示装置的图。图2是概略地表示图1的I1-1I线的截面的图。图3是表示不具有对置基板的有机EL显示装置的例子的图。图4是图1的像素中所包含的副像素的构成例的图。图5是图1的像素中所包含的副像素的构成例的图。图6是表示副像素中的电路的一个例子的电路图。图7是表示图4的VI1-VII线的截面的图。图8是关于实施方式的第I变形例，以与图7相同的视场表示的剖视图。图9是在俯视下概略的表示关于图8的第I变形例的第I电极以及第2电极的配置的图。图10是表示实施方式的第2变形例的剖视图。图11是表示实施方式的第3变形例的剖视图。图12是表示实施方式的第4变形例的剖视图。附图标记说明100:有机EL显示装置，120:TFT基板，125:密封膜，130:有机EL元件，131:阳极电极，132:有机层，133:阴极电极，135:像素分离膜，150:对置基板，160:电路层，161:基底膜，163:绝缘膜，165:绝缘膜，166:绝缘膜，167:绝缘膜，168:平坦化膜，171:第I电极，172:第2电极，173:第3电极，174:电桥，178:狭缝，182:驱动1C，185:端子，191:填充剂，192:密封剂，205:显示区域，210:像素，212:副像素，220:像素晶体管，221:栅极，222:漏极，223:源极，224:半导体层，230:驱动晶体管，231:栅极，232:源极，233:漏极，234:半导体层，241:电容器，242:电容器，243:电容器，261:图像信号线，262:扫描信号线。【具体实施方式】以下，关于本专利技术的各实施方式，参照附图进行说明。此外，公开只不过是一个例子，对于本领域技术人员来说能够容易地想到关于保护专利技术的主旨的适当地变更的方式当然包含在本专利技术的范围内。另外，由于附图是将说明更明确，所以与实际的方式相比，存在示意性地表示关于各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但仅是一个例子，不限定本专利技术的解释。另外，在本说明书与各图中，关于出现过的图，有时对与上述例子相同的要素标注相同的附图标记并适当地省略详细的说明。在图1中，概略地示出了作为本专利技术的实施方式的发光元件显示装置的有机EL显示装置100。如该图所示那样，有机EL显示装置100具有TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶体管)基板120及对置基板150这两张基板，在这些基板之间密封有透明树脂填充剂191 (参照图2)。在有机EL显示装置100的TFT基板120以及对置基板150上形成有由矩阵状地配置的像素210本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光元件显示装置，具有：由绝缘材料构成的基板；在所述基板上的显示区域上配置的多个像素；形成在所述多个像素的各像素上的一个或者多个薄膜晶体管；通过在所述各像素中流过电流而发光的发光元件；配置在所述基板及所述薄膜晶体管之间且在俯视下至少与两个所述薄膜晶体管重叠的第1电极；隔着绝缘膜配置在所述第1电极的与所述基板侧相反的一侧、且与所述第1电极形成电容器的由导电材料构成的第2电极。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤敏浩，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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