一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法技术

本发明专利技术涉及一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法以及由此形成的版图双图型分解流程，所述方法包括：步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元A和B；步骤（b）首先定义所述填充起始点，从填充起始点开始填充A堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案；步骤（c）向右转移所述填充起始点，以步骤（b）的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元；步骤（d）向上转移所述填充起始点，以相同的填充间隔在第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元；步骤（e）向右上方对角线方向转移填充起始点，以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元。本方法能够实现双图型（double pattern）自我分解。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及以及由此形成的版图双图型分解流程。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。在半导体器件的制备工艺中，随着器件尺寸的不断缩小，以及采用更加先进的光刻系统(远紫外线，extreme ultra v1let, EUV)的延迟，导致在器件制备过程中不可避免的要用到双图型(double patterning, DP)技术,在所述双图型技术中,其中的一个版图设置需要分解(decomposed)为两个多层堆栈单元,例如根据两个不同的特征(features)进行拆分。随着半导体技术器件尺寸的不断缩小，当所述半导体器件尺寸缩小至纳米级别，可制造性设计(Design for Manufacturing, DFM)在半导体工业纳米设计流程方法学中已变得越来越重要。所述DFM是指以快速提升芯片良率的生产效率以及降低生产成本为目的，统一描述芯片设计中的规则、工具和方法，从而更好地控制集成电路向物理晶圆的复制，是一种可预测制造过程中工艺可变性的设计，使得从设计到晶圆制造的整个过程达最优化。在所述DFM过程中自动加入虚拟图案(dummy)变得越来越重要,所述虚拟图案可以帮助改善目标图案的密度分布，使所述器件性能更加均一，增加平坦化、光亥IJ、蚀刻等工艺的制程能力。由于双图型(double patterning, DP)技术需要将图层中的所有图型分解在两张掩膜上，因此数据处理时，自动插入虚拟图案和原始图样图案一样也需要分解到两个不同的子数据类型上。特别是针对多层堆栈的虚拟图案，所述多层堆栈的虚拟图案包含有一层或者多层需要双图型分解的图层，所述分解就更加复杂和花费资源。所述分解的流程图如图1所示，在该方法中首先得到图样版图，然后根据自动虚拟图案程式插入虚拟图案，如图2a所示。在插入所述虚拟图案的过程中，首先定义原始虚拟图案多层堆栈单元为堆栈单元A，然后一次性对整个图样版图插入A堆栈单元形成所需完整的虚拟图案。填充虚拟图案后，需要对所述虚拟图案以及原始图样版图一起进行双图型分解，如图2b所示，由于在该过程中所述双分解是同时针对所述原始图样版图以及新加的自动虚拟图案，造成该分解过程需要占用许多的CPU运行时间、DP分解许可以及硬件资源，给整个过程带来很大的麻烦。因此，如何对现有技术中的双图型的分解进行改进，以便消除和减轻上述运行时间过长、占用许多DP分解许可以及硬件资源等的问题成为目前亟需解决的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了，所述方法通过转移填充起始点填充四次虚拟图案堆栈单元来实现多层堆栈单元中双图型分解要求层的双图型(double pattern)自我拆分,包括:步骤(a)分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元A和B ;步骤(b)执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，从所述填充起始点开始填充A堆栈单元虚拟图案，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案；步骤(C)执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以步骤(b)的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第二堆栈虚拟图案；步骤(d)执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以相同填充间隔在所述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第三堆栈虚拟图案；步骤(e)执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点，以步骤(b)的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚拟图案。作为优选，在所述步骤(a)中，A堆栈单元包括所述某一双图型分解要求层的A子数据类型(Data Type) ;B堆栈单元包括所述某一双图型分解要求层(同A相同的主⑶SN0.)的B子数据类型；堆栈单元的其他设计完全相同。作为优选，所述步骤(b)中，填充堆栈单元之间的填充间隔为为X和Y，填充起始点其中，X=X1+2X2,Y=Y1+2Y2,所述X1为所述原始虚拟图案多层堆栈单元在X轴方向上边长的大小，所述X2为所述原始虚拟图案多层堆栈单元X轴方向上的填充间隔；所述Y1为所述原始虚拟图案多层堆栈单元在Y轴方向上边长的大小，所述Y2为所述原始虚拟图案多层堆栈单元Y轴方向上的填充间隔。作为优选，在所述步骤(C)和所述步骤(d)中，所述B堆栈单元的填充间距为X、Y;在所述步骤(e)所述A堆栈单元的填充间距为X、Y。作为优选，在所述步骤(C)中，在X轴方向上将所述步骤(b)的填充起始点向右移动Xi+X2的距离，得到第二填充起始点，从所述第二填充起始点的位置开始以和步骤(b)相同的填充间隔X、Y插入B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的所述第二堆栈虚拟图案。作为优选，在所述步骤(d)中，在Y轴方向上将所述步骤(b)的填充起始点向上移动YJY2的距离，得到第三填充起始点，从所述第三填充起始点的位置开始以步骤(b)相同的填充间隔X、Y插入B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的所述第三堆栈虚拟图案。作为优选，在所述步骤(e)中，首先将所述步骤(b)的填充起始点沿X轴方向向右移动XJX2的距离，然后沿Y轴方向向上移动YJY2的距离，得到第四填充起始点，从所述第四填充起始点的位置开始以步骤(b)相同的填充间隔X、Y插入A堆栈单元，得到剩余的占全部虚拟图案1/4的所述第四堆栈虚拟图案。本专利技术通过以上所述的虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法形成了一种新的版图双图型分解流程，所述流程包括:步骤(I)提供图样版图；步骤(I I)使用自动虚拟图案填充程式插入虚拟图案，在该步骤中选用上述虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法，以实现所述多层堆栈虚拟图案中双图型分解要求层的双图型(double pattern)自我分解；步骤(III)只需针对所述图样版图中的主图案(drawing layout)进行传统的使用电子设计自动化厂商软件许可(EDA vendor license)的双图型分解；步骤(IV)输出分解后的版图。在本专利技术中提供了，所述方法通过转移填充起始点填充四次虚拟图案堆栈单元来实现多层堆栈单元中双图型分解要求层的双图型(double pattern)自我拆分。本专利技术提供了一种独立的针对所述虚拟图案堆栈的双图型分解方法，在所述方法中通过4个填充步骤，在每个填充步骤中填充1/4的虚拟图案，实现和现有技术中同样的双图型分解结果。所述方法直接并且简化的对一个虚拟图案堆栈中双图型分解要求层自动填充两个新的多层堆栈单元A和B，并不需要其他特殊的分解，节省了时间和资源。【附图说明】本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种虚拟图案多层堆栈单元的自我双图型分解方法，所述方法通过转移填充起始点填充四次虚拟图案堆栈单元来实现多层堆栈单元中双图型分解要求层的双图型自我拆分，包括：步骤（a）分解定义原始虚拟图案多层堆栈单元为两个新的多层堆栈单元A和B；步骤（b）执行第一填充步骤，首先定义所述填充起始点，从所述填充起始点开始填充A堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第一堆栈虚拟图案；步骤（c）执行第二填充步骤，向右转移所述填充起始点，以所述步骤（b）的填充间隔在所述第一虚拟图案的一侧填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第二堆栈虚拟图案；步骤（d）执行第三填充步骤，向上转移所述填充起始点，以所述步骤（b）的填充间隔在所述第一虚拟图案的上方填充B堆栈单元，得到占全部虚拟图案1/4的第三堆栈虚拟图案；步骤（e）执行第四填充步骤，向右上方对角线方向转移所述填充起始点，以步骤（b）的填充间隔在剩余的空间内填充A堆栈单元，得到第四堆栈虚拟图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊强，李雪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31