RF MEMS开关硅梁结构制造技术

RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。本发明专利技术通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及RF MEMS开关硅梁结构，属于射频

技术介绍
RF MEMS开关要求具有响应时间短、能耗低和易集成等特点，不同形式打折梁、不同朦厚等结构参数对上述性能有重要的影响，实验表明，为降低结构的谐振频率和驱动电压，支撑上电极和介质膜的梁必须设计为打折梁，梁的长度越长且整个结构越对称，结构的模态特性越好，同时其阈值电压越低，应力分布越均匀。支撑上电极和介质膜的梁的厚度越薄，结构的谐振频率越低，阈值电压越低，结构的性能越好。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供RF MEMS开关硅梁结构，通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。为实现上述目的，本专利技术是通过以下技术手段来实现的: RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于:所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。进一步地: 所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度4倍。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为3—5 μ m。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为4 μ m。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁材料选用Al / Si / AlI=I O本专利技术的有益效果是:本专利技术通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。【附图说明】图1为本专利技术结构示意图。【具体实施方式】下面将结合说明书附图，对本专利技术作进一步的说明。RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极2、锚点1，其特征在于:所述上电极2和锚点I采用对角Z形梁3连接。进一步地:所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边302为横边长301度2_5倍。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边302为横边301长度4倍。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁3厚度为3—5 μ m。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁3厚度为4 μ m。所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁3材料选用Al / Si / AlI=I O以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本设计不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原理，在不脱离本设计精神和范围的前提下，本设计还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【主权项】1.RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于:所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。2.如权利要求1所述的RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。3.如权利要求2所述的RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁竖边为横边长度4倍。4.如权利要求1所述的RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为3—5 μ m05.如权利要求4所述的RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁厚度为4 μ m。6.如权利要求1所述的RFMEMS开关硅梁结构，其特征在于:所述Z形梁材料选用Al / Si / Al 合金。【专利摘要】RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。本专利技术通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。【IPC分类】H01H59-00【公开号】CN104779121【申请号】CN201510138222【专利技术人】杨俊民 【申请人】苏州锟恩电子科技有限公司【公开日】2015年7月15日【申请日】2015年3月27日本文档来自技高网...

【技术保护点】
RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊民，
申请(专利权)人：苏州锟恩电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32