一种长余辉发光材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种长余辉发光材料及其制备方法，长余辉发光材料通式为Ba(1-x-y)SiO3:xEu2+,yR3+；其中，R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种；0.0001≤x≤0.2；0.0001≤y≤0.2。本发明专利技术提供的长余辉发光材料以硅酸钡为基质，以铕离子为激活剂，以三价稀土离子为辅助激活剂，能够被近紫外或可见光光源有效激发，产生黄色长余辉，余辉时间长、亮度高。实验结果表明，本发明专利技术提供的长余辉发光材料激发后产生450nm～700nm黄色长余辉，亮度大于0.32mcd/m2时的余辉持续时间能够达到5h以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光致发光材料
，更具体地说，是涉及一种长余辉发光材料及其制备方法。
技术介绍
长余辉发光材料，是一种能够储存外界光辐射如紫外光和可见光等的能量，然后在室温下缓慢地以发可见光的形式释放这些储存能量的材料。长余辉发光材料作为一种新型的节能弱视照明材料广泛用于弱视照明、建筑物探伤、发光指示等领域。长余辉发光材料的长余辉现象是由掺杂引起的杂质能级而产生。在激发阶段，杂质能级捕获空穴或电子，当激发完成后，这些电子或空穴由于热运动而释放，将能量传递给激活离子而导致其发光。由于能量的热动释放是一个缓慢的过程，从而激活离子的发光呈现出长余辉发光的特点。长余辉发光材料的长余辉性质基于以下三个过程实现：(1)外界的光能被材料中的陷阱所存储；(2)被存储的能量能够有效的传递给发光离子；(3)这些能量必须以发光离子辐射跃迁的方式被释放，而不是被淬灭。当陷阱深度太深时，被俘获的电子或空穴不能顺利地从陷阱中释放出来，这样使材料的余辉发光太弱；而当陷阱太浅时，电子或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种长余辉发光材料，其特征在于，具有式(I)所示的通式：Ba(1‑x‑y)SiO3:xEu2+,yR3+式(I)；式(I)中，R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种；0.0001≤x≤0.2；0.0001≤y≤0.2。

【技术特征摘要】
1.一种长余辉发光材料，其特征在于，具有式(I)所示的通式：
Ba(1-x-y)SiO3:xEu2+,yR3+式(I)；
式(I)中，R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、
Yb和Lu中的一种或多种；
0.0001≤x≤0.2；0.0001≤y≤0.2。
2.根据权利要求1所述的长余辉发光材料，其特征在于，所述x满足以
下条件：0.005≤x≤0.02；
所述y满足以下条件：0.005≤y≤0.02。
3.一种长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)将钡源、硅源、铕源和掺杂金属源混合，在还原气氛中进行焙烧，得
到长余辉发光材料；
所述长余辉发光材料具有式(I)所示的通式：
Ba(1-x-y)SiO3:xEu2+,yR3+式(I)；
式(I)中，R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、
Yb和Lu中的一种或多种；
0.0001≤x≤0.2；0.0001≤y≤0.2。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述钡源包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成宇，贾永雷，庞然，姜丽宏，张粟，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22