【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于快闪存储器制造工艺,特别是关于快闪存储器的烧录(programming)方法。
技术介绍
快闪存储器(NAND flash)因为常有大量坏块(bad block),烧录时不适合采用静态分区。举例来说,虽然操作系统各分区的映像文件皆会预留缓冲,以涵盖烧录时会遇到的坏块数量,但当坏块的分布连续且广时,可能某分区整个坐落于坏块,导致烧录器认定烧录失败。可惜的是,快闪存储器制造商不会接收此类退货,终端设备业者必须自行吸收。若烧录时采用动态分区,则可请烧录器厂商针对专案客制化一套通常所费不赀的分区规划流程,或先烧录特殊设计、具有映像文件烧录能力的启动载入程序(bootloader),再间接生成动态分区表,据以烧录各分区的映像文件。然而启动载入程序的烧录远不及烧录器一次到位来得迅速,相对增加了终端设备生产时程和产线复杂度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:提供一种,以解决上述问题。本专利技术解决问题的技术方案为:提供一种,其步骤包含自快闪存储器载入启动载入程序,并判断快闪存储器是否存储有动态分区表。快闪存储器包含一或多个不可用区块且被写入 ...
【技术保护点】
一种快闪存储器烧录方法,其特征在于,该方法包含:自一快闪存储器载入一启动载入程序,该快闪存储器包含至少一不可用区块,且该快闪存储器被写入有一映像文件,该映像文件具有多个分区,所述分区其中之一包含该启动载入程序的程序代码;以及判断该快闪存储器是否存储有一动态分区表;其中当该快闪存储器没有存储该动态分区表时,依据所述分区的长度和所述至少一不可用区块于该快闪存储器中的分布,建立该动态分区表。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:高铭甫,
申请(专利权)人:纬创资通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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