聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器制造技术

一种聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器，所述聚焦环具有内表面，所述内表面具有花纹，所述花纹的深度大于850μm且小于1000μm。所述聚焦环具有所述深度的花纹，能够大幅提高聚焦环对吸收量对反溅射颗粒物的吸收量，并且可以改善聚焦环对较大的溅射粒子的吸收，从而防止反溅射颗粒物被聚焦环吸附后重新脱落。

【技术实现步骤摘要】
聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其是涉及一种聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器。
技术介绍
溅射是现代半导体芯片生产过程中常用的一种薄膜淀积技术，其工作原理是：利用带电粒子轰击靶材，使靶材原子从表面逸出并沉积在衬底上。图1是现有一种利用靶材在晶圆上沉积薄膜的示意图，如图1所示，由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的，导致从靶材1表面逸出的靶材原子会从各个方向脱离靶材表面，之后沿直线到达晶圆2表面，进而使得晶圆2上薄膜的均匀性较差。为了提高薄膜的沉积均匀性，在溅射过程中通常会在靶材1和晶圆2之间设置一个聚焦环3，聚焦环3可以约束靶材原子的运动轨迹，即使得从靶材1表面溅射出来的朝四面八方运动的靶材原子被聚焦到晶圆2上方，并使溅射原子能均匀的沉积在晶圆2上。不仅如此，聚焦环3的内表面及外表面还形成有花纹，以吸附溅射过程中产生的大量反溅射颗粒物，从而起到净化的作用。然而现有聚焦环在使用过程中，容易因反溅射颗粒物沉积较厚，而有部分反溅射颗粒物从聚焦环上重新剥落下来，造成生产无法继续，对工艺造成极大的困扰。因此，如何使现有的钛环可以吸附更多的反溅射颗粒物，防止反溅射颗粒物剥落，成为本领域技术人员亟待解决的问题。为此，需要一种新的聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器，以避免聚焦环在使用过程中，反溅射颗粒物从聚焦环剥落，避免溅射过程中对工艺造成破坏。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是，提供一种聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器，以使得聚焦环能够沉积更多的反溅射颗粒物，保证在整个工艺过程中，所产生的反溅射颗粒物被吸附在聚焦环上，满足工艺生产的要求。为解决上述问题，本专利技术提供一种聚焦环，所述聚焦环具有内表面，所述内表面具有花纹，所述花纹的深度大于850μm且小于1000μm。可选的，所述花纹的深度大于900μm且小于1000μm。可选的，所述上端面、下端面和外表面的至少其中之一也具有所述花纹。可选的，所述花纹的螺距数范围为80TPI～20TPI。可选的，所述聚焦环的材料为钽、铜或钛。可选的，所述花纹为整齐排列的多个条形结构、波浪形结构、锯齿形结构、螺线形结构或者格子结构。可选的，所述聚焦环应用于8英寸衬底上进行溅射过程。可选的，所述花纹采用滚花的方式制作。为解决上述问题，本专利技术还提供了一种溅射反应器，包括：真空室，具有围绕中心轴线布置的侧壁；溅射靶材，被密封到所述真空室的一端；基座，沿所述中心轴线布置成与所述溅射靶材相对，用于支撑待处理的晶片；及聚焦环，所述聚焦环具有内表面，所述内表面具有花纹，所述花纹的深度大于850μm且小于1000μm，所述聚焦环位于所述真空室内，并位于所述溅射靶材与所述基座之间。所述聚焦环还具有上端面、下端面和外表面，所述上端面、下端面和外表面的至少其中之一也具有所述花纹。可选的，所述花纹的螺距数范围为80TPI～20TPI。可选的，所述聚焦环的材料为钽、铜或钛。可选的，所述花纹为整齐排列的多个条形结构、波浪形结构、锯齿形结构、螺线形结构或者格子结构。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术的技术方案提供一种聚焦环，所述聚焦环内表面具有花纹，并且花纹的深度大于850μm且小于1000μm。当聚焦环内表面花纹的深度大于850μm时，聚焦环对反溅射物质（颗粒物）的吸附量增加80%以上，达到180%，因此在整个溅射工艺过程中，反溅射物质不再从聚焦环上脱落（peeling），解决了因反溅射物质脱落造成的工艺问题，当花纹深度大于1000μm时，再增加深度，聚焦环对吸收量对反溅射颗粒物的吸收量提高不再明显，然而花纹的制作难度却急剧增加，制作成本相应大幅提高，因此花纹的深度在1000μm内。进一步，在聚焦环的上端面、下端面和外表面的至少其中之一设置所述花纹，增加花纹的面积，从而进一步增加聚焦环吸附反溅射物质的能力。附图说明图1为现有一种利用靶材在晶圆上沉积薄膜的示意图；图2为本专利技术实施例提供的聚焦环立体示意图；图3为图2所示聚焦环中部分A的放大示意图；图4为图3所示结构的俯视示意图；图5为本专利技术实施例提供的溅射反应器示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术生产中应用常规聚焦环进行溅射工艺，容易导致反溅射颗粒物被聚焦环后吸附又脱落下来，无法保证生产工艺安全进行。研究发现，在聚焦环的内表面制作花纹，这些花纹可以吸附从靶材上溅射出的大角度的靶材粒子（即反溅射颗粒物）。然而，专利技术人发现，当聚焦环内表面的滚花花纹的深度较浅（在100μm以下）时，经过一段时间后，靶材粒子就会填满花纹，此时，如果继续使用，聚焦环对粒子的吸附作用就会减弱，并且吸附的粒子（即反溅射颗粒物）会脱落下来，掉落到下面的衬底上，影响薄膜的形成，造成工艺失败。为此，本专利技术提供一种聚焦环，其花纹的深度大于850μm，所述深度的花纹大幅提高聚焦环对吸收量对反溅射颗粒物的吸收量，并且可以改善聚焦环对较大的溅射粒子的吸收，从而防止反溅射颗粒物被聚焦环吸附后重新脱落。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。本专利技术实施例提供一种聚焦环，请结合参考图2至图4。请参考图2，图2为本实施例提供的聚焦环100立体示意图。本实施例提供的聚焦环100具有内表面110、外表面120、上端面130和下端面（与上端面130相对，图2中未示出），所述内表面110具有花纹。本实施例中，聚焦环100的材料可以为钽、铜或钛。聚焦环100的形成过程可以为：提供聚焦环坯料，根据所要制取的聚焦环100的尺寸（包括厚度、内/外直径）以及个数提供足量的聚焦环坯料。然后，将所述聚焦环坯料经热锻处理，之后经冷轧加工至预定厚度。将冷轧后的所述聚焦环坯料置于普通的热处理炉（非真空热处理炉）中，于500～680℃条件下进行第一次热处理，持续60～120min后，随炉冷却，并切割成预定尺寸的板状结构。期间，可将由上述热锻处理、冷轧加工后获取的多段板状的聚焦环坯料同时进行预热处理，从而提高聚焦环100制备工艺的效率，所述热处理炉中的温度优选控制于580～650℃。在经过第一次热处理及随后的随炉冷却处理后，将板状的所述聚焦环坯料加工成环状的聚焦环100。将呈环形的所述聚焦环100环置于普通热处理炉（非真空热处理炉）中，于500～600℃条件下进行第二次热处理，持续30～60min后，于室温下急速冷却成型。本实施例中，可以采用多种方法形成花纹，如喷砂、轧制、拉丝、滚花工艺等。具体的，本实施例选用滚花工艺制作上述花纹，选择合适的滚花刀具，在车床上用滚花刀具滚压而形成的，花纹可以为直纹或者网纹，对应地选择的滚花刀具分别为直纹滚花刀具和网纹滚花刀具。滚花时，滚花刀具挤压聚焦环100，使其表面产生塑性变形而形成花纹。滚花的径向挤压力很大，因此加工时，聚焦环100的转速要低些。需要充分供给冷却润滑液，以免损坏滚花刀具，并防止细屑滞塞在滚花刀内而产生乱纹，从而使制作出的花纹效果符合生产实际的要求。本实施例中选用的花纹的制作工艺并不用于限定本专利技术实施例的保护范围，在本专利技术的其它实施例中，可以采用其它工艺形成花纹。请参考图3，图3为图2所示聚焦环100中部分A的放大示意图。本实施例中，聚焦环100的花纹如图3所示，花纹具有深度h，花纹的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚焦环，其特征在于，所述聚焦环具有内表面，所述内表面具有花纹，所述花纹的深度大于850μm且小于1000μm。

【技术特征摘要】
1.一种聚焦环，其特征在于，所述聚焦环具有内表面，所述内表面具有花纹，所述花纹的深度大于850μm且小于1000μm；所述聚焦环还具有上端面、下端面和外表面，所述上端面、下端面和外表面的至少其中之一也具有所述花纹。2.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述花纹的深度大于900μm且小于1000μm。3.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述花纹的螺距数范围为80TPI～20TPI。4.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述聚焦环的材料为钽、铜或钛。5.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述花纹为整齐排列的多个条形结构、波浪形结构、锯齿形结构、螺线形结构或者格子结构。6.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述聚焦环应用于8英寸衬底上进行溅射过程。7.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述花纹采用滚花的方式制作。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，赵凯，相原俊夫，大岩一彦，潘杰，王学泽，张亚光，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33