一种MEMS麦克风、MEMS电容传感器和一种振膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MEMS麦克风、MEMS电容传感器和一种振膜。本实用新型专利技术提供的振膜上设有在外气压超过预设值后开启的泄气结构。本实用新型专利技术提供的技术方案能解决现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成破损的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及麦克风
，特别是涉及一种MEMS麦克风、MEMS电容传感器 和一种振膜。
技术介绍
目前的MEMS麦克风的振膜通常为单一厚度，并且是全膜设计的。对于MEMS麦克 风的振膜，需要满足机械冲击、跌落、吹气等相关强度的性能要求。然而现有的全膜设计的 MEMS麦克风的振膜，在突然受到大的气压冲击，如吹气时，容易造成振膜的破损。 由上述可知，现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成破损 的问题。
技术实现思路
本技术提供了一种MEMS麦克风、MEMS电容传感器和一种振膜。本技术 提供的技术方案能够解决现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成 破损的问题。 本技术公开了一种振膜，所述振膜上设有在外气压超过预设值后开启的泄气 结构。 可选的，所述泄气结构的个数为N个；其中N为小于等于50的自然数。 可选的，所述N个泄气结构均匀地分布在所述振膜的边缘上。 可选的，所述泄气结构的横截面为平滑曲线。 可选的，所述泄气结构包括V型、C型、S型、田型或者X型。 可选的，所述泄气结构为型，或者所述泄气结构为..型。 可选的，所泄气结构的横截面的宽度范围为0.lum~10um。 可选的，所泄气结构的横截面的长度范围为lum~200um〇 本技术还公开了一种MEMS电容传感器，所述MEMS电容传感器的振膜采用上 述任一项所述的振膜。 本技术还公开了一种MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包含上述的MEMS电容传 感器。 综上所述，在本技术所提供的技术方案中，通过在MEMS麦克风的振膜上设置 泄气结构，使得振膜能够在受到大的气压冲击时，能够实现泄气，从而保护振膜不因大的气 压冲击而损坏，从而解决了现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成 破损的问题。【附图说明】 图1是本技术中一种振膜的结构示意图； 图2是图1所示振膜正常情况下的剖视图； 图3是图1中所示振膜受冲击情况下的剖视图； 图4是图1中所示泄气结构的横截面放大示意图； 图5是本技术中一种MEMS电容传感器的结构示意图。【具体实施方式】 为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新 型实施方式作还地详细描述。 为达到上述目的本技术的技术方案是这样实现的： 图1是本技术中一种振膜的结构示意图，图2是图1所示振膜正常情况下的 剖视图。图3是图1中所示振膜受冲击情况下的剖视图。参见图1所示，振膜10上设有在 外气压超过预设值后开启的泄气结构101。 在本技术的一种实施例中，所述泄气结构为设置在振膜10上的贯穿振膜10 的缝隙。参见图2和图3所示，在正常使用的情况下，泄气结构101两侧的振膜10相对平 滑，并不发生形变；在受到冲击，如外气压超过预设值时，泄气结构101两侧的振膜10发生 形变，使得泄气结构101的缝隙变大，使得更加快速地泄压，从而保护振膜10不被气压冲击 而损坏。 在本技术的一种实施例中，为了在外气压超过预设值后，能够更好地保护振 膜10,可以在振膜10上设置N个泄气结构101。其中N为小于等于50的自然数。 在本技术的一种实施例中，为了能够更好地保证振膜的工作性能，可以将N 个泄气结构101均匀地分布在振膜10的边缘上。即在本实施例中，可以保证振膜10中间 部分的完整性，在不影响振膜10的正常使用的情况下，能够外气压增大时，泄气结构101能 够通快速的泄气，减少外气压对振膜10的冲击，从而能够更好地保护振膜10。 在本技术的一种实施例中，泄气结构101的横截面为平滑曲线。在本实用新 型的上述实施例中，横截面为平滑曲线的优点在于，能够保证在泄气结构101打开的状态 下，不会影响振膜10的正常使用。 图4是图1中所示泄气结构的横截面放大示意图。 在本技术的一种实施例中，泄气结构101包括V型、C型、S型、田型或者X型。 在本技术的一种实施例中，泄气结构101为 型，或者所述泄气结构为 型。 在本技术的上述实施例中，在保证振膜10能够正常使用的情况下，还可以将 泄气结构101设置成其他形状，如雪花型，牛角型等。 在本技术的一种具体实施例中，在保证振膜10能够正常使用的情况下，泄气 结构101的横截面的宽度范围为〇?lum~10um。在本实施例中，泄气结构101的横截面的 宽度是指对应的振膜10上的缝隙的宽度。其中，泄气结构101宽度设置为〇?lum~10um， 使得泄气结构101在受到气压冲击时能够及时发生形变，打开泄气结构101实现排气。并 且在未受到气压冲击的情况下，保证振膜10的正常使用。 在本技术的一种具体实施例中，在保证振膜10能够正常使用的情况下，泄气 结构101的横截面的长度范围为lum~200um。在本实施例中，泄气结构101的横截面的长 度是指对应的振膜10上的缝隙的总长度。其中，泄气结构101长度设置为lum~200um，使 得在单位面积内，泄气结构101所占的面积更大，从而能够更好地实现泄气的功能。 本技术还提供了一种MEMS电容传感器，图5是本技术中一种MEMS电容 传感器的结构示意图；参见图5所示，该MEMS电容传感器包括：背极板301、支撑层302、振 膜301、绝缘层304和基层305。其中，所述振膜301采用如图1~图4中任意一个实施例 中的振膜。 本技术还提供了一种MEMS麦克风，该麦克风包括上述实施例中的MESM传感 器。具体为：在本技术的上述实施例中，所提供的MEMS麦克风中振膜上设有在外气压 超过预设值后开启的泄气结构。 综上，本技术所提供的技术方案中，通过在MEMS麦克风的振膜上设置泄气结 构。该泄气结构为均匀设置在振膜边缘上的缝隙。在受到冲击的情况下，如外气压超过预 设值时，泄气结构两侧的振膜发生形变，使得泄气结构的缝隙变大，实现快速地泄压，从而 保护振膜不被气压冲击而损坏。 以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范 围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本实 用新型的保护范围内。【主权项】1. 一种振膜，其特征在于，所述振膜上设有在外气压超过预设值后开启的泄气结构。2. 根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述泄气结构的个数为N个；其中N为小 于等于50的自然数。3. 根据权利要求2所述的振膜，其特征在于，所述N个泄气结构均匀地分布在所述振膜 的边缘上。4. 根据权利要求1所述振膜，其特征在于，所述泄气结构的横截面为平滑曲线。5. 根据权利要求1-4任一项所述的振膜，其特征在于，所述泄气结构包括V型、C型、S 型、田型或者X型。6. 根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所泄气结构的横截面的宽度范围为 0? Ium ~IOum07. 根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所泄气结构的横截面的长度范围为Ium~ 200um〇8. -种MEMS电容传感器，其特征在于，所述MEMS电容传感器的振膜采用权利要求1-8 任一项所述的振膜。9. 一种MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS麦克风包括权利要求9所述的MEMS电容 传感器。【专利摘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振膜，其特征在于，所述振膜上设有在外气压超过预设值后开启的泄气结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟锦，邱冠勋，周宗燐，宋青林，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37