指纹识别传感器封装结构制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种指纹识别传感器封装结构，该封装结构包括：在硅晶片上方设置的且与所述硅晶片电连接的指纹识别传感器；在所述指纹识别传感器上方设置的颜色膜层；在所述颜色膜层的上方设置的硬掩膜层；在所述硅晶片下方设置的基板；其中，所述硬掩膜层的厚度和所述颜色膜层的厚度之和小于等于100μm。本实施例提供的封装结构，可以提高指纹识别传感器的识别准确率。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及生物识别模组封装技术，尤其涉及一种指纹识别传感器封装结构。
技术介绍
随着科技的发展，电子感测技术越来越多地被应用。目前利用电子感测技术实现的指纹识别(finger printing)技术，是目前最成熟且价格便宜的生物特征识别技术，其可以应用到笔记本电脑、手机、汽车、银行等领域中。现有技术中，利用生物特征识别技术实现的指纹识别传感器，主要是通过互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)工艺形成矩阵式的电容式指纹识别传感器。然而，由于现有的电容式指纹识别传感器封装结构将指纹识别传感器置于电容感测不明显的控制按钮或显示元件下，使得电容式指纹识别传感器电容感测效果不明显，导致电容式指纹识别传感器的识别准确率不高。
技术实现思路
本技术实施例提供一种指纹识别传感器封装结构，以提高指纹识别传感器的识别准确率。本技术实施例提供一种指纹识别传感器封装结构，包括:在硅晶片上方设置的且与所述硅晶片电连接的指纹识别传感器；在所述指纹识别传感器上方设置的颜色膜层；在所述颜色膜层的上方设置的硬掩膜层；在所述硅晶片下方设置的基板；其中，所述硬掩膜层和所述颜色膜层中至少有一层掺杂高介电颗粒。在本技术的一实施例中，所述硬掩膜层的厚度和所述颜色膜层的厚度之和小于等于100 μ m。可选地，所述硬掩膜层的厚度大于或等于ΙΟμπι且小于或等于50μπι。在本技术的一实施例中，所述颜色膜层的厚度大于或等于5μπι且小于或等于 50 μ m0在本技术的一实施例中，所述硬掩膜层的厚度和所述颜色膜层的厚度之和小于等于50 μ mD在本技术的一实施例中，所述硬掩膜层的厚度为大于或等于ΙΟμπι且小于或等于30 μ m。在本技术的一实施例中，所述颜色膜层的厚度大于或等于ΙΟμπι且小于或等于 30 μ m0在本技术的一实施例中，所述高介电颗粒包括如下中的任一或其组合:钛酸盐颗粒；铌酸盐颗粒。在本技术的一实施例中，所述高介电颗粒的尺寸大于或等于0.05 μπι且小于或等于5 μ mo本实施例提供的指纹识别传感器封装结构，该封装结构包括:在硅晶片上方设置的且与该硅晶片电连接的指纹识别传感器；在指纹识别传感器上方设置的颜色膜层；在颜色膜层的上方设置的硬掩膜层；在硅晶片下方设置的基板，其中，在硬掩膜层或颜色膜层中，至少有一层掺杂有高介电颗粒，从而不仅使得指纹识别传感器对电容的感测更加明显，可以提高指纹识别传感器的识别准确率，还可以增加指纹识别传感器的识别距离。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图一；图2为本技术指纹识别场景示意图；图3为本技术指纹识别原理示意图；图4为本技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图二 ；图5为本技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图三；图6为本技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图四；图7为本技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图五；图8为本技术指纹识别传感器封装方法实施例一的流程示意图；图9为本专利技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图七；图10为本专利技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图八；图11为本专利技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图九；图12为本专利技术指纹识别传感器封装方法实施例一的流程示意图。【具体实施方式】为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1为本技术指纹识别传感器封装结构的剖面示意图一。本实施例提供的指纹识别传感器具体可以为电容式指纹识别传感器，可以用在电子设备中，该电子设备可以为智能电话、触摸板、移动计算设备、电器、车辆的面板或机身等。如图1所示，本实施例提供的指纹识别传感器封装结构包括:在硅晶片102上方设置的且与该硅晶片102电连接的指纹识别传感器103 ;在指纹识别传感器103上方设置的颜色膜层104 ;在所述颜色膜层104的上方设置的硬掩膜层105 ;在所述硅晶片102下方设置的基板101。在本实施例中，硅晶片102和指纹识别传感器103独立设置，硅晶片102和指纹识别传感器103通过电连接的方式连接。通过硅晶片102和指纹识别传感器103的独立设置，对硅晶片102的要求较低，使得指纹识别传感器封装结构的成本较低。在指纹识别传感器103上设置的颜色膜层104，不仅具有颜色效果，还可以使指纹识别传感器的元件不会立即对用户可见。在颜色膜层104上设置的硬掩膜层105，硬掩膜层105的平面度小于10 μ m。硬掩膜层105主要用于保护指纹识别传感器和硅晶片，防止使用者在无数次按压或非正常按压下对指纹识别传感器和硅晶片的损坏。本领域技术人员可以理解，本实施例提供的指纹识别传感器封装结构还可以与控制按钮配合使用，控制按钮可以置于硬掩膜层105之上，此时，硬掩膜层105的顶部具有凹陷形状，如此，当用户手指被引导到凹陷形状时，用户手指能被很好地定位，以便进行指纹识别。进一步地，本实施例提供的硬掩膜层或颜色膜层中，至少有一层掺杂有高介电颗粒。该掺杂的高介电颗粒可以提高指纹识别传感器的电容性感测。在本实施例中，高介电颗粒的尺寸大于或等于0.05微米(μπι)且小于或等于5 μπι。高介电颗粒可以为钛酸盐颗粒或铌酸盐颗粒。对于钛酸盐颗粒，具体可以为:钛酸钡(BaT13)、钛酸钙(CaT13)、钛酸锶(SrCaT13)等。对于铌酸盐颗粒，具体可以为:铌酸钡钠(Ba2NaNb5O15)、铌酸钾锶(KSr2Nb5O15)、铌酸钾钽(KTaNbO3)等。在本实施例中，除了钛酸盐颗粒或铌酸盐颗粒之外，还可以为焦铌酸镉(Cd2Nb2O7)颗粒、三氧化钨(W03)。对于具体的高介电颗粒，本实施例此处不再赘述，只要在IGHz下的介电常数大于10即可。最终得到的掺杂高介电颗粒的颜色膜层固化后在IGHz下的介电常数可以达到4以上。最终得到的掺杂高介电颗粒的硬掩膜层固化后在IGHz下的介电常数可以达到4以上。下面以一个具体的实施例，结合图2和图3对指纹识别传感器对用户指纹的电容性感测的原理进行具体说明。本实施例的指纹识别传感器可以为擦划式(sweep或swipe)，也可以是按压式(touch或area)，本实施例不做特别限定。图2为本技术指纹识别场景示意图。如图2所示，人的手指包括纹峰和纹谷，当手指沿着靠近该指纹识别传感器上方的硬掩膜层按压时，指纹识别传感器呈现电容型连接模式，当人把手指放在指纹识别传感器上方时，手指充当指纹识别传感器的另外一个电极。由于手指上存在纹峰和纹谷，深浅不一，导致指本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种指纹识别传感器封装结构，其特征在于，包括：在硅晶片上方设置的且与所述硅晶片电连接的指纹识别传感器；在所述指纹识别传感器上方设置的颜色膜层；在所述颜色膜层的上方设置的硬掩膜层；在所述硅晶片下方设置的基板；其中，所述硬掩膜层的厚度和所述颜色膜层的厚度之和小于等于100μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，唐根初，蒋芳，
申请(专利权)人：南昌欧菲生物识别技术有限公司，南昌欧菲光科技有限公司，深圳欧菲光科技股份有限公司，苏州欧菲光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36