一种新型指纹识别传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种新型指纹识别传感器及其制造方法，一种新型指纹识别传感器，其特征在于包括外壳、接触发光元件、图像传感器、防水层，所述接触发光元件、图像传感器、防水层安装在外壳内侧，所述防水层安装在接触发光元件上，所述接触发光元件下连接有图像传感器，本实用新型专利技术的指纹识别传感器是通过沉积或涂布的方式直接在薄膜晶体管型图像传感器上设置接触发光元件，因此可以减少制造工序，缩短制造工期。另外,可以在没有光线散射的情况下直接对接触发光元件产生的图像信息进行判读，从而获取精确的图像信息。本实用新型专利技术的指纹识别传感器能够充分存储接触发光元件产生的图像信息，因此它也可用于大容量的图像传感器。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及指纹识别领域，尤其涉及一种新型指纹识别传感器。
技术介绍
对于依据现有技术采用接触发光元件的指纹识别传感器来说，受光元件与内置发光层的接触发光元件是利用透明绝缘粘合剂相互粘合而成。在这种情况下，光线在受光元件与透明绝缘粘合剂的界面及接触发光元件与透明绝缘粘合剂的界面就会发生散射，从而对相邻像素产生影响。除此之外，依据现有技术的指纹识别传感器也包括采用图像传感器与接触发光元件的类型及采用固体摄像器件的类型。但是，对于依据现有技术采用图像传感器与接触发光元件的指纹识别传感器来说，因制造手指宽的图像传感器会导致成本会上升，受冲击容易破碎，而且不可能形成曲面，采集侧面部的指纹时，会造成指纹形状失真。对于依据现有技术采用固体摄像器件的指纹识别传感器来说，由于需要另行设置光学装置，因此会导致其价格昂贵，而且难以实现产品小型化。
技术实现思路
根据以上技术问题，本技术提供一种新型指纹识别传感器，其特征在于包括外壳、接触发光元件、图像传感器、防水层，所述接触发光元件、图像传感器、防水层安装在外壳内侧，所述防水层安装在接触发光元件上，所述接触发光元件下连接有图像传感器，所述图像传感器包括切换薄膜晶体管、存储电容、传感器薄膜晶体管，所述切换薄膜晶体管、存储电容、传感器薄膜晶体管依次连接，所述切换薄膜晶体管包括第三绝缘层、遮光层、第二绝缘层、切换源电极、切换漏电极、切换半导体层、第一绝缘层、切换栅电极、基板，所述基板上侧安装有切换栅电极，所述切换栅电极上连接有第一绝缘层，所述第一绝缘层上安装有切换半导体层，所述切换半导体层两侧安装有切换源电极、切换漏电极，所述切换半导体层上侧为第二绝缘层，所述第二绝缘层上侧为遮光层，所述遮光层上侧包裹有第一绝缘层，所述存储电容包括第三绝缘层、第二绝缘层、第二存储电极、第一绝缘层、第一存储电极、基板，所述基板上安装有第一存储电极、所述第一存储电极上安装有第一绝缘层，所述第一绝缘层上为第二存储电极，所述第二存储电极为第二绝缘层，所述第二绝缘层为第三绝缘层，所述传感器薄膜晶体管包括第三绝缘层、第二绝缘层、传感器源电极、传感器漏电极、传感器半导体层、第一绝缘层、传感器栅电极、基板，所述基板上侧连接有传感器栅电极，所述传感器栅电极上连接有第一绝缘层，所述第一绝缘层上侧连接于传感器半导体层，所述传感器半导体层两端连接有传感器源电极和传感器漏电极，所述传感器半导体层上连接有第二绝缘层，所述第二绝缘层上连接有第三绝缘层。所述存储电容还包括设置在所述第二存储电极上部的第三存储电极以扩展存储容量。所述切换薄膜晶体管的栅电极处于打开状态时就通过切换源电极释放。所述基板为玻璃或塑料。本技术的有益效果为:本技术可以不使用固体摄像器件或CMOS等昂贵的不透明半导体而是在低廉的玻璃基板或塑料基板上设置指纹识别传感器，从而能够以低廉的成本制造出指纹识别传感器。特别是，如果采用塑料基板，还可以形成曲面，因此可以防止指纹外围的图像失真，而且还能够克服容易破碎的缺点。本技术的指纹识别传感器无需使用视窗，从而能够制造出高分辨率的指纹识别装置。另外，还无需另行设置光源，这样不仅能够降低电能消耗，而且还可以制造出更加轻薄短小的指纹识别装置。本技术的指纹识别传感器是通过沉积或涂布的方式直接在薄膜晶体管型图像传感器上设置接触发光元件，因此可以减少制造工序，缩短制造工期。另外，可以在没有光线散射的情况下直接对接触发光元件产生的图像信息进行判读，从而获取精确的图像信息。本技术的指纹识别传感器能够充分存储接触发光元件产生的图像信息，因此它也可用于大容量的图像传感器。【附图说明】图1为本技术结构示意图。图2为本技术图像传感器结构示意图。如图，外壳-1、接触发光元件-2、图像传感器-3、防水层-4、切换薄膜晶体管-5、存储电容_6、传感器薄膜晶体管_7、第三绝缘层-8、遮光层_9、第二绝缘层-10、切换源电极-11、切换漏电极-12、切换半导体层-13、第一绝缘层-14、切换栅电极-15、基板-16、第二存储电极-17、第一存储电极-18、传感器源电极-19、传感器漏电极-20、传感器半导体层-21、传感器栅电极-22。【具体实施方式】根据图1、图2所示，对本技术进行进一步说明:实施例1本技术提供一种新型指纹识别传感器及其制造方法，一种新型指纹识别传感器，其特征在于包括外壳1、接触发光元件2、图像传感器3、防水层4，接触发光元件2、图像传感器3、防水层4安装在外壳I内侧，防水层4安装在接触发光元件2上，接触发光元件2下连接有图像传感器3，图像传感器3包括切换薄膜晶体管5、存储电容6、传感器薄膜晶体管7，切换薄膜晶体管5、存储电容6、传感器薄膜晶体管7依次连接，切换薄膜晶体管5包括第三绝缘层8、遮光层9、第二绝缘层10、切换源电极11、切换漏电极12、切换半导体层13、第一绝缘层14、切换栅电极15、基板16，基板16上侧安装有切换栅电极15，切换栅电极15上连接有第一绝缘层14，第一绝缘层14上安装有切换半导体层13，切换半导体层13两侧安装有切换源电极11、切换漏电极12，切换半导体层13上侧为第二绝缘层10，第二绝缘层10上侧为遮光层9，遮光层9上侧包裹有第一绝缘层14，存储电容6包括第三绝缘层8、第二绝缘层10、第二存储电极17、第一绝缘层14、第一存储电极18、基板16，基板16上安装有第一存储电极18、第一存储电极18上安装有第一绝缘层14，第一绝缘层14上为第二存储电极17，第二存储电极17为第二绝缘层10，第二绝缘层10为第三绝缘层8，传感器薄膜晶体管7包括第三绝缘层8、第二绝缘层10、传感器源电极19、传感器漏电极20、传感器半导体层21、第一绝缘层14、传感器栅电极22、基板16，基板16上侧连接有传感器栅电极22，传感器栅电极22上连接有第一绝缘层14，第一绝缘层14上侧连接于传感器半导体层21，传感器半导体层21两端连接有传感器源电极19和传感器漏电极20，传感器半导体层21上连接有第二绝缘层10，第二绝缘层10上连接有第三绝缘层8。实施例2一种指纹识别传感器的制造方法，其特征在于包括以下几个步骤:(a)形成基板16的步骤；(b)在所述基板16上设置带有切换薄膜晶体管5、存储电容6及传感器薄膜晶体管7的薄膜晶体管型图像传感器3的步骤；(c)在所述薄膜晶体管型图像传感器3上设置接触发光元件2的步骤。实施例3为了进行指纹识别，用户按压指纹识别传感器的接触发光元件2之后，就通过传感器薄膜晶体管7接收从相关被摄物体(未图示)受压面传出的图像信息。当接触发光元件2接触到带有凹凸面的被摄物体时，被摄物体的突出部产生白色光，凹陷部产生黑色光。同时，传感器薄膜晶体管7的传感器半导体层21检测到所述图像信息。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出的是，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进，这些改进也应视为本技术的保护范围。【主权项】1.一种新型指纹识别传感器，其特征在于包括外壳、接触发光元件、图像传感器、防水层，所述接触发光元件、图像传感器、防水层安装在外壳内侧，所述防水层安装在接触发光元件上，所述接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型指纹识别传感器，其特征在于包括外壳、接触发光元件、图像传感器、防水层，所述接触发光元件、图像传感器、防水层安装在外壳内侧，所述防水层安装在接触发光元件上，所述接触发光元件下连接有图像传感器，所述图像传感器包括切换薄膜晶体管、存储电容、传感器薄膜晶体管，所述切换薄膜晶体管、存储电容、传感器薄膜晶体管依次连接，所述切换薄膜晶体管包括第三绝缘层、遮光层、第二绝缘层、切换源电极、切换漏电极、切换半导体层、第一绝缘层、切换栅电极、基板，所述基板上侧安装有切换栅电极，所述切换栅电极上连接有第一绝缘层，所述第一绝缘层上安装有切换半导体层，所述切换半导体层两侧安装有切换源电极、切换漏电极，所述切换半导体层上侧为第二绝缘层，所述第二绝缘层上侧为遮光层，所述遮光层上侧包裹有第一绝缘层，所述存储电容包括第三绝缘层、第二绝缘层、第二存储电极、第一绝缘层、第一存储电极、基板，所述基板上安装有第一存储电极、所述第一存储电极上安装有第一绝缘层，所述第一绝缘层上为第二存储电极，所述第二存储电极为第二绝缘层，所述第二绝缘层为第三绝缘层，所述传感器薄膜晶体管包括第三绝缘层、第二绝缘层、传感器源电极、传感器漏电极、传感器半导体层、第一绝缘层、传感器栅电极、基板，所述基板上侧连接有传感器栅电极，所述传感器栅电极上连接有第一绝缘层，所述第一绝缘层上侧连接于传感器半导体层，所述传感器半导体层两端连接有传感器源电极和传感器漏电极，所述传感器半导体层上连接有第二绝缘层，所述第二绝缘层上连接有第三绝缘层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范永刚，
申请(专利权)人：天津市卓扬世纪科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12