【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体等离子刻蚀领域，特别涉及一种用于电感耦合型等离子处理器射频窗口的加热装置。
技术介绍
在半导体处理领域广泛应用电感耦合型（ICP）等离子处理设备，ICP等离子处理设备具有反应气体解离率高这一优点，相比电容耦合型同样功率的RF电源能够产生浓度更高的等离子体，在硅刻蚀领域被广泛采用。如图3所示为典型的ICP反应器结构，ICP反应器包括反应腔100，反应腔内包括基座20，基座上方固定有待处理的基片。基座中通常还通过一个匹配网络1连接到一个低频的射频电源，以控制刻蚀中的等离子能量。反应腔顶部包括绝缘材料制成的射频窗110，射频窗通常由氧化硅或者氧化铝制成，能够让高频磁场穿过同时密封反应器顶部。由于反应器内部等离子分布不均匀，射频窗的热量也会不均匀的被导走，所以射频窗上整体会出现不均匀的温度分布，这对下方等离子处理均一性的改善带来不利影响，严重时温度梯度过大还会造成射频窗开裂。为了改善温度均一性通常会在射频窗上设置一个加热装置120以补偿下方温度的不均匀。加热装置120上方还可以设置一个法拉第屏蔽板以屏蔽电场对反应器内部造成的影...
【技术保护点】
一种用于电感耦合型等离子处理器射频窗口的加热装置，该装置加热射频窗口（1），其特征在于，该加热装置包含：至少一个加热器（2），其贴合设置在射频窗口（1）上，所述的加热器（2）包含电阻丝、包裹在电阻丝上的绝缘薄膜，且所述加热器厚度小于1mm；所述加热器的电阻丝包括多个从射频窗口中心向射频窗口边缘延展的电阻丝段，每个电阻丝段在两个端点通过一个连接部与相邻的电阻丝端连接，所述多个电阻丝段与多个连接部共同构成加热器（2）。
【技术特征摘要】
1.一种用于电感耦合型等离子处理器射频窗口的加热装置，该装置加热射频窗口（1），其特征在于，该加热装置包含：至少一个加热器（2），其贴合设置在射频窗口（1）上，所述的加热器（2）包含电阻丝、包裹在电阻丝上的绝缘薄膜，且所述加热器厚度小于1mm；
所述加热器的电阻丝包括多个从射频窗口中心向射频窗口边缘延展的电阻丝段，每个电阻丝段在两个端点通过一个连接部与相邻的电阻丝端连接，所述多个电阻丝段与多个连接部共同构成加热器（2）。
2.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述的绝缘薄膜采用聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述的加热器（2）呈环状部分覆盖在所述的射频窗口（1）...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴狄，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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