【技术实现步骤摘要】
本技术涉及的是一种太阳能电池组件，具体涉及一种InGaN太阳能电池组件。
技术介绍
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”“，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。传统的硅基太阳能电池受禁带宽度等原因导致其转换效率不高，成本比较高，使用效果不佳，实用性不强。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足，本技术目的是在于提供一种InGaN太阳能电池组件，结构简单，重量轻，成本低，转换效率高，体积小。为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种InGaN太阳能电池组件，包括基板1、LT-GaN层、n-GaN层、n-InGaN层、i-InGaN层、p-InGaN层、p-GaN层、抗反射膜、Ni/Au电极9和Ti/Al/Au电极，基板上右下至上依次设置有LT-GaN层、n-GaN层、n-InGaN层、i-InGaN层、p-InGaN层、p-GaN层、抗反射膜8，所述的抗反射膜上设置有Ni/Au电极，所述的n-GaN层上设置有Ti/Al/Au电极。作为优选，所述的n-GaN层3为2μm。作为优选，所述的n-InGaN层4为200nm。作为优选，所述的i-InGaN层5为150nm。作为优选，所述的p-InGaN层6为50nm。作为优选，所述的p-GaN...
【技术保护点】
一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，包括基板(1)、LT‑GaN层(2)、n‑GaN层(3)、n‑InGaN层(4)、i‑InGaN层(5)、p‑InGaN层(6)、p‑GaN层(7)、抗反射膜(8)、Ni/Au电极(9)和Ti/Al/Au电极(10)，基板1上右下至上依次设置有LT‑GaN层(2)、n‑GaN层(3)、n‑InGaN层(4)、i‑InGaN层(5)、p‑InGaN层(6)、p‑GaN层(7)、抗反射膜(8)，所述的抗反射膜(8)上设置有Ni/Au电极(9)，所述的n‑GaN层(3)上设置有Ti/Al/Au电极(10)。
【技术特征摘要】
1.一种InGaN太阳能电池组件，其特征在于，包括基板(1)、LT-GaN
层(2)、n-GaN层(3)、n-InGaN层(4)、i-InGaN层(5)、p-InGaN层
(6)、p-GaN层(7)、抗反射膜(8)、Ni/Au电极(9)和Ti/Al/Au电极
(10)，基板1上右下至上依次设置有LT-GaN层(2)、n-GaN层(3)、n-InGaN
层(4)、i-InGaN层(5)、p-InGaN层(6)、p-GaN层(7)、抗反射膜(8)，
所述的抗反射膜(8)上设置有Ni/Au电极(9)，所述的n-GaN层(3)
上设置有Ti/Al/Au电极(10)。...
【专利技术属性】
技术研发人员：张富春，崔红卫，张威虎，
申请(专利权)人：延安大学，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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