本发明专利技术公开了一种用于平衡多晶硅生产干法处理系统压力的方法，包括：步骤一、含氯硅烷的废气、废液和燃料气在燃烧炉内高温水解成烟气，将上述烟气通入余热锅炉降温，并回收蒸汽；步骤二、将步骤一中的降温回收的烟气进入主回路，其中主回路的烟气通入过滤器内进行过滤除尘后，送至喷淋降温塔进行二次降温；步骤三、将步骤二中二次降温的烟气送至循环增浓塔吸收HCl；步骤四、从循环增浓塔出来的残余烟气进入第一喷淋除酸塔二次净化处理，最后从排气管高空达标排放。本发明专利技术将水封和过滤相结合，充分利用水封压力稳定和自动泄压、自动封闭功能，平衡了整个含氯硅烷废气、废液燃烧干法处理系统的运行压力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅生产领域，具体涉及，主要用于平衡含氯硅烷废气、废液燃烧干法处理系统压力。
技术介绍
随着多晶硅产业飞速发展，规模、产量的不断扩大，随之而来的多晶硅生产过程中排出含氯硅烷废气、废液的安全和环保问题日益突出，已成为整个多晶硅产业链中急需解决的瓶颈之一。目前，处理含氯硅烷废气、废液较先进的技术为燃烧干法处理技术，即将含氯硅烷三氯氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅及金属氯化物的废气和废液，在900— 1000C的燃烧炉内高温水解，反应生成较容易处理的Si02、HCl和少量C12等物质，然后经过降温余热回收、过滤Si02除尘、淋洗HCl净化等过程，最终实现有用资源的回收和达标排放的目的。含氯硅烷废气、废液高温水解，生成大量Si02粉尘，浓度高达20g/Nm3，粒径属于纳米级。由于Si02粉尘较细，浓度较高，在过滤除尘阶段较容易造成系统的压力波动，进而影响整个系统的运行，严重时触发系统安全连锁，造成系统自动停车，较难实现系统的连续、安全、稳定运行。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，将水封和过滤相结合，充分利用水封压力稳定和自动泄压功能，进而平衡了整个含氯硅烷废气、废液燃烧干法处理系统的运行压力，避免了由于系统运行压力的波动，触发系统的安全连锁，造成系统自动停车，从而保证了系统的连续、安全、稳定运行。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下:，包括:步骤一、含氯硅烷的废气、废液和燃料气在燃烧炉内高温水解成烟气，将上述烟气通入余热锅炉降温，并回收蒸汽；步骤二、将步骤一中的降温回收的烟气进入主回路，其中主回路的烟气通入过滤器内进行过滤除尘后，送至喷淋降温塔进行二次降温；步骤三、将步骤二中二次降温的烟气送至循环增浓塔吸收HCl ;步骤四、从循环增浓塔出来的残余烟气进入第一喷淋除酸塔二次净化处理，最后从排气管高空达标排放。在本专利技术的一个优选实施例中，所述燃烧炉的温度设定为900—1000°C。在本专利技术的一个优选实施例中，所述烟气中主要成分为Si02、HCl和少量Cl2。在本专利技术的一个优选实施例中，所述主回路还并列设置分回路，其中主回路堵塞且烟气压力达到分回路设定值后，跳转至分回路工作。在本专利技术的一个优选实施例中，所述分回路包括一水封池，一与水封池依次连接的喷淋除尘塔以及第二喷淋除酸塔。在本专利技术的一个优选实施例中，所述分回路包括以下步骤:步骤一、烟气突破水封池的水封作用，形成畅通的泄压通道，将超压部分烟气泄压至分回路；步骤二、将步骤一中的烟气送至喷淋除尘塔，用水喷淋除尘，除去烟气中含有的Si02粉尘；步骤三、将步骤二中经除尘后的烟气进入第二喷淋除酸塔进行净化处理，最后从排气管高空达标排放。在本专利技术的一个优选实施例中，所述水封池的压力设置为4500Pa。通过上述技术方案，本专利技术的有益效果是:本专利技术将水封和过滤相结合，充分利用水封压力稳定和自动泄压、自动封闭功能，平衡了整个含氯硅烷废气、废液燃烧干法处理系统的运行压力，即充分发挥了过滤器过滤拦截回收副产物二氧化硅的功能，又避免了由于系统运行压力的波动，触发系统的安全连锁，造成系统自动停车，进而保证了含氯硅烷废气、废液燃烧干法处理系统的连续、安全、稳定运行。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的工作流程图。【具体实施方式】为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。参照图1，，包括:步骤一、含氯硅烷的废气、废液和燃料气在燃烧炉内900—1000°C水解成烟气，将上述烟气通入余热锅炉降温，并回收蒸汽；其中烟气中主要成分为Si02、HCl和少量Cl2;步骤二、将步骤一中的降温回收的烟气进入主回路，其中主回路的烟气通入过滤器内进行过滤除尘后，送至喷淋降温塔进行二次降温；步骤三、将步骤二中二次降温的烟气送至循环增浓塔吸收HCl ;步骤四、从循环增浓塔出来的残余烟气进入第一喷淋除酸塔二次净化处理，最后从排气管高空达标排放。主回路还并列设置分回路，其中主回路堵塞且烟气压力达到分回路设定值后，跳转至分回路工作；分回路包括一水封池，一与水封池依次连接的喷淋除尘塔以及第二喷淋除酸塔。而分回路包括以下步骤:步骤一、烟气突破水封池的水封作用，形成畅通的泄压通道，将超压部分烟气泄压至分回路；步骤二、将步骤一中的烟气送至喷淋除尘塔，用水喷淋除尘，除去烟气中含有的Si02粉尘；步骤三、将步骤二中经除尘后的烟气进入第二喷淋除酸塔进当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于平衡多晶硅生产干法处理系统压力的方法，其特征在于，包括：步骤一、含氯硅烷的废气、废液和燃料气在燃烧炉内高温水解成烟气，将上述烟气通入余热锅炉降温，并回收蒸汽；步骤二、将步骤一中的降温回收的烟气进入主回路，其中主回路的烟气通入过滤器内进行过滤除尘后，送至喷淋降温塔进行二次降温；步骤三、将步骤二中二次降温的烟气送至循环增浓塔吸收HCl；步骤四、从循环增浓塔出来的残余烟气进入第一喷淋除酸塔二次净化处理，最后从排气管高空达标排放。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐明元，蒙敏，王忠群，王绍祖，
申请(专利权)人：陕西天宏硅材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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