4430nm带通红外滤光敏感元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型专利技术所得到的一种4430nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4430±15 nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=30±10nm，400～11000 nm（除通带外），Tavg<0.1%。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及医用红外气体检测滤光敏感元件，尤其是一种4430nm带通红外滤光敏感元件。
技术介绍
红外滤光敏感元件过滤、截止可见光同时允许通过红外线。红外线的波长很容易地穿透任何的物体，也就是红外线在经过物体时不会发生折射。利用红外线的这个特性，只让长波长的红外线通过，滤除短波长的紫外线和可见光。应用于很多领域，目前对于医用红外气体检测过程中所使用的滤光敏感元件存在的问题是透过率和截止区的信噪比不高，不能满足高精度的测量要求。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的4430nm带通红外滤光敏感元件。为了达到上述目的，本技术所设计的一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、363nm厚度的Ge层、1116nm厚度的SiO层、274nm厚度的Ge层、1132nm厚度的SiO层、290nm厚度的Ge层、1115nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有346nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、255nm厚度的Ge层、120nm厚度的SiO层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。本技术所得到的一种4430nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4430±15 nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=30±10nm，400～11000 nm（除通带外），Tavg<0.1%。附图说明图1是实施例整体结构示意图。图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。图中：第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。具体实施方式下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1。如图1、图2所示，本实施例描述的一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、363nm厚度的Ge层、1116nm厚度的SiO层、274nm厚度的Ge层、1132nm厚度的SiO层、290nm厚度的Ge层、1115nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有346nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、255nm厚度的Ge层、120nm厚度的SiO层。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Ge、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、363nm厚度的Ge层、1116nm厚度的SiO层、274nm厚度的Ge层、1132nm厚度的SiO层、290nm厚度的Ge层、1115nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有346nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、255nm厚度的Ge层、120nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】
1. 一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Ge、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，王继平，余初旺，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33