【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件,其包括基板上的缓冲区和功能层压体,所述功能层压体包含多层氮化物半导体层,其中所述功能层压体包括在所述缓冲区侧上的第一n型或i型AlxGa1‑xN层(0≤x<1),和在所述缓冲区和所述功能层压体之间设置含有p型杂质的AlzGa1‑zN调整层,所述含有p型杂质的AlzGa1‑zN调整层具有约等于所述第一AlxGa1‑xN层(x‑0.05≤z≤x+0.05,0≤z<1)的Al组成,其中所述缓冲区包括至少在所述功能层压体侧上的AlαGa1‑αN层(0≤α≤1),并且所述AlαGa1‑αN层的Al组成α和所述第一AlxGa1‑xN层的Al组成x之间的差为0.1以上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:大鹿嘉和,松浦哲也,
申请(专利权)人:同和电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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