隔离器/环形器的密封结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种隔离器/环形器的密封结构，包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体，所述壳体与盖体形成容置腔，所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中，所述壳体侧壁开设有缺口，所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出，所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述RTV硅胶层封闭容置腔体，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上。本实用新型专利技术通过用RTV硅胶封闭缺口，能够提高隔离器/环形器的电气性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微波铁氧体器件，尤其一种隔离器/环形器的密封结构。
技术介绍
微波铁氧体器件(如:隔离器、环行器)在微波电路中起到环行、隔离、调幅等作用，主要用于军事雷达系统、通信领域。特别是21世纪是通信网络时代，随着网络的不断升级，近几年3G、4G基站大规模建设，环行器、隔离器由过去年产量几万只到现在的年产量上千万只，对企业的规模化生产、产品性能的一致性带来了挑战。现有技术中的环形器包括壳体、中心导体、铁氧体、磁体及盖板，盖板与壳体固定形成空腔，磁体、铁氧体及中心导体设置于空腔中，上述的中心导体上设置有直线引脚，而壳体上对应直线引脚的位置设置引线端口。上述的结构，由于引线端口并没有密封固定，直接将磁体、中心导体以及铁氧体的部分暴露于空气中，工作时，磁体由于磁力的作用而吸引碎铁销等导电物质，引起环形器短路的问题。另外，中心导体以及铁氧体容易受潮而影响正常的电气性能。有鉴于此，有必要对上述的隔离器/环形器的结构作进一步的改进。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种结构简单、密封性及电气性能好的隔离器/环形器的密封结构。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为:提供一种隔离器/环形器的密封结构，包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体，所述壳体与盖体形成容置腔，所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中，所述壳体侧壁开设有缺口，所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出，所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述RTV硅胶层封闭容置腔体，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上。其中，所述RTV硅胶层的厚度为0.5-3.5mm。其中，所述缺口的数量为三个，三个缺口均匀地分布在圆形壳体侧壁上。其中，所述铁氧体包括上层铁氧体及下层铁氧体，所述上层铁氧体及下层铁氧体分别紧贴于中心导体的上表面及下表面上。其中，所述磁体包括上层磁体以及下层磁体，所述上层磁体及下层磁体分别紧贴于上层铁氧体及下层铁氧体上。本技术的有益效果在于:区别于现有技术中的隔离器/环形器中由于引线端口并没有密封固定，直接将磁体、中心导体以及铁氧体的部分暴露于空气中，引起电气性能不佳的问题，本技术一种隔离器/环形器的密封结构，采用在壳体的缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述硅胶层封闭容置腔体，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上，密封接线端口，能够提高隔离器/环形器的电气性能。【附图说明】图1为本技术隔离器/环形器的密封结构的示意图；图2为图1的分解示意图。标号说明:1、盖体；2、壳体；3、RTV硅胶层；4、中心导体；41、引脚；51、上层铁氧体；52、下层铁氧体；61、上层磁体；62、下层磁体；21、缺口。【具体实施方式】为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。RTV娃胶:一种室温硫化型娃橡胶，RTV是英文room temperature vulcanizedsilicone rubber的缩写，室温下能硫化的娃橡胶。本技术最关键的构思在于:本方案采用在壳体的缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述硅胶层封闭缺口，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上，密封容置腔体，能够提高隔离器/环形器的电气性能。请参照图1和图2，一种隔离器/环形器的密封结构，包括壳体2、盖体1、中心导体4、磁体以及铁氧体，所述壳体2与盖体I形成容置腔，所述磁体、铁氧体以及中心导体4层叠设置并固定于容置腔中，所述壳体2侧壁开设有缺口 21，所述中心导体4上设置有引脚41并且所述引脚41从缺口 21伸出，所述缺口 21处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层3，所述RTV硅胶层3封闭缺口 21，并且固定在对应缺口 21位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体4上的侧壁上。从上述描述可知，本技术的有益效果在于:区别于现有技术中的隔离器/环形器中由于引线端口并没有密封固定，直接将磁体、中心导体4以及铁氧体的部分暴露于空气中，引起电气性能不佳的问题，本技术一种隔离器/环形器的密封结构，采用在壳体2的缺口 21处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层3，所述硅胶层封闭缺口 21，并且固定在对应缺口 21位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体4上的侧壁上，密封接线端口，能够提高隔离器/环形器的电气性能。作为一实施例，所述RTV硅胶层3的厚度为0.5-3.5mm。应该指出，硅胶层的作用在于封闭容置腔体，使容置腔体中的结构组件与外部隔离，能够起到防止磁体吸引碎铁销以及防止空气中的水及粉尘进入的效果。该RTV硅胶的厚度不限于上述范围，小于或者大于上述厚度范围均为可行方案。作为一实施例，所述缺口 21的数量为三个，三个缺口 21均匀地分布在圆形壳体2侧壁上。壳体2为圆形结构，三个缺口 21的相互角度为180°。此外，壳体2上对应缺口21的位置设置有接线部，所述接线部能够支撑引脚41，方便接线，提高整体的电气性能。作为一实施例，所述铁氧体包括上层铁氧体51及下层铁氧体52，所述上层铁氧体51及下层铁氧体52分别紧贴于中心导体4的上表面及下表面上。铁氧体的结构还可以中间开设容置槽的整体结构中心导体4可以直接放置于容置槽中。作为一实施例，所述磁体包括上层磁体61以及下层磁体62，所述上层磁体61及下层磁体62分别紧贴于上层铁氧体51及下层铁氧体52上。磁体的结构还可以中间开设容置部的整体结构，该容置部的大小与铁氧体及中心导体4的厚度相适应。综上所述，本技术提供的隔离器/环形器的密封结构，采用在壳体的缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述硅胶层封闭缺口，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上，密封容置腔体，能够起到较佳的隔离效果。另外，RTV硅胶层的厚度为2-5_，综合节省资源及成本方面的考虑，能够起到较佳的密封效果。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种隔离器/环形器的密封结构，包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体，所述壳体与盖体形成容置腔，所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中，所述壳体侧壁开设有缺口，所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出，其特征在于，所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述RTV硅胶层封闭容置腔体，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上。2.根据权利要求1所述的隔离器/环形器的密封结构，其特征在于，所述RTV硅胶层的厚度为 0.5-3.5mm。3.根据权利要求1所述的隔离器/环形器的密封结构，其特征在于，所述缺口的数量为三个，三个缺口均匀地分布在圆形壳体侧壁上。4.根据权利要求1-3任一项所述的隔离器/环形器的密封结构，其特征在于，所述铁氧体包括上层铁氧体及下层铁氧体，所述上层铁氧体及下层铁氧体分别紧贴于中心导体的上表面及下表面上。5.根据权利要求4所述的隔离器/环形器的密封结构，其特征在于，所述磁体包括上层磁体以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离器/环形器的密封结构，包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体，所述壳体与盖体形成容置腔，所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中，所述壳体侧壁开设有缺口，所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出，其特征在于，所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层，所述RTV硅胶层封闭容置腔体，并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，黄帝坤，
申请(专利权)人：深圳华扬通信股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44