负载测试电路、方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种负载测试电路、方法和显示装置。该负载测试电路包括：信号生成单元、测试数据线、待测数据线、第一开关管和第二开关管，所述测试数据线的第一端、所述第一开关管、所述第二开关管和所述待测数据线的第一端依次连接；所述测试数据线的第二端为第一测试点，所述待测数据线的第二端为第二测试点，所述第一测试点和所述第二测试点均用于供负载测试设备进行负载测试；所述信号生成单元用于向所述第一开关管提供第一电压以及向所述第二开关管提供第二电压。采用本发明专利技术的负载测试电路能够测试出待测数据线实际的负载值。

【技术实现步骤摘要】
负载测试电路、方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种负载测试电路、方法和显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，简称：LCD)由于低功耗、彩色化、信息量大以及无电磁辐射等优点已经被广泛应用于各种显示器中。在液晶显示装置中，面板上布线(layout)产生的负载(loading)问题一直是影响液晶显示装置驱动的一个重要问题。若设计的负载过大且驱动IC驱动不足时，液晶显示装置显示会产生各种异常现象。因此，准确获得数据线(source)的负载值，以使驱动IC能够进行良好的驱动。现有技术中，对于液晶显示装置中数据线的负载测试还处于模拟值测试阶段，即仅能通过模拟方式得出数据线的模拟负载值，而通常模拟负载值与实际负载值具有较大偏差。综上所述，现有技术中还没有一种能够测试出数据线实际的负载值的方案。
技术实现思路
本专利技术提供一种负载测试电路、方法和显示装置，用于测试出待测数据线的实际负载值。为实现上述目的，本专利技术提供了一种负载测试电路，包括：信号生成单元、测试数据线、待测数据线、第一开关管和第二开关管，所述测试数据线的第一端、所述第一开关管、所述第二开关管和所述待测数据线的第一端依次连接；所述测试数据线的第二端为第一测试点，所述待测数据线的第二端为第二测试点，所述第一测试点和所述第二测试点均用于供负载测试设备进行负载测试；所述信号生成单元用于向所述第一开关管提供第一电压以及向所述第二开关管提供第二电压。可选地，所述测试数据线的第一端和所述第一开关管的第一极连接，所述第二开关管的第一极和所述第一开关管的第二极连接，所述第二开关管的第二极和所述待测数据线的第一端连接，所述第一开关管的控制极和所述第二开关管的控制极均与所述信号生成单元连接。可选地，所述测试数据线为增设的数据线，所述待测数据线为原始数据线；或者，所述测试数据线和所述待测数据线为相邻的两条原始数据线。可选地，负载测试时，所述第一电压和所述第二电压的极性相同。可选地，所述第一开关管和第二开关管均为NMOS管，所述第一电压和所述第二电压为正电压；或者，所述第一开关管和所述第二开关管均为PMOS管，所述第一电压和所述第二电压为负电压。可选地，画面显示时，所述第一电压和所述第二电压的极性相反。可选地，所述测试数据线和所述待测数据线相同。为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示装置，包括：上述负载测试电路。为实现上述目的，本专利技术提供了一种负载测试方法，所述方法用于对上述负载测试电路进行测试；所述方法包括：将负载测试设备与所述第一测试点和所述第二测试点连接；通过所述信号生成单元向所述第一开关管提供第一电压以使所述第一开关管导通以及向所述第二开关管提供所述第二电压以使所述第二开关管导通；通过所述负载测试设备获取负载测试值；根据所述负载测试值生成所述待测数据线的负载值。可选地，所述测试数据线和所述待测数据线相同；所述根据所述负载测试值生成待测数据线的负载值包括：将所述负载测试值减去所述第一开关管的负载值和所述第二开关管的负载值得出计算结果；将所述计算结果除以二生成所述待测数据线的负载值。可选地，所述第一电压和所述第二电压的极性相同。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的负载测试电路、方法和显示装置的技术方案中，负载测试电路包括信号生成单元、测试数据线、待测数据线、第一开关管和第二开关管，测试数据线的第二端为第一测试点，待测数据线的第二端为第二测试点，第一测试点和第二测试点均用于供负载测试设备进行负载测试，信号生成单元用于向第一开关管提供第一电压以及向第二开关管提供第二电压，采用本专利技术的负载测试电路能够测试出待测数据线实际的负载值。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种负载测试电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例三提供的一种负载测试方法的流程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的负载测试电路、方法和显示装置进行详细描述。图1为本专利技术实施例一提供的一种负载测试电路的结构示意图，如图1所示，该负载测试电路包括：信号生成单元11、测试数据线12、待测数据线13、第一开关管M1和第二开关管M2，测试数据线12的第一端A、第一开关管M1、第二开关管M2和待测数据线13的第一端B依次连接。测试数据线12的第二端C为第一测试点，待测数据线13的第二端D为第二测试点，第一测试点和第二测试点均用于供负载测试设备进行负载测试。信号生成单元11用于向第一开关管M1提供第一电压以及向第二开关管M2提供第二电压。具体地，测试数据线12的第一端A和第一开关管M1的第一极连接，第二开关管M2的第一极和第一开关管M1的第二极连接，第二开关管M1的第二极和待测数据线13的第一端B连接，第一开关管M1的控制极和第二开关管M2的控制极均与信号生成单元11连接。本实施例中，信号生成单元11可以为驱动IC，负载测试设备可以为电阻测试仪。测试数据线12可以为增设的数据线，待测数据线13为原始数据线，当采用此种方案时，需要在待测数据线13的旁边新增一条数据线。或者，测试数据线12和待测数据线13为相邻的两条原始数据线，当采用此种方案时，可直接采用原始数据线进行测试，无需再新增数据线。本实施例中，优选地，第一电压和第二电压可以采用GOA电路中的正扫描控制信号CN和反扫描控制信号CNB。在显示装置进行负载测试时，第一电压和第二电压的极性相同。第一开关管M1和第二开关管M2均为N型金属氧化物半导体(Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor，简称：NMOS)管，负载测试时第一电压和第二电压为正电压。信号生成单元11向第一开关管M1和第二开关管M2提供正电压以使第一开关管M1和第二开关管M2导通。或者，第一开关管M1和第二开关管M2均为P型金属氧化物半导体(Positivechannel-Metal-Oxide-Semiconductor，简称：PMOS)管，负载测试时第一电压和第二电压为负电压。信号生成单元11向第一开关管M1和第二开关管M2提供负电压以使第一开关管M1和第二开关管M2导通。在显示装置进行画面显示时，第一电压和第二电压的极性相反。这样，第一开关管M1和第二开关管M2中，一个导通，另一个关闭，使得测试数据线12和待测数据线13中的一个作为工作数据线，从而不影响显示装置的画面显示。例如：第一开关管M1关闭，第二开关管M2导通；或者，第一开关管M1导通，第二开关管M2关闭。具体地，第一开关管M1和第二开关管M2均为NMOS管，画面显示时第一电压为负电压以使第一开关管M1关闭以及第二电压为正电压以使第二开关管M2导通，此时待测数据线13作为画面显示时的工作数据线；或者，第一开关管M1和第二开关管M2均为PMOS管，画面显示时第一电压为正电压以使第一开关管M1导通以及第二电压为负电压以使第二开关管M2关闭，此时测试数据线12作为画面显示时的工作数据线。本实施例中，优选地，测试数据线和待测数据线相同。采用实施例一的负载测试电路测试出待测数据线的负载值的过程可参见下述实施例三，此处不再赘述。本实施例提供的负载测试电路包括信号生成单元、测试数据线、待测数据线、第一开关管和第二开关管，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负载测试电路，其特征在于，包括：信号生成单元、测试数据线、待测数据线、第一开关管和第二开关管，所述测试数据线的第一端、所述第一开关管、所述第二开关管和所述待测数据线的第一端依次连接；所述测试数据线的第二端为第一测试点，所述待测数据线的第二端为第二测试点，所述第一测试点和所述第二测试点均用于供负载测试设备进行负载测试；所述信号生成单元用于向所述第一开关管提供第一电压以及向所述第二开关管提供第二电压。

【技术特征摘要】
1.一种负载测试电路，其特征在于，包括：信号生成单元、测试数据线、待测数据线、第一开关管和第二开关管，所述测试数据线的第一端、所述第一开关管、所述第二开关管和所述待测数据线的第一端依次连接；所述测试数据线的第一端和所述第一开关管的第一极连接，所述第二开关管的第一极和所述第一开关管的第二极连接，所述第二开关管的第二极和所述待测数据线的第一端连接，所述第一开关管的控制极和所述第二开关管的控制极均与所述信号生成单元连接；所述测试数据线的第二端为第一测试点，所述待测数据线的第二端为第二测试点，所述第一测试点和所述第二测试点均用于供负载测试设备进行负载测试；所述信号生成单元用于向所述第一开关管提供第一电压以及向所述第二开关管提供第二电压。2.根据权利要求1所述的负载测试电路，其特征在于，所述测试数据线为增设的数据线，所述待测数据线为原始数据线；或者，所述测试数据线和所述待测数据线为相邻的两条原始数据线。3.根据权利要求1或2所述的负载测试电路，其特征在于，负载测试时，所述第一电压和所述第二电压的极性相同。4.根据权利要求3所述的负载测试电路，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为NMOS管，所述第一电压和所述第二电压为正电压；或者，所述第一开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐秀珠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11