一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质及其制备方法技术

一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质，其特征在于由下述重量百分比的原料制成：BaTiO3 54-91%，MgSnO3 2-13%，SrZrO3 2-15%，Nb2O5 0.05-1%，CeO2 0.03-1.0%，ZnO 0.1-1.0%，Co2O3 0.03-1.0%，BiScO3 2-15%。本发明专利技术还提供上述高介电常数低损耗陶瓷电容器介质的一种制备方法。本发明专利技术的高介电常数低损耗陶瓷电容器介质介电常数高、耐电压高、介质损耗低，在制备和使用过程中对环境无污染，并且能降低高介低损耗陶瓷电容器的成本，适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质，其特征在于由下述重量百分比的原料制成：BaTiO3 54‑91%，MgSnO3 2‑13%，SrZrO3 2‑15%，Nb2O5 0.05‑1%，CeO2 0.03‑1.0%，ZnO 0.1‑1.0%，Co2O3 0.03‑1.0%，BiScO3 2‑15%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄瑞南，林榕，胡勇，谢冬桔，赵明辉，
申请(专利权)人：汕头高新区松田实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44